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钛酸钙镁微波介质陶瓷的低温烧结及介电性能
1
作者 林玮 刘政 +1 位作者 王一巍 匡健磊 《材料工程》 北大核心 2025年第5期145-151,共7页
采用TiO_(2)、CaCO_(3)、Mg(OH)_(2)为原料,通过高温固相法合成了钛酸钙镁(0.95MgTiO_(3)-0.05CaTiO_(3))粉体,并基于相图设计制备了Li_(2)B_(4)O_(7)-Al_(2)O_(3)低熔点烧结助剂,在此基础上实现钛酸钙镁微波介质陶瓷的低温烧结制备。... 采用TiO_(2)、CaCO_(3)、Mg(OH)_(2)为原料,通过高温固相法合成了钛酸钙镁(0.95MgTiO_(3)-0.05CaTiO_(3))粉体,并基于相图设计制备了Li_(2)B_(4)O_(7)-Al_(2)O_(3)低熔点烧结助剂,在此基础上实现钛酸钙镁微波介质陶瓷的低温烧结制备。研究了合成温度(900~1100℃)对钛酸钙镁粉体物相组成的影响,以及烧结温度(1175~1250℃)、烧结助剂添加量(1%~5%,质量分数,下同)对钛酸钙镁陶瓷密度、微观结构、介电常数、品质因数和频率温度系数等的影响规律。结果表明,当反应温度为1100℃时,可制备高纯度的0.95MgTiO_(3)-0.05CaTiO_(3)陶瓷粉体;烧结助剂的引入有效降低陶瓷的烧结温度,但过高(5%)的添加量反而导致密度和介电性能下降;当助剂添加比例为3%且烧结温度为1225℃时,可获得相对密度为98.70%,介电常数为20.38,品质因数为37240 GHz和频率温度系数为-9.6×10^(-6)℃^(-1)的钛酸钙镁陶瓷材料。 展开更多
关键词 钛酸钙镁 微波介质陶瓷 低温烧结 介电性能 频率温度系数
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Ba(Nd_(1/2)Nb_(1/2))O_(3):一种被低估的K40微波介质陶瓷
2
作者 何国强 张恺恒 +9 位作者 王震涛 包健 席兆琛 方振 王昌昊 王威 王鑫 姜佳沛 李祥坤 周迪 《无机材料学报》 北大核心 2025年第6期639-646,共8页
微波介质陶瓷是电子通信领域中不可或缺的材料,尤其是在高频通信领域。因其独特的介电特性,如高相对介电常数εr、低介质损耗和接近零的谐振频率温度系数τ_(f),而被广泛应用于微波谐振器、滤波器、振荡器等微波元器件中。本研究制备了... 微波介质陶瓷是电子通信领域中不可或缺的材料,尤其是在高频通信领域。因其独特的介电特性,如高相对介电常数εr、低介质损耗和接近零的谐振频率温度系数τ_(f),而被广泛应用于微波谐振器、滤波器、振荡器等微波元器件中。本研究制备了一种具有中介电常数的Ba(Nd_(1/2)Nb_(1/2))O_(3)(BNN)陶瓷,通过X射线衍射(XRD)和Rietveld精修确认其为单斜晶系,空间群为C12/m1。随着烧结温度的升高,陶瓷的密度先增大后减小,其体积密度(ρobs)和相对密度(ρ_(rel))在1550℃烧结时达到最大值,分别为6.32 g/cm^(3)和98%。在1525℃烧结时,陶瓷展现出最佳的微波介电性能:εr=38.44,品质因数Q×f=25400 GHz,τ_(f)=–6×10^(–6)℃^(–1)。值得注意的是,与文献研究报道的11700 GHz相比,本研究制备的BNN陶瓷的Q×f提升了117%,这表明BNN陶瓷的微波介电性能可能因测试方法、原料性质及制备工艺等因素而被低估。此外,利用这种陶瓷材料设计并仿真了一款全介质频率选择表面(Frequency Selective Surface FSS),其相对带宽约为23.3%,显示出优异的选频性能。BNN陶瓷的上述特性不仅显示了其在微波介质陶瓷材料中的潜力,而且其在FSS仿真中的出色表现也进一步被证实是一种被低估的微波介质陶瓷材料。 展开更多
