微波功率晶体管的热失效分析 被引量：4

1

作者 刘红兵 许洋 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第9期807-809,共3页

微波功率晶体管是微波功率放大器中的核心器件,其热性能在很大程度上决定于封装管芯的管壳。针对某型号的微波功率晶体管在进行生产筛选的功率老化试验时出现的热失效问题进行分析与讨论,最终确定器件管壳内用于烧结管芯的氧化铍(BeO)... 微波功率晶体管是微波功率放大器中的核心器件,其热性能在很大程度上决定于封装管芯的管壳。针对某型号的微波功率晶体管在进行生产筛选的功率老化试验时出现的热失效问题进行分析与讨论,最终确定器件管壳内用于烧结管芯的氧化铍(BeO)上的多层金属化层存在质量缺陷,使管芯到BeO的热阻增大,因此出现了老化时部分器件失效现象。提出了预防措施,既可避免损失,也能保证微波功率晶体管在使用中的可靠性。 展开更多

关键词 微波功率晶体管 热失效 热阻 剪切力

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微波功率晶体管的金属气密封装

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作者 张德骏 苗庆海 +2 位作者 曹红 张兴华 刘汝军 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2004年第5期86-88,共3页

提出了晶体管自身组态与电路组态匹配的思想,介绍了一种微波功率晶体管的金属气密封装——选极F型封装技术。还介绍了1.5GHz和2.0GHz选极F型封装微波功率晶体管的技术指标和功能特征。

关键词 微波功率晶体管 金属气密封装 组态匹配 选极F型封装技术 技术指标 功能特征

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S波段硅微波功率晶体管的加速寿命试验

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作者 童亮 彭浩 +1 位作者 高金环 黄杰 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第4期321-325,共5页

为了在尽量短的时间内对S波段硅微波功率晶体管的长期可靠性进行研究,依据温度应力阿列尼乌斯(Arrhenius)模型,进行了两种S波段硅微波功率晶体管的可靠性寿命评价试验。试验采用步进应力加速寿命试验摸底,找出了最高试验应力水平,并根... 为了在尽量短的时间内对S波段硅微波功率晶体管的长期可靠性进行研究,依据温度应力阿列尼乌斯(Arrhenius)模型,进行了两种S波段硅微波功率晶体管的可靠性寿命评价试验。试验采用步进应力加速寿命试验摸底,找出了最高试验应力水平,并根据摸底结果分别进行了3组恒定应力加速寿命试验,最高试验壳温分别为250℃和220℃,大幅度提高了温度应力,加快了试验速度。试验全程采用数据采集卡实施实时监测,并对失效样品进行了失效分析,最大程度地保证了试验数据的准确性。通过对试验结果的统计分析,推算出了两种S波段硅微波功率晶体管的平均寿命。 展开更多

关键词 硅微波功率晶体管 加速寿命试验 阿列尼乌斯模型 可靠性 S波段

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微波功率晶体管放大器匹配电路的设计 被引量：4

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作者 郭潇菲 刘凤莲 王传敏 《微波学报》 CSCD 北大核心 2009年第5期67-69,共3页

对微波功率晶体管放大器的阻抗匹配电路提出了一种有效且简便的设计方法。着重分析了多节并联导纳匹配与ADS软件仿真相结合的设计方法的全过程,并对S波段功率晶体管的输出匹配电路进行了分析和计算,取得了较好的效果。根据本文方法,制... 对微波功率晶体管放大器的阻抗匹配电路提出了一种有效且简便的设计方法。着重分析了多节并联导纳匹配与ADS软件仿真相结合的设计方法的全过程,并对S波段功率晶体管的输出匹配电路进行了分析和计算,取得了较好的效果。根据本文方法,制作了某功率晶体管的放大测试电路并进行测试,其输出功率及效率均优于晶体管手册给出的典型值。 展开更多

关键词 微波功率晶体管放大器 匹配 多节并联导纳匹配法

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SiGe异质结微波功率晶体管 被引量：2

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作者 王哲 亢宝位 +2 位作者 肖波 吴郁 程序 《微波学报》 CSCD 北大核心 2002年第4期84-89,共6页

本文述评了SiGe异质结微波功率晶体管的特性、结构、工艺及研究进展。

关键词 SIGE 异质结双极晶体管 微波功率双极晶体管

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千瓦级硅LDMOS微波功率晶体管关键技术研究

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作者 黄乐旭 应贤炜 +3 位作者 梅海 丁晓明 杨建 王佃利 《现代雷达》 CSCD 北大核心 2019年第9期76-82,共7页

针对雷达、通信、遥控遥测等领域对硅横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)微波大功率管的迫切需求,开展了硅LDMOS微波功率晶体管的亚微米精细栅制作、低阻低应力钴硅合金、大尺寸芯片烧结及金属陶瓷全密封管壳平整度控制等关键技术研究,并... 针对雷达、通信、遥控遥测等领域对硅横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)微波大功率管的迫切需求,开展了硅LDMOS微波功率晶体管的亚微米精细栅制作、低阻低应力钴硅合金、大尺寸芯片烧结及金属陶瓷全密封管壳平整度控制等关键技术研究,并取得了突破,研制出2 000 W硅LDMOS微波功率晶体管,漏源击穿耐压大于140 V,结到管壳热阻0.19℃/W。在50 V工作电压、230 MHz工作频率、脉宽为100μs、占空比为20%、输入功率为6 W的测试条件下,实现输出功率达到1 330 W,增益23.5 dB,漏极效率74.4%,电压驻波比10∶1。该晶体管已实现工程应用。 展开更多

