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SiGe异质结微波功率晶体管
被引量：
2
1
作者
王哲
亢宝位
+2 位作者
肖波
吴郁
程序
《微波学报》
CSCD
北大核心
2002年第4期84-89,共6页
本文述评了SiGe异质结微波功率晶体管的特性、结构、工艺及研究进展。
关键词
SIGE
异质结
双
极
晶体管
微波功率双极晶体管
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
SiGe异质结微波功率晶体管
被引量：
2
1
作者
王哲
亢宝位
肖波
吴郁
程序
机构
北京工业大学电子与信息工程学院
出处
《微波学报》
CSCD
北大核心
2002年第4期84-89,共6页
基金
北京市自然科学基金资助项目
文摘
本文述评了SiGe异质结微波功率晶体管的特性、结构、工艺及研究进展。
关键词
SIGE
异质结
双
极
晶体管
微波功率双极晶体管
Keywords
SiGe heterojunction bipolar transistor, Microwave power bipolar transistor
分类号
TN32 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
SiGe异质结微波功率晶体管
王哲
亢宝位
肖波
吴郁
程序
《微波学报》
CSCD
北大核心
2002
2
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职称材料
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