关键词 微波介质陶瓷 中介电常数 复合钙钛矿 频率选择表面
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P-V-L键理论在微波介质陶瓷性能调控中的应用
3
作者 胡智超 杨鸿宇 +3 位作者 杨鸿程 孙成礼 杨俊 李恩竹 《无机材料学报》 北大核心 2025年第6期609-626,共18页
目前通信技术的飞速发展对介质陶瓷滤波器提出了越来越严苛的要求,如何高效设计新的介质材料以推动其发展意义重大。材料结构与性能之间的关系对于微波介质陶瓷的合成与设计至关重要。P-V-L键理论旨在通过计算提供晶体结构参数和基本化... 目前通信技术的飞速发展对介质陶瓷滤波器提出了越来越严苛的要求,如何高效设计新的介质材料以推动其发展意义重大。材料结构与性能之间的关系对于微波介质陶瓷的合成与设计至关重要。P-V-L键理论旨在通过计算提供晶体结构参数和基本化学键特征,例如化学键的键离子性、键共价性、键敏感性、晶格能、键能等,这些参数为微波介质陶瓷的改性设计提供了理论基础和指导。近年来,研究人员致力于将P-V-L键理论运用到众多陶瓷体系中,解释微波介质陶瓷结构与性能之间的关系,并以此理论为基础提出新的改性策略,从而获得优异的微波介电性能。本文详细介绍了P-V-L键理论的基本概念和复杂多晶的二元键合公式,概述了该理论在微波介质陶瓷领域中针对化学键参数和化学键特征的计算方法,同时分析了近年来P-V-L键理论在几类常见微波介质陶瓷体系中的应用。通过P-V-L键理论分析可以提供离子掺杂改性体系中的键特征、结构演变和介电性能,这对于微波介质陶瓷的发展和应用具有重要意义。 展开更多
关键词 微波介质陶瓷 晶体结构 P-V-L键理论 应用 综述
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Rattling效应:一种影响微波介质陶瓷谐振频率温度系数的新机制
4
作者 唐莹 李洁 +4 位作者 相怀成 方维双 林慧兴 杨俊峰 方亮 《无机材料学报》 北大核心 2025年第6期656-666,共11页
微波介质陶瓷是5G/6G通信技术中关键的基础材料,具有高品质因数(Q×f)、低介电常数(εr)以及近零谐振频率温度系数(τ_(f))的材料逐渐成为研究与开发的重点。然而,绝大多数低εr材料往往具有较负的τ_(f)。本研究首先系统概述了影响... 微波介质陶瓷是5G/6G通信技术中关键的基础材料,具有高品质因数(Q×f)、低介电常数(εr)以及近零谐振频率温度系数(τ_(f))的材料逐渐成为研究与开发的重点。然而,绝大多数低εr材料往往具有较负的τ_(f)。本研究首先系统概述了影响τ_(f)的经典机制,包括离子极化率稀释机制、相变机制、晶胞体积机制、氧多面体畸变度、键能与键性以及键价等结构因素。随后,详细介绍了本团队近期在无相变立方正反石榴石体系中观察到的τ_(f)异常变化现象,提出“Rattling”效应是一种影响微波介质陶瓷τ_(f)的新机制。具有高配位数且弱化学键合的“Rattling”阳离子是影响材料整体微波介电极化和损耗的主要因素,它不仅增大离子极化率和εr,还导致τ_(f)正向偏移,同时降低Q×f。该机制在不同材料体系中得到验证与应用。本研究引入了总离子极化偏差的加权函数新概念,用于评估整个分子“Rattling”和“Compressed”效应对εr的影响,并提出了离子极化率温度系数(ταm)新概念,通过定量化计算从而将影响介电常数温度系数(τε)正负和大小的因素简化为εr、ταm和线膨胀系数αL之间的关系。 展开更多
关键词 微波介质陶瓷 Rattling效应 谐振频率温度系数 离子极化率温度系数 影响机制 总离子极化偏差的加权函数
