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金刚石微波功率场效应晶体管 被引量:1
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作者 郁鑫鑫 周建军 +3 位作者 齐成军 曹正义 孔月婵 陈堂胜 《固体电子学研究与进展》 CSCD 北大核心 2017年第6期F0003-F0003,共1页
金刚石材料具有高热导率、高击穿场强、高硬度等众多的优异特性,在机械加工、光学系统、核探测器、声表器件、电力电子器件及大功率微波器件等众多领域具有重要的应用价值。由于现实及潜在的巨大军事、经济和技术价值,金刚石材料已经... 金刚石材料具有高热导率、高击穿场强、高硬度等众多的优异特性,在机械加工、光学系统、核探测器、声表器件、电力电子器件及大功率微波器件等众多领域具有重要的应用价值。由于现实及潜在的巨大军事、经济和技术价值,金刚石材料已经成为21世纪的战略材料之一。 展开更多
关键词 功率微波器件 金刚石材料 功率场效应晶体管 电力电子器件 高热导率 击穿场强 机械加工 光学系统
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微波功率场效应晶体管放大器的实验研究
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作者 李国金 《雷达与对抗》 1991年第1期4-11,共8页
本文阐述了微波功率场效应晶体管(FET)放大器的设计基础──动态阻抗测量法和S参数测量法。输入榆出匹配电路是采用电感输入型低通滤波阻抗变换器;介绍了FET功率放大器(以下简称功效)的调试要点、保护电路和消除寄生振荡的方法;最后给... 本文阐述了微波功率场效应晶体管(FET)放大器的设计基础──动态阻抗测量法和S参数测量法。输入榆出匹配电路是采用电感输入型低通滤波阻抗变换器;介绍了FET功率放大器(以下简称功效)的调试要点、保护电路和消除寄生振荡的方法;最后给出国产BD4001型FET的设计实例。用微带工艺在30×50×1mm陶瓷基片上制作的E波段功放,获得了与计算结果吻合的实验数据,并已作为FET功放的第一级运用于某型雷达,获得了良好的结果。 展开更多
关键词 微波 场效应 晶体管 放大器
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微波GaAs功率场效应晶体管稳态温度场的数值模拟 被引量:1
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作者 袁泽亮 范垂祯 《真空与低温》 1994年第3期156-161,共6页
根据微波功率GaAs功率场效应晶体管芯片结构特点建立热模型,用有限元法对模型数值求解得到芯片稳态温度分布。分析了影响芯片表面沟道温度的诸因素:功耗、芯片周围环境温度、GaAs材热导率、芯片厚度、芯片热源分布及其跨导。
关键词 微波 GAAS FET 场效应晶体管 稳态温度场
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微波GaAs功率场效应晶体管烧毁机理的研究:Ⅱ.射频烧毁
4
作者 袁泽亮 范垂祯 《真空与低温》 1994年第4期187-190,共4页
采用扫描电镜(SEM)和扫描俄歇微探针(SAM)对国内研制开发的微波GaAs功率FET芯片在射频测试中的烧毁进行了分析研究。探讨其烧毁机理及物理过程。
关键词 微波 砷化镓 功率场效应 晶体管 射频烧毁
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C波段GaAs功率场效应晶体管可靠性快速评价技术 被引量:5
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作者 徐立生 何建华 +1 位作者 苏文华 齐俊臣 《半导体情报》 1995年第1期24-29,60,共7页
叙述了一种快速评价GaAs微波功率场效应晶体管的方法——高温加速寿命试验,利用该方法对C波段GaAs功率场效应晶体管DX0011进行可靠性评估。在偏置V_(DS)=8V,I_(DS)=375mA,沟道温度Tch=11... 叙述了一种快速评价GaAs微波功率场效应晶体管的方法——高温加速寿命试验,利用该方法对C波段GaAs功率场效应晶体管DX0011进行可靠性评估。在偏置V_(DS)=8V,I_(DS)=375mA,沟道温度Tch=110℃,10年的失效率λ≈27FIT。其主要失效模式是I_(DSS)退化,激活能E=1.28eV。 展开更多
关键词 微波功率场效应晶体管 加速寿命试验 可靠性 C波段 砷化镓
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微波GaAs功率场效应晶体管烧毁机理的研究:Ⅰ.直流烧毁
