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题名MEMS/GMR集成磁传感器的磁滞抑制方法
被引量：1
- 1
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作者
吕云飞
潘孟春
胡佳飞
陈棣湘
田武刚
周继昆
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机构
国防科学技术大学仪器科学与技术系
中国工程物理研究院总体所
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出处
《传感器与微系统》
CSCD
2018年第10期8-11,共4页
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基金
国家自然科学基金资助项目(51507178
61671460
+1 种基金
11604384)
国家自然科学基金委员会与中国工程物理研究院联合基金资助项目(U1430105)
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文摘
1/f噪声是限制磁阻(MR)传感器低频检测能力的重要因素,而基于微机电系统(MEMS)的磁力线调制可使1/f噪声降低两个数量级以上。然而,由磁滞引起的非线性响应是限制其实际应用的主要问题,此外其具有单向响应特性问题。提出了一种双向脉冲磁化方法,可显著降低磁滞,提高MEMS/巨磁阻(GMR)集成磁传感器的线性度。此外,可以通过区分响应差异与双向脉冲磁化来实现双极磁场检测。实验结果表明:双向脉冲磁化可实现91%的磁滞抑制,灵敏度提高15.4%。
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关键词
脉冲磁化
磁滞抑制
磁阻传感器
微机电系统/巨磁阻集成磁传感器
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Keywords
pulse magnetization
hysteresis suppressing
magneto-resistive （ MR ） sensors
integrated microelectro-mechanical system/giant magneto-resistive（MEMS/GMR） sensors
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分类号
TP39
[自动化与计算机技术—计算机应用技术]
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题名单片集成MEMS三轴磁场传感器
被引量：1
- 2
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作者
付春末
熊斌
陆仲明
王文杰
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机构
中国科学院上海微系统与信息技术研究所
中国科学院大学
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出处
《传感器与微系统》
CSCD
北大核心
2022年第11期65-68,共4页
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基金
国家自然科学基金资助项目(515777186)。
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文摘
利用微机电系统(MEMS)工艺,设计并制造了一种基于法拉第电磁感应定律的单片集成MEMS三轴磁场传感器。将两种不同结构的器件通过MEMS工艺集成到单一芯片上,完成单片集成MEMS三轴磁场传感器的制作。测试结果表明:在大气环境下,2S梁耦合器件对Z轴磁场的开环灵敏度为7.435μV/mT,非线性度为0.436%。当其用于Z轴磁场测量时,其对于X轴磁场的交叉轴抑制比γ_(z,x)为49.749 dB,对Y轴磁场的交叉轴抑制比γ_(z,y)为46.324 dB;在大气环境下,扭转框结构器件对X轴磁场的开环灵敏度为2.223μV/mT,非线性度为0.49%。当其用于X轴磁场测量时,其对于Z轴的交叉轴抑制比γ_(x,z)为44.687 dB,对Y轴磁场的交叉轴抑制比γ_(x,y)为41.138 dB。
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关键词
三轴磁传感器
微机电系统
电磁感应
单片集成
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Keywords
three-axis magnetic sensor
MEMS
electromagnetic induction
monolithic integrated
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分类号
TN305
[电子电信—物理电子学]
TP212
[自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]
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