固态微波功率器件测试方法研究 被引量：2

1

作者 王文娟 项道才 胡菊萍 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第12期974-978,共5页

固态微波功率器件由于其大功率、高频率、宽频带的特性,使其微波电参数的测试成为一大难点,特别是对非同轴、无内匹配的功率器件而言,微波参数的测量难度更大。介绍了固态微波功率器件测试的整体方案,针对某款SiC器件的尺寸及特性,设计... 固态微波功率器件由于其大功率、高频率、宽频带的特性,使其微波电参数的测试成为一大难点,特别是对非同轴、无内匹配的功率器件而言,微波参数的测量难度更大。介绍了固态微波功率器件测试的整体方案,针对某款SiC器件的尺寸及特性,设计制作了相应的测试夹具及校准件,利用矢量网络分析仪及阻抗调谐器搭建测试平台,通过负载牵引技术调整输入输出阻抗,并通过TRL校准技术消除夹具引入的误差,将被测端面移动到被测件的两端,得到被测器件的真实特性。经实验验证,在器件工作频率范围内测试系统的阻抗都能达到良好匹配,并得到被测器件的最佳性能指标。 展开更多

关键词 微波功率器件 测试夹具 校准件 负载牵引系统 去嵌入

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微波功率器件及其材料的发展和应用前景 被引量：1

2

作者 文剑 曾健平 晏敏 《材料导报》 EI CAS CSCD 2004年第2期33-37,共5页

介绍了微波功率器件的发展和前景,对HBT,MESFET和HEMT微波功率器件材料的特点和选取,以及器件的特性和设计做了分类说明。着重介绍了SiGe合金、InPSiC、GaN等新型微波功率器件材料。并对目前各种器件的最新进展和我国微波功率器件的研... 介绍了微波功率器件的发展和前景,对HBT,MESFET和HEMT微波功率器件材料的特点和选取,以及器件的特性和设计做了分类说明。着重介绍了SiGe合金、InPSiC、GaN等新型微波功率器件材料。并对目前各种器件的最新进展和我国微波功率器件的研制现状及与国外的差距做了概述与展望。 展开更多

关键词 微波功率器件 化合物半导体 电磁波 晶体管 二极管

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微波功率器件及其电路 被引量：2

3

作者 党冀萍 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1994年第4期17-20,48,共5页

简要地介绍了国内外微波功率器件及其电路的发展现状，分析了在微波功率方面与国外的差距，并指出了造成目前差距的原因所在，对以后我国在微波功率方面的发展提出了建议。

关键词 微波功率器件 电路

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微波功率器件动态试验系统 被引量：2

4

作者 来萍 张晓明 +3 位作者 荣炳麟 冯敬东 范国华 金毓铨 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第5期451-454,共4页

为开展微波功率器件动态加速寿命试验,建立了一套由计算机实时监测的微波动态试验系统。采用微带电路剥离以及加热部件与其他电路的隔热连接等方法,实现了对每个器件进行独立的内腔式加热,从而单独提高受试器件环境温度,保证了高温应力... 为开展微波功率器件动态加速寿命试验,建立了一套由计算机实时监测的微波动态试验系统。采用微带电路剥离以及加热部件与其他电路的隔热连接等方法,实现了对每个器件进行独立的内腔式加热,从而单独提高受试器件环境温度,保证了高温应力下微波动态电路的稳定性和可靠性。同时编制了计算机程序软件,解决了参数校准、参数提取等方面存在的误差修正及提高测试精度等技术问题,实现了对试验过程的实时监测和数据的完整保存。 展开更多

关键词 微波功率器件 动态 试验系统

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高功率微波器件均衡网络的设计、应用与理论分析 被引量：3