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作者 袁泽亮 范垂祯 《真空与低温》 1994年第3期128-132,共5页
用扫描电镜(SEM)和扫描俄歇微探针(SAM)对国内研制开发的微波GaAs功率FET芯片在测试中的直流烧毁进行了分析研究,探讨了直流烧毁机理及物理过程。
关键词 直流烧毁 微波 GAAS 半导体器件 场效应晶体管
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S频段大功率振荡用砷化镓场效应晶体管的微波性能
7
作者 王福臣 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1992年第4期293-299,共7页
对WC76型S频段大功率振荡用砷化镓场效应晶体管的微波性能作了介绍。文中给出了测试振荡器的设计。测试结果表明,WC76型振荡管在s频段的微波性能良好,振荡频率在3GHz左右时,输出功率可达3.5w,直流—射频转换效率可达44%,而且在2~4GHz... 对WC76型S频段大功率振荡用砷化镓场效应晶体管的微波性能作了介绍。文中给出了测试振荡器的设计。测试结果表明,WC76型振荡管在s频段的微波性能良好,振荡频率在3GHz左右时,输出功率可达3.5w,直流—射频转换效率可达44%,而且在2~4GHz的整个S频段均能满意地工作。 展开更多
关键词 砷化镓 场效应晶体管 微波振荡器
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C波段4W砷化镓功率场效应晶体管 被引量:1
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作者 蒋幼泉 陈堂胜 +2 位作者 李祖华 陈克金 盛文伟 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1995年第1期6-10,共5页
介绍了C波段4W砷化镓功率场效应晶体管的设计考虑、器件结构和制作,讨论了所采用的一些新工艺,给出器件性能。在5.3GHZ下,器件1dB压缩点的输出功率≥4W,增益为6.5~7.5dB,功率附加效率≥35%。这种FET... 介绍了C波段4W砷化镓功率场效应晶体管的设计考虑、器件结构和制作,讨论了所采用的一些新工艺,给出器件性能。在5.3GHZ下,器件1dB压缩点的输出功率≥4W,增益为6.5~7.5dB,功率附加效率≥35%。这种FET的多芯片运用具有优良的功率合成效率。 展开更多
关键词 砷化镓 离子注入 功率 场效应晶体管
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高频大功率VDMOS场效应晶体管 被引量:1
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作者 郎秀兰 刘英坤 王占利 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2001年第1期34-36,共3页
采用Mo栅工艺技术和n沟道增强型VDMOS结构,研制出了在95-105MHz,脉宽Pw=50us,占空.比DF=5%的条件下,输出功率Po≥600W,共源结构输出功率达600 W的高性能VDMOSFET。
关键词 场效应晶体管 高频 功率 VDMOSFET
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12 GHz GaAs/InGaAs异质结双栅功率场效应晶体管 被引量:1
10
作者 王玉林 吴仲华 +1 位作者 徐中仓 陈效建 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1997年第2期110-113,共4页
报道了GaAs/InGaAs异质结双杨功率场效应晶体管的设计考虑、器件结构和制作,讨论了所采用的一些关键工艺,给出了器件性能。在12GHz下,最大输出功率≥130mW,增益≥12dB,功率附加效率≥30%。
关键词 异质结 双栅功率 场效应晶体管
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功率场效应晶体管的保护方法 被引量:1
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作者 康伟 《辽宁工学院学报》 2001年第2期27-28,共2页
分析了开关电源中功率场效应晶种管损坏的主要原因 。
关键词 瞬态共同导通 寄生振荡 动态不平衡 功率场效应晶体管
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C频段内匹配砷化镓功率场效应晶体管
12
作者 王福臣 陈克金 林金庭 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1996年第2期89-93,共5页