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微波介质陶瓷产业体系发展研究 被引量：3
5
作者 苗洋 杨凯 +5 位作者 赵鹏 杨治华 俞雪勇 段小明 贾德昌 周玉 《中国工程科学》 CSCD 北大核心 2024年第3期34-41,共8页
微波介质陶瓷作为微波电路中的电介质,是现代通信技术中的关键基础材料,广泛应用于通信、导航、雷达、卫星等领域。本文在分析国内外微波介质陶瓷及产业发展现状的基础上,剖析了当前我国微波介质陶瓷发展面临的问题,提出了涵盖发展目标... 微波介质陶瓷作为微波电路中的电介质,是现代通信技术中的关键基础材料,广泛应用于通信、导航、雷达、卫星等领域。本文在分析国内外微波介质陶瓷及产业发展现状的基础上,剖析了当前我国微波介质陶瓷发展面临的问题,提出了涵盖发展目标、发展思路、重点发展方向以及发展路线图的微波介质陶瓷产业体系自立自强发展战略。为促进微波介质陶瓷的发展,实现我国微波介质陶瓷产品由中低端为主向高端型升级转变,突破高性能微波介质陶瓷制备技术及上游高纯原材料的自主化生产技术,建议加强微波介质陶瓷的基础研究和应用研究、强化重点微波通信领域的创新研发、积极布局第六代移动通信用介质陶瓷和加强产业生态建设。 展开更多
关键词 电介质 微波介质陶瓷 微波元件 新型材料
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Nd_(2)O_(3)对(Zr_(0.8),Sn_(0.2))TiO_(4)微波介质陶瓷结构和性能影响
6
作者 江俊俊 赵杨军 +1 位作者 刘杨琼 黎志刚 《中国陶瓷》 CAS CSCD 北大核心 2024年第4期23-28,共6页
以(Zr_(0.8),Sn_(0.2))TiO_(4)为基,通过研究Nd_(2)O_(3)(0~0.20 mol%)掺杂(Zr_(0.8),Sn_(0.2))TiO_(4)微波介质陶瓷对物相结构、形貌和介电性能的影响,发现随着Nd_(2)O_(3)掺杂量的增加,(Zr_(0.8),Sn_(0.2))TiO_(4)介质陶瓷的晶格参数... 以(Zr_(0.8),Sn_(0.2))TiO_(4)为基,通过研究Nd_(2)O_(3)(0~0.20 mol%)掺杂(Zr_(0.8),Sn_(0.2))TiO_(4)微波介质陶瓷对物相结构、形貌和介电性能的影响,发现随着Nd_(2)O_(3)掺杂量的增加,(Zr_(0.8),Sn_(0.2))TiO_(4)介质陶瓷的晶格参数、晶粒尺寸变化微弱,Nd^(3+)几乎不影响(Zr_(0.8),Sn_(0.2))TiO_(4)陶瓷阳离子有序生长,而是在(Zr_(0.8),Sn_(0.2))TiO_(4)介质陶瓷的晶界形成钉扎,通过降低介质外在损耗,有效提高陶瓷材料的Q×f值至45000(@15 GHz),并提高容量温度稳定性。 展开更多
关键词 Nd_(2)O_(3) 微波介质陶瓷 (Zr_(0.8) Sn_(0.2))TiO_(4) Q×f值
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高ε_(r)微波介质陶瓷的结构、介电性质及其研究进展 被引量：55
7
作者 吕文中 张道礼 +3 位作者 黎步银 姜胜林 周东祥 王红玲 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第6期572-576,共5页