5

作者 吕昌 皇甫秀斌 任菁圃 《高技术通讯》 EI CAS CSCD 2003年第3期17-20,共4页

针对高功率微波器件工作频带内增益波纹大的问题 ,结合不同用户的需求和具体器件 ,设计制作了多个吸收型同轴谐振腔在同轴传输线上多级级联型的均衡网络 ,并作出谐振腔内电磁场的理论分析。最佳均衡效果为对一高功率行波管在Ku 波段30 0... 针对高功率微波器件工作频带内增益波纹大的问题 ,结合不同用户的需求和具体器件 ,设计制作了多个吸收型同轴谐振腔在同轴传输线上多级级联型的均衡网络 ,并作出谐振腔内电磁场的理论分析。最佳均衡效果为对一高功率行波管在Ku 波段30 0MHz带宽内 ,将 12dB的增益波纹均衡至 0 35dB。 展开更多

关键词 设计 理论分析 高功率微波器件 均衡网络 吸收型同轴谐振腔 增益波纹

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微波功率GaAsMESFET小信号等效电路的研究 被引量：2

6

作者 顾聪 刘佑宝 《微波学报》 CSCD 北大核心 2000年第4期399-406,共8页

提出了计算功率 Ga As MESFET小信号模型参数的一些改进方法 ,包括计算 Hesse矩阵本征值和本征向量 ,确定各元件对总误差的敏感度、目标函数的优化顺序和优化方向 ,以及稳定的计算方法 ,计算结果与器件的测量值吻合。

关键词 微波功率器件 目标函数 参数提取 小信号模型

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TEOS LPCVD技术在SiC功率器件工艺中的应用

7

作者 胡玲 杨霏 +1 位作者 商庆杰 潘宏菽 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2011年第6期439-442,共4页

应用正硅酸乙酯(TEOS)LPCVD技术实现二氧化硅在SiC晶片表面的淀积,在一定程度上弥补了SiC氧化层过薄和PECVD二氧化硅层过于疏松的弊端。采用TEOS LPCVD技术与高温氧化技术的合理运用,既保证了氧化层介质的致密性和与SiC晶片的粘附能力,... 应用正硅酸乙酯(TEOS)LPCVD技术实现二氧化硅在SiC晶片表面的淀积,在一定程度上弥补了SiC氧化层过薄和PECVD二氧化硅层过于疏松的弊端。采用TEOS LPCVD技术与高温氧化技术的合理运用,既保证了氧化层介质的致密性和与SiC晶片的粘附能力,又提高了器件的电性能和成品率,同时避免了为获得一定厚度氧化层长时间高温氧化的不足。采用此技术后,SiC芯片的直流成品率得到提高,微波功率器件的对比流片结果显示微波性能也得到了明显的提升,功率增益比原工艺提高了1.5 dB左右,功率附加效率提升了近10%。 展开更多

关键词 低压化学气相淀积 正硅酸乙酯 碳化硅 微波功率器件 二氧化硅

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第四届全国新型半导体功率器件及应用技术研讨会通知

8

《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2018年第10期728-728,共1页

一、征文范围1.宽禁带（Ga N、SiC等）外延材料的结构设计、制备与检测技术; 2.功率器件用GaAs、InP外延材料的结构设计、制备与检测技术; 3.基于金刚石、石墨烯的功率器件的结构设计、加工与测试技术; 4.微波功率器件的结构设计、加工... 一、征文范围1.宽禁带（Ga N、SiC等）外延材料的结构设计、制备与检测技术; 2.功率器件用GaAs、InP外延材料的结构设计、制备与检测技术; 3.基于金刚石、石墨烯的功率器件的结构设计、加工与测试技术; 4.微波功率器件的结构设计、加工与测试技术. 展开更多

关键词 半导体功率器件 技术研讨会 结构设计 应用 微波功率器件 外延材料 检测技术 测试技术

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第四届全国新型半导体功率器件及应用技术研讨会通知

9

《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2018年第9期707-707,共1页

一、征文范围1.宽禁带（GaN、SiC等）外延材料的结构设计、制备与检测技术;2.功率器件用GaAs、InP外延材料的结构设计、制备与检测技术;3.基于金刚石、石墨烯的功率器件的结构设计、加工与测试技术;4.微波功率器件的结构设计、加工与测... 一、征文范围1.宽禁带（GaN、SiC等）外延材料的结构设计、制备与检测技术;2.功率器件用GaAs、InP外延材料的结构设计、制备与检测技术;3.基于金刚石、石墨烯的功率器件的结构设计、加工与测试技术;4.微波功率器件的结构设计、加工与测试技术;5.电力电子器件的结构设计、加工与测试技术. 展开更多