采用离子注入、多层欧姆接触金属结构、干法刻蚀、г形栅、空气桥、通孔接地和电镀热沉等先进技术,在直径50mmGaAs片上制作了总栅宽为9.6mm的功率场效应晶体管芯片。用4枚这种芯片并联,在其输入端和输出端分别加入内匹... 采用离子注入、多层欧姆接触金属结构、干法刻蚀、г形栅、空气桥、通孔接地和电镀热沉等先进技术,在直径50mmGaAs片上制作了总栅宽为9.6mm的功率场效应晶体管芯片。用4枚这种芯片并联,在其输入端和输出端分别加入内匹配电路,制成了C频段内匹配功率场效应晶体管。在大于500MHz的带宽内,1dB增益压缩输出功率达18W,1dB压缩增益为8.3dB,功率附加效率达30%。 展开更多
关键词 内匹配 砷化镓 功率 场效应晶体管
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微波晶体管、场效应管管芯的不等波纹函数型阻抗匹配网络 被引量:2
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作者 李壮 甘仲民 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第8期55-58,共4页
本文给出对RC串联型 ,并联型负载的不等波纹函数型阻抗匹配网络的综合方法 .以HFET 10 0 0管芯为例 ,用不等波纹函数型综合与补偿方法得到的 6 12GHz的输入输出阻抗匹配网络与传统的切比雪夫型相比 ,所用的L ,C元件数不足后者的一半且... 本文给出对RC串联型 ,并联型负载的不等波纹函数型阻抗匹配网络的综合方法 .以HFET 10 0 0管芯为例 ,用不等波纹函数型综合与补偿方法得到的 6 12GHz的输入输出阻抗匹配网络与传统的切比雪夫型相比 ,所用的L ,C元件数不足后者的一半且其增益。 展开更多
关键词 阻抗匹配网络 场效应管理管芯 微波晶体管
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汽车零部件感应加热淬火设备知识讲座(九)  大功率场效应晶体管(MOSFET)淬火设备
14
作者 杨连弟 《汽车工艺与材料》 2007年第9期53-56,共4页
1 装置组成 图1是GH公司成套双频感应加热淬火装置结构简图。
关键词 功率场效应晶体管 感应加热 淬火设备 汽车零部件 知识讲座 装置组成 结构简图 淬火装置
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不同频率高功率微波对高电子迁移率晶体管的损伤效应 被引量:2
15
作者 薛沛雯 方进勇 +1 位作者 李志鹏 孙静 《电子设计工程》 2017年第19期114-117,共4页
针对典型的Ga As高电子迁移率晶体管(HEMT),研究了不同频率高功率微波从栅极注入HEMT后的影响。利用半导体仿真软件Sentaurus-TCAD建立了HEMT器件二维电热模型,考虑了高电场下的载流子迁移率退化和载流子雪崩产生效应,通过分析器件内部... 针对典型的Ga As高电子迁移率晶体管(HEMT),研究了不同频率高功率微波从栅极注入HEMT后的影响。利用半导体仿真软件Sentaurus-TCAD建立了HEMT器件二维电热模型,考虑了高电场下的载流子迁移率退化和载流子雪崩产生效应,通过分析器件内部电场强度,电流密度,温度分布随信号作用时间的变化来探索其损伤过程及机理,获得了其在不同频率高功率微波作用下的烧毁时间,烧毁位置处的电场强度,电流密度以及温度的变化。研究结果表明,随着注入HPM频率的增大,烧毁时间不断减小,烧毁部位在栅极下方靠源侧,电场强度在栅极靠源侧以及漏侧出现峰值,并随频率增大而增大,电流密度随着频率的增大,先增大后减小,在6 GHz达到最大值,器件的烧毁点在栅极靠源侧,随着频率的增加,发热区逐渐缩小,在6 GHz烧毁点温度达到1 670 K。 展开更多
关键词 高电子迁移率晶体管 功率微波 频率 损伤效应
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硅基单片式复合晶体管的结构参数对高功率微波损伤效应的影响(英文) 被引量:1
16
作者 靳文轩 柴长春 +2 位作者 刘彧千 吴涵 杨银堂 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第10期112-120,共9页