讨论了BaO-Ln2O3-TiO2(Ln为镧系稀土元素,下同)、CaO-Li2O-Ln2O2-TiO2、铅基钙钛矿等系列高εr微波介质陶瓷的结构、介电性质,分析了其介电性质随不同A位、B位离子的变化规律。指出A位、B位离子的性质、晶体结构、晶胞大小、材料相组成... 讨论了BaO-Ln2O3-TiO2(Ln为镧系稀土元素,下同)、CaO-Li2O-Ln2O2-TiO2、铅基钙钛矿等系列高εr微波介质陶瓷的结构、介电性质,分析了其介电性质随不同A位、B位离子的变化规律。指出A位、B位离子的性质、晶体结构、晶胞大小、材料相组成等对材料的介电系数εr、品质因数Q、谐振频率温度系数τf有决定性影响,钛氧八面体的存在是材料产生高εr的主要原因。随A位离子半径的增大、B位离子半径的减小,材料的εr升高,Q值降低。传统的极化损耗机制不能完全解释该类材料的介电特性。今后的发展趋势是利用复合效应来得到εr更高、Q值更高、同时温度稳定性良好的高性能材料。 展开更多
关键词 高ε_(r)微波介质陶瓷 介电特性 结构 极化 损耗
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微波介质陶瓷的中低温烧结 被引量：30
8
作者 王宁 赵梅瑜 殷之文 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第5期915-924,共10页
综述了近年来微波介质陶瓷在低温烧结方面的研究进展.为降低微波介质陶瓷的烧结温度,传统的方法是添加氧化物或低熔点玻璃作为烧结助剂、采用化学合成方法和使用超细粉体作为起始原料.另外,发展具有低烧结温度的新的微波介质陶瓷材料体... 综述了近年来微波介质陶瓷在低温烧结方面的研究进展.为降低微波介质陶瓷的烧结温度,传统的方法是添加氧化物或低熔点玻璃作为烧结助剂、采用化学合成方法和使用超细粉体作为起始原料.另外,发展具有低烧结温度的新的微波介质陶瓷材料体系也是一种有效的方法. 展开更多
关键词 微波介质陶瓷 低温烧结 化学合成 氧化物 低熔点玻璃
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高频头用微波介质陶瓷的研究进展 被引量：10
9
作者 郑兴华 周小红 +3 位作者 陈清洁 褚夫同 汤德平 林清平 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第6期71-73,共3页
目前,高频头用微波介质陶瓷主要有以下几类:BaTi4O9、Ba2Ti9O20、(Zr,Sn)TiO4、CaTiO3-NdAlO3。详细综述了其研究进展,并对其发展趋势进行了讨论和展望。
关键词 微波介质陶瓷 高频头 介电常数 QF 谐振频率温度系数
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低温共烧陶瓷技术(LTCC)与低介电常数微波介质陶瓷 被引量：12
10
作者 李冉 傅仁利 +2 位作者 何洪 宋秀峰 俞晓东 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第5期40-44,共5页
简述了低温共烧陶瓷技术(LTCC)的特点及微波介质陶瓷实现低温共烧的性能要求,重点介绍了LTCC低介电常数微波介质陶瓷的分类及微波介电性能,分析和讨论了LTCC低介电常数微波介质陶瓷存在的问题,针对LTCC低介电常数陶瓷材料今后的发展方... 简述了低温共烧陶瓷技术(LTCC)的特点及微波介质陶瓷实现低温共烧的性能要求,重点介绍了LTCC低介电常数微波介质陶瓷的分类及微波介电性能,分析和讨论了LTCC低介电常数微波介质陶瓷存在的问题,针对LTCC低介电常数陶瓷材料今后的发展方向提出了自己的看法。 展开更多
关键词 微波介质陶瓷 LTCC 介电性能 低介电常数
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闭式谐振腔法微波介质陶瓷介电常数测量 被引量：15
11