关键词 半导体功率器件 技术研讨会 结构设计 应用 测试技术 微波功率器件 电力电子器件 外延材料

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2015’全国新型半导体功率器件及应用技术研讨会会议通知

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《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2015年第11期879-879,共1页

一、会议组织机构 指导单位：中国半导体行业协会承办单位：中国半导体行业协会分立器件分会专用集成电路重点实验室中国电子科技集团公司第十三研究所协办单位：合肥锐拓科技信息服务有限公司《半导体技术》编辑部《微纳电子技术》编... 一、会议组织机构 指导单位：中国半导体行业协会承办单位：中国半导体行业协会分立器件分会专用集成电路重点实验室中国电子科技集团公司第十三研究所协办单位：合肥锐拓科技信息服务有限公司《半导体技术》编辑部《微纳电子技术》编辑部厦门创新众人会议服务有限公司二、征文范围1.宽禁带（Ga N、SiC等）外延材料的结构设计、制备与检测技术;2.功率器件用Ga As、In P外延材料的结构设计、制备与检测技术;3.基于金刚石、石墨烯的功率器件的结构设计、加工与测试技术;4.微波功率器件的结构设计、加工与测试技术;5.电力电子器件的结构设计、加工与测试技术; 展开更多

关键词 半导体功率器件 结构设计 微波功率器件 微纳电子技术 测试技术 分立器件 协会承办 指导单位 科技信息服务 会议组织机构

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高功率腔体滤波器的电磁-热-力多物理场智能代理模型及快速预测

11

作者 吴雄伟 李竞泽 +9 位作者 游检卫 陈麒丞 谈中宽 胡自信 马宇森 陈龙 彭天健 后俊明 张嘉男 陆卫兵 《电波科学学报》 CSCD 北大核心 2024年第5期878-884,共7页

电磁多物理场计算在模拟高功率微波器件方面至关重要。为了快速且精确地获取高功率腔体滤波器中由电磁引发的多物理场响应,本文构建了一种基于数据驱动的电磁多物理场代理模型。首先利用有限元方法建立腔体滤波器的多物理场响应数据库,... 电磁多物理场计算在模拟高功率微波器件方面至关重要。为了快速且精确地获取高功率腔体滤波器中由电磁引发的多物理场响应,本文构建了一种基于数据驱动的电磁多物理场代理模型。首先利用有限元方法建立腔体滤波器的多物理场响应数据库,随后基于该数据库构建数据驱动的人工神经网络代理模型。结果对比表明:该代理模型能够精确且快速地预测高功率腔体滤波器在不同输入功率下的S参数曲线,预测精度超过98%,预测时间少于0.2 s;相较于传统的电磁多物理场数值计算方法,计算速度提升了3个数量级以上。因此,本文代理模型的快速精确预测能力对新型高功率微波器件的稳定性分析、可靠性评估和优化设计具有重要的理论指导意义和实际工程应用价值。 展开更多

关键词 电磁多物理场 高功率微波器件 数据驱动智能计算 腔体滤波器 代理模型

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宽禁带半导体器件环境适应性验证技术 被引量：1

12

作者 汪邦金 朱华顺 关宏山 《雷达科学与技术》 2011年第5期469-473,478,共6页

应用验证是新型元器件走向实际工程应用必不可少的关键环节。从实际工程应用角度出发,给出了宽禁带半导体(SiC/GaN等)微波功率器件环境适应性验证过程中的验证分级(解决及时发现问题与验证周期、费用矛盾)、验证载体与工程应用统一性设... 应用验证是新型元器件走向实际工程应用必不可少的关键环节。从实际工程应用角度出发,给出了宽禁带半导体(SiC/GaN等)微波功率器件环境适应性验证过程中的验证分级(解决及时发现问题与验证周期、费用矛盾)、验证载体与工程应用统一性设计(器件研制源于工程、用于工程)、验证数据的可对比性设计(验证环节可追溯)方法及相关分析(指导工程设计),为宽禁带半导体微波功率器件的工程化研制提供数据支撑。文中的试验数据和设计思想可作为其他相关工程设计参考。 展开更多

