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4H-SiC材料在SF_6/O_2/HBr中的ICP-RIE干法刻蚀
被引量：
4
1
作者
王进泽
杨香
+7 位作者
钮应喜
杨霏
何志
刘胜北
颜伟
刘敏
王晓东
杨富华
《微纳电子技术》
CAS
北大核心
2015年第1期59-63,共5页
传统SiC干法刻蚀中普遍出现明显的微沟槽效应,对后续工艺以及SiC器件性能有重要影响。针对这一问题,采用SF6/O2/HBr作为刻蚀气体,对4H-SiC材料的电感耦合等离子体-反应离子刻蚀(ICP-RIE)进行了工艺条件的研究探索,分别研究了SF6,O2和HB...
传统SiC干法刻蚀中普遍出现明显的微沟槽效应,对后续工艺以及SiC器件性能有重要影响。针对这一问题,采用SF6/O2/HBr作为刻蚀气体,对4H-SiC材料的电感耦合等离子体-反应离子刻蚀(ICP-RIE)进行了工艺条件的研究探索,分别研究了SF6,O2和HBr流量百分比对SiC刻蚀速率及微沟槽效应的影响。实验结果表明:SiC刻蚀速率随SF6和O2流量百分比的增加,先增大后减小。HBr气体作为SiC刻蚀的新型附加气体,在保护侧壁和降低微沟槽效应方面具有重要作用。在SF6,O2和HBr气体流量比为11∶2∶13时取得了较好的刻蚀结果,微沟槽效应明显降低,同时获得了较高的刻蚀速率,刻蚀速率达到536 nm/min。
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关键词
碳化硅(SiC)
电感耦合等离子体-反应离子刻蚀(ICP-RIE)
SF6/O2/HBr
微沟槽效应
刻蚀速率
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职称材料
题名
4H-SiC材料在SF_6/O_2/HBr中的ICP-RIE干法刻蚀
被引量：
4
1
作者
王进泽
杨香
钮应喜
杨霏
何志
刘胜北
颜伟
刘敏
王晓东
杨富华
机构
中国科学院半导体研究所半导体集成技术工程研究中心
国网智能电网研究院电工新材料及微电子研究所碳化硅器件技术研究室
出处
《微纳电子技术》
CAS
北大核心
2015年第1期59-63,共5页
基金
国家电网科技项目(SGRI-WD-71-14-004)
文摘
传统SiC干法刻蚀中普遍出现明显的微沟槽效应,对后续工艺以及SiC器件性能有重要影响。针对这一问题,采用SF6/O2/HBr作为刻蚀气体,对4H-SiC材料的电感耦合等离子体-反应离子刻蚀(ICP-RIE)进行了工艺条件的研究探索,分别研究了SF6,O2和HBr流量百分比对SiC刻蚀速率及微沟槽效应的影响。实验结果表明:SiC刻蚀速率随SF6和O2流量百分比的增加,先增大后减小。HBr气体作为SiC刻蚀的新型附加气体,在保护侧壁和降低微沟槽效应方面具有重要作用。在SF6,O2和HBr气体流量比为11∶2∶13时取得了较好的刻蚀结果,微沟槽效应明显降低,同时获得了较高的刻蚀速率,刻蚀速率达到536 nm/min。
关键词
碳化硅(SiC)
电感耦合等离子体-反应离子刻蚀(ICP-RIE)
SF6/O2/HBr
微沟槽效应
刻蚀速率
Keywords
silicon carbide（SiC）
inductively coupled plasma-reactive ion etching（ICP-RIE）
SF6/O2/HBr
microtrenching effect
etching rate
分类号
TN305.2 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
4H-SiC材料在SF_6/O_2/HBr中的ICP-RIE干法刻蚀
王进泽
杨香
钮应喜
杨霏
何志
刘胜北
颜伟
刘敏
王晓东
杨富华
《微纳电子技术》
CAS
北大核心
2015
4
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