作者 王益 张翠翠 +2 位作者 王建忠 何斌 韩玉强 《仪器仪表学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第10期2500-2507,共8页
采用一种封闭式的圆柱形微波谐振腔,实现了微波介质陶瓷材料以及其他中低损耗材料介电常数的准确测量,通过模式匹配技术实现了介质加载条件下腔内电磁场问题的精确求解,得到了腔体谐振频率与材料介电性能之间的精确关系,对各类典型介质... 采用一种封闭式的圆柱形微波谐振腔,实现了微波介质陶瓷材料以及其他中低损耗材料介电常数的准确测量,通过模式匹配技术实现了介质加载条件下腔内电磁场问题的精确求解,得到了腔体谐振频率与材料介电性能之间的精确关系,对各类典型介质材料的测量结果以及多家比对数据表明,相比于传统方法,该方法的测量准确度更高,可达到0.1%;测量范围更宽,不仅能准确测量高介电常数的微波介质陶瓷,也适用于低介电常数的交联聚苯乙烯、聚四氟乙烯等材料,此外由于闭式腔不存在辐射损耗,金属表面电流损耗也较小,对低损耗材料的Q值测量更加准确,损耗角测量下限达10^(-6)以下。该方法适用于介电常数εr=1~100及以上,损耗角正切tanσ=1×10^(-3)~1×10^(-6)范围内各种材料介电性能的准确测量。 展开更多
关键词 微波介质陶瓷 闭式谐振腔 介电常数测量
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微波介质陶瓷材料发展综述 被引量：17
12
作者 尹雪帆 喻佑华 +2 位作者 周川钧 艾凡荣 丁银忠 《中国陶瓷》 CAS CSCD 北大核心 2006年第4期3-7,共5页
微波介质陶瓷是移动通讯技术快速发展的关键材料。综述了微波介质陶瓷材料的发展现状、特性和影响因素,详细介绍了几种主要的微波介质陶瓷体系,讨论了微波介质陶瓷材料的低温烧结及其存在的问题,并指出了今后的发展方向。
关键词 微波介质陶瓷 综述 低温共烧陶瓷
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BaO-Nd_2O_3-Sm_2O_3-TiO_2四元系微波介质陶瓷 被引量：17
13
作者 杨传仁 叶耀红 +2 位作者 杨成韬 何进 游文南 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 1999年第2期48-51,共4页
本文研究了Ｂｉ２Ｏ３、ＰｂＯ及Ｓｍ２Ｏ３对ＢａＯ－Ｎｄ２Ｏ３－ＴｉＯ２（简称ＢＮＴ）系陶瓷材料微波性能的影响。实验表明，在ＢＮＴ系材料中掺入Ｂｉ２Ｏ３或ＰｂＯ可降低材料的频率温度系数τｆ，但同时也使材料的ｔｇδ增大。... 本文研究了Ｂｉ２Ｏ３、ＰｂＯ及Ｓｍ２Ｏ３对ＢａＯ－Ｎｄ２Ｏ３－ＴｉＯ２（简称ＢＮＴ）系陶瓷材料微波性能的影响。实验表明，在ＢＮＴ系材料中掺入Ｂｉ２Ｏ３或ＰｂＯ可降低材料的频率温度系数τｆ，但同时也使材料的ｔｇδ增大。采用Ｓｍ取代部分Ｎｄ，形成ＢａＯ－Ｎｄ２Ｏ３－Ｓｍ２Ｏ３－ＴｉＯ２（简称ＢＮＳＴ）四元系陶瓷材料，可有效降低材料的τｆ，改善频率温度稳定性，而不会降低材料的品质因素Ｑ０。当Ｓｍ２Ｏ３∶Ｎｄ２Ｏ３＝７∶３（ｍｏｌ比）时，可得到εｒ＝８０．８０，ｔｇδ＝２．９２×１０－４（２７ＧＨｚ测），τｆ＝２３．６３ｐｐｍ／℃的高性能ＢＮＳＴ四元系微波介质陶瓷材料。 展开更多
关键词 微波介质陶瓷 介质谐振器 钕钛钡 钐钛钡 陶瓷
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微波介质陶瓷的助烧与掺杂改性 被引量：8
14
作者 顾永军 孙道明 +3 位作者 李谦 黄金亮 周焕福 殷镖 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 2005年第4期80-84,共5页
