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射频微机电系统技术现状
被引量：
10
1
作者
金铃
《微波学报》
CSCD
北大核心
2005年第6期58-65,共8页
较全面地介绍了 RF MEMS 器件、由 RF 器件构成的组件及应用系统,并给出了一些新的典型示例。通过比较 RF MEMS 器件与传统微波器件在性能、尺寸等各方面的差别,可以了解 RF MEMS 技术在相控阵雷达上运用的优势。
关键词
微机
电
系统
技术
射频
微机
电
系统
微机电系统器件
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职称材料
普渡大学研制出可自我校准的微机电系统
2
《电子机械工程》
2019年第1期41-41,共1页
据《大众科学》杂志网站报道,美国普渡大学的研究人员找到了一种方法,可以让微机电系统进行自我校准,这一研究成果有望打开研发各类超高精度的传感器和设备的大门,可在医学、工程以及国防领域发挥作用。微机电系统的尺寸不到十亿分之一...
据《大众科学》杂志网站报道,美国普渡大学的研究人员找到了一种方法,可以让微机电系统进行自我校准,这一研究成果有望打开研发各类超高精度的传感器和设备的大门,可在医学、工程以及国防领域发挥作用。微机电系统的尺寸不到十亿分之一米,在如此微小的尺度上制造这种设备难免会存在误差,要保证生产出的微机电系统完全一致是不太可能的。既然没有可靠的方法来制造2个一模一样的微机电系统,就必须采用一些校准手段来尽量避免或者减小它们在计量时彼此之间的误差。
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关键词
微机
电
系统
微机电系统器件
普渡大学
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职称材料
C波段横向激励薄膜体声波谐振器设计与制备
3
作者
吴高米
马晋毅
+5 位作者
李尚志
司美菊
唐小龙
蒋世义
江洪敏
张祖伟
《压电与声光》
CAS
北大核心
2024年第3期285-289,共5页
针对未来移动通信对射频前端器件提出的多频率、高集成新要求,开展了兼具声表面波(SAW)谐振器和薄膜体声波谐振器(FBAR)技术特点的新型横向激励兰姆波谐振器研究。该文介绍了基于c轴择优取向氮化铝(AlN)压电薄膜的C波段横向激励薄膜体...
针对未来移动通信对射频前端器件提出的多频率、高集成新要求,开展了兼具声表面波(SAW)谐振器和薄膜体声波谐振器(FBAR)技术特点的新型横向激励兰姆波谐振器研究。该文介绍了基于c轴择优取向氮化铝(AlN)压电薄膜的C波段横向激励薄膜体声波谐振器(XBAR)的结构设计、参数优化和制备方法,并进行了工艺验证。通过剥离和刻蚀等步骤制备了谐振频率4.464 GHz、品质因数3039、品质因数与频率之积(f×Q)达到1.56×10^(13)GHz、面积小于0.12 mm^(2)的低杂波XBAR谐振器,并仿真分析了其用于射频滤波器的可行性。该研究为进一步研制多频率、高集成的小型化XBAR滤波器组件提供了有效的设计技术和工艺技术支撑。
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关键词
压
电
微机
电
系统
(MEMS)
器件
C波段射频滤波器
横向激励薄膜体声波谐振器(XBAR)
多频率
高集成
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职称材料
题名
射频微机电系统技术现状
被引量：
10
1
作者
金铃
机构
南京电子技术研究所
出处
《微波学报》
CSCD
北大核心
2005年第6期58-65,共8页
文摘
较全面地介绍了 RF MEMS 器件、由 RF 器件构成的组件及应用系统,并给出了一些新的典型示例。通过比较 RF MEMS 器件与传统微波器件在性能、尺寸等各方面的差别,可以了解 RF MEMS 技术在相控阵雷达上运用的优势。
关键词
微机
电
系统
技术
射频
微机
电
系统
微机电系统器件
Keywords
MEMS technology, RF MEMS, MEMS device
分类号
TN454 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
普渡大学研制出可自我校准的微机电系统
2
出处
《电子机械工程》
2019年第1期41-41,共1页
文摘
据《大众科学》杂志网站报道,美国普渡大学的研究人员找到了一种方法,可以让微机电系统进行自我校准,这一研究成果有望打开研发各类超高精度的传感器和设备的大门,可在医学、工程以及国防领域发挥作用。微机电系统的尺寸不到十亿分之一米,在如此微小的尺度上制造这种设备难免会存在误差,要保证生产出的微机电系统完全一致是不太可能的。既然没有可靠的方法来制造2个一模一样的微机电系统,就必须采用一些校准手段来尽量避免或者减小它们在计量时彼此之间的误差。
关键词
微机
电
系统
微机电系统器件
普渡大学
分类号
TH-39 [机械工程]
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职称材料
题名
C波段横向激励薄膜体声波谐振器设计与制备
3
作者
吴高米
马晋毅
李尚志
司美菊
唐小龙
蒋世义
江洪敏
张祖伟
机构
中国电子科技集团公司第二十四研究所
中电科芯片技术(集团)有限公司
国知创芯(重庆)科技有限公司
出处
《压电与声光》
CAS
北大核心
2024年第3期285-289,共5页
基金
重庆市博士后科学基金资助项目(CSTB2023NSCQ-BHX0030)。
文摘
针对未来移动通信对射频前端器件提出的多频率、高集成新要求,开展了兼具声表面波(SAW)谐振器和薄膜体声波谐振器(FBAR)技术特点的新型横向激励兰姆波谐振器研究。该文介绍了基于c轴择优取向氮化铝(AlN)压电薄膜的C波段横向激励薄膜体声波谐振器(XBAR)的结构设计、参数优化和制备方法,并进行了工艺验证。通过剥离和刻蚀等步骤制备了谐振频率4.464 GHz、品质因数3039、品质因数与频率之积(f×Q)达到1.56×10^(13)GHz、面积小于0.12 mm^(2)的低杂波XBAR谐振器,并仿真分析了其用于射频滤波器的可行性。该研究为进一步研制多频率、高集成的小型化XBAR滤波器组件提供了有效的设计技术和工艺技术支撑。
关键词
压
电
微机
电
系统
(MEMS)
器件
C波段射频滤波器
横向激励薄膜体声波谐振器(XBAR)
多频率
高集成
Keywords
piezoelectric micro-electro-mechanical systems device
C-band radio-frequency filter
laterally excited bulk acoustic resonator
multi-frequency
high-integration
分类号
TN384 [电子电信—物理电子学]
TN65 [电子电信—电路与系统]
TN713 [电子电信—电路与系统]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
射频微机电系统技术现状
金铃
《微波学报》
CSCD
北大核心
2005
10
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职称材料
2
普渡大学研制出可自我校准的微机电系统
《电子机械工程》
2019
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
3
C波段横向激励薄膜体声波谐振器设计与制备
吴高米
马晋毅
李尚志
司美菊
唐小龙
蒋世义
江洪敏
张祖伟
《压电与声光》
CAS
北大核心
2024
0
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职称材料
已选择
0
条
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引证文献
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