关键词 宽禁带半导体 验证技术 环境适应性 半导体器件 微波功率器件 工程设计 验证过程 相关分析

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微波毫米波单片集成和模块电路国家级重点实验室

13

《微波学报》 CSCD 北大核心 2010年第S2期343-343,共1页

微波毫米波单片集成和模块电路国家级重点实验室依托于中国电子科技集团第55研究所,主任高涛研究员,学术委员会主任委员郑有炓院士。重点实验室位于江苏省南京市,于1999年开始建设,2001年起试运行,2004年起正式运行。

关键词 重点实验室 微波毫米波单片集成电路 模块电路 微波功率器件 国家级 江苏省 研制 宽禁带 数字 原子力显微镜

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微波毫米波单片集成和模块电路国家级重点实验室

14

《微波学报》 CSCD 北大核心 2010年第S1期753-753,共1页

微波毫米波单片集成和模块电路国家级重点实验室依托于中国电子科技集团第55研究所,主任高涛研究员,学术委员会主任委员郑有炓院士。重点实验室位于江苏省南京市,于1999年开始建设。

关键词 重点实验室 微波毫米波单片集成电路 模块电路 国家级 江苏省 中国电子 南京市 学术委员会 微波功率器件 科技集团

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薄界面异质异构晶圆键合技术研究现状及趋势

15

作者 王成君 杨晓东 +6 位作者 张辉 周幸叶 戴家赟 李早阳 段晋胜 乔丽 王广来 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第24期36-49,共14页

半导体产业对国防安全和国民经济发展意义重大,高端半导体装备也是国外对华技术封锁的重点领域。雷达探测、5G通信等领域所用的导体器件对大功率、高频率、高响应等性能要求越来越高,目前该类器件面临界面热阻高、传输损耗大和集成度低... 半导体产业对国防安全和国民经济发展意义重大,高端半导体装备也是国外对华技术封锁的重点领域。雷达探测、5G通信等领域所用的导体器件对大功率、高频率、高响应等性能要求越来越高,目前该类器件面临界面热阻高、传输损耗大和集成度低等技术瓶颈。开展超薄界面异质异构晶圆键合装备研发,大幅度降低键合界面热阻、提高互连密度和键合精度,是解决当前技术瓶颈、提高器件性能的重要途径。但由于核心零部件被国外垄断、设备整机技术攻关难度大,目前尚无成熟的国产异质异构晶圆键合装备,这就严重制约了我国新一代半导体器件的自主创新发展。本文梳理了超薄界面异质异构晶圆键合技术及典型工艺研究现状,并展望了超薄界面异质异构晶圆键合技术发展趋势。 展开更多

关键词 晶圆键合 超薄界面 异质异构 直接键合 金刚石基氮化镓微波功率器件

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AlGaN/GaN HEMT研制及特性分析 被引量：8

16

作者 王冲 郝跃 张进城 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第2期234-236,共3页

以蓝宝石为衬底研制出栅长1μmAlGaN/GaNHEMT.在室温下,测试该器件显示出良好的输出特性和肖特基伏安特性,最大跨导160mS/mm,栅压1V下饱和电流720mA/mm,击穿电压大于50V.分析了几个关键工艺对器件特性的影响,指出较大的欧姆接触电阻(3 1... 以蓝宝石为衬底研制出栅长1μmAlGaN/GaNHEMT.在室温下,测试该器件显示出良好的输出特性和肖特基伏安特性,最大跨导160mS/mm,栅压1V下饱和电流720mA/mm,击穿电压大于50V.分析了几个关键工艺对器件特性的影响,指出较大的欧姆接触电阻(3 19Ω·mm)限制了器件性能进一步提高,需提高肖特基接触的势垒高度. 展开更多