为满足多层微波元件低温烧结的需求,必须降低微波介质陶瓷的烧结温度。文中综述了近年来微波介质陶瓷研究中的助烧和掺杂改性的发展情况,概述了相关液相烧结的机理,列举了一些低熔点玻璃相的相关微波节电性能。
关键词 掺杂 微波介质陶瓷 助烧 液相烧结 掺杂改性 低温烧结 微波元件 烧结温度 陶瓷研究 节电性能
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微波介质陶瓷制备技术研究进展 被引量：6
15
作者 郑勇 刘文俊 +1 位作者 雷文 赵兴中 《材料导报》 EI CAS CSCD 2004年第11期73-76,共4页
总结了近年来有关微波介质陶瓷制备新技术的研究成果。主要介绍了粉末制备技术、烧结技术、后处理技术等方面的研究进展。最后指出在微波介质陶瓷领域,应在不断探索新成分体系的同时,重视对化学制粉法和新型烧结技术的研究和开发。
关键词 微波介质陶瓷 烧结技术 制备技术 新型 成分 粉末 领域 研究进展 后处理技术 学制
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高介电常数微波介质陶瓷的发展及研究现状 被引量：8
16
作者 黄永峰 李谦 +2 位作者 黄金亮 龙永强 殷镖 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 2006年第4期115-119,共5页
对高介电常数微波介电陶瓷中的BaOLn2O3TiO2、复合钙钛矿CaO2Li2O2Ln2O3TiO2及铅基钙钛矿体系的发展及研究现状进行了概述,归纳了研究中存在的问题,同时对未来的发展趋势做了预测。对新型填满型钨青铜结构陶瓷也进行了简要的介绍,指出... 对高介电常数微波介电陶瓷中的BaOLn2O3TiO2、复合钙钛矿CaO2Li2O2Ln2O3TiO2及铅基钙钛矿体系的发展及研究现状进行了概述,归纳了研究中存在的问题,同时对未来的发展趋势做了预测。对新型填满型钨青铜结构陶瓷也进行了简要的介绍,指出其具有良好的发展前景,但其介电弛豫性需要进一步的研究。 展开更多
关键词 高介电常数 微波介质陶瓷 研究现状 发展趋势
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粉体粒径对CSLST微波介质陶瓷烧结温度的影响 被引量：5
17
作者 李月明 汪启轩 +3 位作者 王竹梅 沈宗洋 洪燕 谭芳 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第2期333-338,共6页
采用B2O3-CuO-LiCO3（BCL）玻璃料作为烧结助剂，通过增加球磨时间的方法，对（ca18/19 Sr1/19）0.2（Li0.5Sm0.5）0.8 TiO3（CSLST）微波介质陶瓷进行低温烧结。研究了不同含量的BCL烧结助剂对CSLST微波介质陶瓷低温烧结特性的影响，... 采用B2O3-CuO-LiCO3（BCL）玻璃料作为烧结助剂，通过增加球磨时间的方法，对（ca18/19 Sr1/19）0.2（Li0.5Sm0.5）0.8 TiO3（CSLST）微波介质陶瓷进行低温烧结。研究了不同含量的BCL烧结助剂对CSLST微波介质陶瓷低温烧结特性的影响，和不同球磨时间对含2wt％BCL烧结助剂的CSLST微波介质陶瓷粉体颗粒度及低温烧结的影响。结果表明：球磨后的粉体粒径均分布在0．1～0．4μm之间，d50为0．170μm，比表面积达到35．2m^2／g且具有较高的表面活性，可以在875℃保温5h完全烧结。该陶瓷的微波介电性能为：介电常数＆=81．3，品质因素Qxf=1886GHz，谐振频率温度系数Tf=-27．6×10^-6／℃。 展开更多