关键词 硅横向扩散金属氧化物半导体 千瓦级 微波功率晶体管

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干法腐蚀在硅微波功率晶体管研制中的应用

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作者 张大立 潘宏菽 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2004年第5期75-77,共3页

干法腐蚀与传统的湿法腐蚀相比,具有明显的各向异性,并且具有较好的可重复性、可控性及在硅片加工中易实现连续生产等优点,已成为目前硅微波功率晶体管研制和生产的关键技术。本文对目前干法腐蚀在硅微波大功率晶体管中的应用进行了分析... 干法腐蚀与传统的湿法腐蚀相比,具有明显的各向异性,并且具有较好的可重复性、可控性及在硅片加工中易实现连续生产等优点,已成为目前硅微波功率晶体管研制和生产的关键技术。本文对目前干法腐蚀在硅微波大功率晶体管中的应用进行了分析,指出随着硅微波功率晶体管工作频率的不断提高,对高性能各向异性的干法腐蚀技术要求也更加迫切。 展开更多

关键词 干法腐蚀 硅 微波功率晶体管 各向异性 工作频率 半导体工艺

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L波段Si微波脉冲功率晶体管射频加速寿命试验 被引量：4

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作者 黄雒光 董四华 +1 位作者 刘英坤 郎秀兰 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第5期494-497,共4页

Si微波功率器件应用十分广泛,其可靠性直接影响使用设备的性能。以L波段Si微波脉冲功率晶体管为例,提出了一种基于Arrhenius模型的Si微波功率晶体管可靠性寿命评价方案。采用L波段Si微波脉冲功率晶体管在射频脉冲工作条件下(f=1.3GHz,Pi... Si微波功率器件应用十分广泛,其可靠性直接影响使用设备的性能。以L波段Si微波脉冲功率晶体管为例,提出了一种基于Arrhenius模型的Si微波功率晶体管可靠性寿命评价方案。采用L波段Si微波脉冲功率晶体管在射频脉冲工作条件下(f=1.3GHz,Pin=40W,TW=150μs,D=10%)进行了壳温为200℃的高温加速老化试验,应用Arrhenius模型对试验结果进行了分析和计算。推导得出了L波段Si微波脉冲功率晶体管在室温(25℃)工作条件下的平均寿命为6.2×106h。 展开更多

关键词 硅微波脉冲功率晶体管 加速老化 可靠性 寿命试验 Arrhenius模型

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高性能S波段Si微波脉冲功率晶体管研制

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作者 邓建国 刘英坤 +5 位作者 张鸿亮 潘茹 马红梅 李明月 胡顺欣 崔现锋 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第6期477-479,共3页

采用等平面自对准工艺技术研制成功的一种高增益、高效率和高可靠的S波段Si微波脉冲功率晶体管，该器件在fo为3.1-3.4 GHz、Vcc=32 V、PW=500μs、D=10%条件下共基极C类工作，宽带输出功率大于50 W，增益大于7.4 dB，效率大于36%；在Vcc... 采用等平面自对准工艺技术研制成功的一种高增益、高效率和高可靠的S波段Si微波脉冲功率晶体管，该器件在fo为3.1-3.4 GHz、Vcc=32 V、PW=500μs、D=10%条件下共基极C类工作，宽带输出功率大于50 W，增益大于7.4 dB，效率大于36%；在Vcc=36 V时，宽带输出功率大于64 W，增益大于8.5 dB，效率大于36%，抗驻波失配能力达到3∶1不烧毁，表现出了良好的微波性能和高的可靠性。 展开更多

关键词 硅 等平面自对准工艺 微波脉冲功率晶体管

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使用SEM分析GaAs MMIC制作中的通孔工艺问题

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作者 刘立浩 杨瑞霞 +2 位作者 王同祥 张雄文 周瑞 《电子显微学报》 CAS CSCD 北大核心 2002年第5期788-789,共2页

关键词 SEM GAASMMIC 通孔工艺 制造工艺 背面通孔 扫描电镜 砷化镓微波功率场效应晶体管

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外刊题录

11

《半导体技术》 CAS 1985年第2期63-64,共2页

1.GaAs-GaAlAs异质结构中电子迁移率与温度的关系Appl.Phys.Lett.、Vol.45,No.2,P.294,1984.72.半导体器件失效分析—理论、方法和实践Microelectron.J.,Vol.15,No.1,P.5,1984.1-23.双极功率器件(晶体管)Microelectron.Reliab,Vol.24,No... 1.GaAs-GaAlAs异质结构中电子迁移率与温度的关系Appl.Phys.Lett.、Vol.45,No.2,P.294,1984.72.半导体器件失效分析—理论、方法和实践Microelectron.J.,Vol.15,No.1,P.5,1984.1-23.双极功率器件(晶体管)Microelectron.Reliab,Vol.24,No.2,P.313,19844.新型硅微波功率晶体管可靠性大大提高Microw.RF,Vol.27,No.7,P.71,1984.75.大功率半导体器件采用ⅡA型金钢石作散热器提高了输出功率Microw.RF,Vol.27,No.7,P.74,1984. 展开更多

关键词 GaAs 异质结双极晶体管 异质结构 微波功率晶体管 大功率半导体器件 CVD 题录 检索工具 外刊 美国防部

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