关键词 微波功率器件 ALGAN/GAN 高电子迁移率晶体管

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20W X波段GaN MMIC的研究 被引量：2

17

作者 张志国 王民娟 +5 位作者 冯志红 周瑞 胡志富 宋建博 李静强 蔡树军 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第8期821-821,共1页

关键词 AlGaN/GaN MMIC 微波单片集成电路 X波段 高输出功率 微波功率器件 微带电路 电路形式

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W波段分布作用速调管的研制 被引量：2

18

作者 韦莹 杨继涛 +3 位作者 周军 李冬凤 欧阳佳佳 窦钺 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第10期44-48,共5页

简要介绍了一种W波段分布作用速调管的设计思路、设计方案和模拟结果,并给出了该管的测试结果。该管采用大压缩比圆柱电子枪和永磁聚焦系统,阴极电压17 kV,阴极电流0.78 A;高频系统由5间隙和11间隙(输出腔)的分布作用腔组成,采用长短槽... 简要介绍了一种W波段分布作用速调管的设计思路、设计方案和模拟结果,并给出了该管的测试结果。该管采用大压缩比圆柱电子枪和永磁聚焦系统,阴极电压17 kV,阴极电流0.78 A;高频系统由5间隙和11间隙(输出腔)的分布作用腔组成,采用长短槽梯形结构。样管实现了脉冲输出功率大于2 kW、带宽500 MHz、增益40 dB、工作比5%等指标。 展开更多

关键词 微波功率器件 分布作用速调管 W波段 电子光学系统

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4H-SiC MESFET工艺中的高温氧化及介质淀积技术 被引量：1

19

作者 付兴昌 潘宏菽 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第4期280-283,共4页

采用自主开发的4H-SiC高温氧化技术,并结合低压化学气相淀积方法,在器件表面形成较为致密的氧化层,降低了器件的反向泄漏电流,提高了器件的击穿电压,同时也提高了器件的输出功率及功率增益,为器件长期稳定可靠工作奠定了工艺基础。采用... 采用自主开发的4H-SiC高温氧化技术,并结合低压化学气相淀积方法,在器件表面形成较为致密的氧化层,降低了器件的反向泄漏电流,提高了器件的击穿电压,同时也提高了器件的输出功率及功率增益,为器件长期稳定可靠工作奠定了工艺基础。采用此技术后,单胞20 mm左右栅宽器件在2 GHz脉冲条件下(脉冲宽度300μs,占空比10%)输出功率达78 W,比原工艺的器件输出功率提高了20 W以上,功率增益提高了1.5 dB,达到8.9 dB左右,功率附加效率也从23%提升到32%,初步显示了该工艺技术在制备4H-SiC微波功率器件中的优势。 展开更多

关键词 碳化硅 微波功率器件 氧化 低压化学气相淀积 S波段

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磁绝缘线振荡器的自动优化设计 被引量：8

20

作者 孙会芳 李瀚宇 +3 位作者 姜幼明 董烨 董志伟 周海京 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第4期17-21,共5页

为克服全电磁粒子模拟(PIC)程序不利于优化设计的弱点,提高高功率微波器件的优化设计水平,将遗传算法与全电磁粒子模拟算法有机融合,研制出二维全电磁粒子模拟并行优化程序。据此对高功率微波源器件——两个波段的磁绝缘线振荡器(MILO):... 为克服全电磁粒子模拟(PIC)程序不利于优化设计的弱点,提高高功率微波器件的优化设计水平,将遗传算法与全电磁粒子模拟算法有机融合,研制出二维全电磁粒子模拟并行优化程序。据此对高功率微波源器件——两个波段的磁绝缘线振荡器(MILO):C-MILO和L-MILO进行优化设计。在输入功率不变的条件下,原C-MILO效率为10.8%,经优化后效率为15.4%;原L-MILO效率为12.6%,经优化后效率为17.7%。由此得出,两类MILO模型经优化后在输入功率基本不变的情况下输出功率和效率都有很大程度的提高,且模型几何参数合理,物理图像正确。 展开更多

关键词 遗传算法 PIC程序 高功率微波器件 磁绝缘线振荡器 优化设计

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