关键词 微波介质陶瓷 低温烧结 粒径 烧结助剂
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微波介质陶瓷低温共烧技术的研究进展 被引量：7
18
作者 吕学鹏 郑勇 +1 位作者 周斌 程鹏 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第23期146-149,154,共5页
介绍了低温共烧陶瓷技术(LTCC)的特点及低温共烧技术对微波介质陶瓷的性能要求。总结了微波介质陶瓷实现低温共烧的主要方法,详细综述了典型微波介质陶瓷低温共烧技术的研究进展,指出了其目前存在的问题,并针对微波介质陶瓷低温共烧技... 介绍了低温共烧陶瓷技术(LTCC)的特点及低温共烧技术对微波介质陶瓷的性能要求。总结了微波介质陶瓷实现低温共烧的主要方法,详细综述了典型微波介质陶瓷低温共烧技术的研究进展,指出了其目前存在的问题,并针对微波介质陶瓷低温共烧技术的发展方向提出了看法。 展开更多
关键词 微波介质陶瓷 低温共烧 微波介电性能 烧结助剂
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微波介质陶瓷介电性影响因素的研究 被引量：11
19
作者 胡明哲 周东祥 龚树萍 《材料导报》 EI CAS CSCD 2004年第8期7-10,共4页
讨论了微波介质陶瓷中介电性的影响因素。其中本征因素是微波介质陶瓷的完美晶体中能获得的微波介电特性,其损耗是最低的,可由微波电场与晶体振动的非简谐性相互作用计算得出;非本征因素则包括有序-无序度、杂质、晶格缺陷、微结构及晶... 讨论了微波介质陶瓷中介电性的影响因素。其中本征因素是微波介质陶瓷的完美晶体中能获得的微波介电特性,其损耗是最低的,可由微波电场与晶体振动的非简谐性相互作用计算得出;非本征因素则包括有序-无序度、杂质、晶格缺陷、微结构及晶粒大小等诸多因素。研究了目前微波介质陶瓷的国内外现状,对其今后发展趋势做了讨论。 展开更多
关键词 微波介质陶瓷 介电损耗 非简谐振动 有序-无序度 晶格缺陷 介电性
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水基流延制备Li_(1.075)Nb_(0.625)Ti_(0.45)O_3微波介质陶瓷基片 被引量：8
20
作者 李绍纯 耿永娟 +1 位作者 张启龙 杨辉 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第1期144-149,共6页
以聚乙烯醇水溶液为粘结剂,乙二醇为增塑剂,聚羧酸铵盐为分散剂,通过水基流延工艺制备了Li1.075Nb0.625Ti0.45O3(LNT)微波介质陶瓷基片。对Li1.075Nb0.625Ti0.45O3微波介质陶瓷水基流延浆料流变特性的研究表明,当分散剂用量为0.6 wt%,... 以聚乙烯醇水溶液为粘结剂,乙二醇为增塑剂,聚羧酸铵盐为分散剂,通过水基流延工艺制备了Li1.075Nb0.625Ti0.45O3(LNT)微波介质陶瓷基片。对Li1.075Nb0.625Ti0.45O3微波介质陶瓷水基流延浆料流变特性的研究表明,当分散剂用量为0.6 wt%,粘结剂用量为5 wt%,增塑剂用量为10 wt%时,流延浆料分散稳定性良好,呈现典型的剪切变稀型流体特性,满足流延成型工艺的要求。采用该配方制备的Li1.075Nb0.625Ti0.45O3水基流延基片力学性能良好,基片的微观结构均匀。 展开更多
关键词 Li1.075Nb0.625Ti0.45O3 微波介质陶瓷 水基流延成型 流变性
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