建立了三种不同结构的硅基单片式复合晶体管(由T1和T2两个晶体管构成)的二维电热模型,研究了高功率微波对不同结构的硅基单片式复合晶体管的损伤效应的影响。获得了不同器件结构下导致复合晶体管损伤的损伤功率阈值和损伤能量阈值分别... 建立了三种不同结构的硅基单片式复合晶体管(由T1和T2两个晶体管构成)的二维电热模型,研究了高功率微波对不同结构的硅基单片式复合晶体管的损伤效应的影响。获得了不同器件结构下导致复合晶体管损伤的损伤功率阈值和损伤能量阈值分别与脉宽的关系。结果表明,当复合晶体管的总体尺寸不变而T2和T1晶体管的面积比值更大时需要更多的功率和能量来损伤器件。通过分析器件内部电场、电流密度和温度分布的变化,得到了复合晶体管的结构对其微波损伤效应的影响规律。对比发现,三种结构的复合晶体管的损伤点均位于T2管的发射极附近,随着T2和T1晶体管面积比的增大,电场、电流密度和温度在器件内部的分布将变得更加分散。此外,在发射极处增加外接电阻R e,研究表明损伤时间随发射极电阻的增大而增加。因此可以得出结论,适当改变器件结构或增加外接元件可以增强器件的抗微波损伤能力。晶体管的仿真毁伤点与实验结果一致。 展开更多
关键词 单片式复合晶体管 功率微波 器件结构 外加元件
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垂直氮化镓鳍式功率场效应晶体管优化设计 被引量:1
17
作者 杨嘉颖 利健 +3 位作者 黄昊 郑子阳 吴健华 贺威 《固体电子学研究与进展》 CAS 北大核心 2021年第5期359-364,共6页
主要研究了垂直氮化镓鳍式功率场效应晶体管的器件特性。利用理论计算和器件模拟,系统地设计和优化了n型氮化镓漂移层的掺杂浓度和厚度以及鳍宽度的参数,使得击穿电压和导通电阻达到最佳的折衷。经过最终优化后,当n型氮化镓漂移层的掺... 主要研究了垂直氮化镓鳍式功率场效应晶体管的器件特性。利用理论计算和器件模拟,系统地设计和优化了n型氮化镓漂移层的掺杂浓度和厚度以及鳍宽度的参数,使得击穿电压和导通电阻达到最佳的折衷。经过最终优化后,当n型氮化镓漂移层的掺杂浓度、漂移层的厚度、鳍宽度分别为5×10^(15)cm^(-3)、10μm、0.2μm时,得到高击穿电压为1150 V、低导通电阻为1.01 mΩ·cm^(2)、高Baliga优值为1.31 GW/cm^(2)。结果表明,通过本文方法优化的垂直氮化镓鳍式功率场效应晶体管可用于大功率和高压场合。 展开更多
关键词 氮化镓 鳍式功率场效应晶体管 击穿电压 导通电阻 Baliga优值
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通信卫星用GaAs微波场效应晶体管可靠性快速评价技术 被引量:2
18
作者 徐立生 马素芝 何建华 《半导体情报》 1999年第6期53-55,共3页
叙述了一种快速评价GaAs微波功率场效应晶体管可靠性的方法, 利用该方法对GaAs微波功率场效应晶体管CX562
关键词 微波 场效应晶体管 可靠性 通信卫星 砷化镓
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微波GaAs场效应晶体管静电失效的机理及提高其抗静电的措施 被引量:1
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作者 刘庆祥 张俊杰 段淑兰 《电子产品可靠性与环境试验》 1996年第6期17-19,共3页
本文对微波小功率GaAs场效应晶体管的静电失效机理进行了分析.文中对两种静电失效模式(电压型强电场失效和功率型大电流失效)分别进行了分析和阐述.针对GaAs场效应晶体管的失效机理提出了改进措施.
关键词 微波半导体器件 砷化镓 场效应晶体管 静电
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大功率射频Si-VDMOS功率晶体管研制
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作者 刘洪军 王琪 +2 位作者 赵杨杨 王佃利 杨勇 《现代雷达》 CSCD 北大核心 2024年第5期70-74,共5页
介绍了大功率射频硅-垂直双扩散金属氧化物场效应晶体管(Si-VDMOS)的研制结果,采用栅分离降低反馈电容技术、多子胞降低源极电感技术等,从芯片原理着手,比较分析两种芯片结构设计对反馈电容的影响,以及两种布局引线对源极电感的影响,并... 介绍了大功率射频硅-垂直双扩散金属氧化物场效应晶体管(Si-VDMOS)的研制结果,采用栅分离降低反馈电容技术、多子胞降低源极电感技术等,从芯片原理着手,比较分析两种芯片结构设计对反馈电容的影响,以及两种布局引线对源极电感的影响,并研制出了百瓦级以上大功率射频Si-VDMOS功率晶体管系列产品。产品主要性能如下:在工作电压28 V及连续波下,采用8胞合成时,225 MHz输出功率达200 W以上,500 MHz输出功率达150 W以上;进一步增加子胞数量,采用12胞合成时,225 MHz输出功率达300 W以上,同时具备良好的增益及效率特性,与国外大功率射频Si-VDMOS功率晶体管的产品参数相比,达到了同类产品水平。 展开更多
关键词 功率 硅-垂直双扩散金属氧化物场效应晶体管 射频功率晶体管 反馈电容 源极电感
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