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石墨烯片的制备与表征
被引量：
21
1
作者
冯颖
黄世华
+1 位作者
康凯
段晓霞
《新型炭材料》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011年第1期26-30,共5页
通过微机械剥离高定向热解石墨(HOPG)法和化学气相沉积法(CVD)分别制备了不同层数的石墨烯片,并将其转移到硅片上。利用石墨烯片在不同厚度SiO2硅片上光学显微图像颜色及对比度存在的差异,对其层数进行了识别与区分。采用原子力显微镜(A...
通过微机械剥离高定向热解石墨(HOPG)法和化学气相沉积法(CVD)分别制备了不同层数的石墨烯片,并将其转移到硅片上。利用石墨烯片在不同厚度SiO2硅片上光学显微图像颜色及对比度存在的差异,对其层数进行了识别与区分。采用原子力显微镜(AFM)和拉曼(Raman)光谱判定了所制石墨烯片的层数。结果表明:所制石墨烯片有单层、少数层和多层。与双层石墨烯片的Raman谱图比较,多层石墨烯片的2D模线宽变宽,G模强度增大。此外,CVD法可生长出大面积(～cm2)的石墨烯片。
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关键词
石墨烯
高定向热解石墨
微机械剥离法
化学气相沉积
法
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职称材料
基于多层二硒化钨的高性能场效应晶体管的实验优化和理论模拟
被引量：
2
2
作者
张义超
赵付来
+4 位作者
王宇
王亚玲
沈永涛
冯奕钰
封伟
《高等学校化学学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2022年第6期166-176,共11页
采用微机械剥离法制备了基于不同厚度的高质量WSe_(2)纳米片的场效应晶体管(WSe_(2)-FETs),研究了其性能的影响因素.通过调控WSe_(2)纳米片及介电层的厚度、测试温度及退火处理等,结合理论模拟分析,获得了WSe_(2)-FETs的最佳电学性能.最...
采用微机械剥离法制备了基于不同厚度的高质量WSe_(2)纳米片的场效应晶体管(WSe_(2)-FETs),研究了其性能的影响因素.通过调控WSe_(2)纳米片及介电层的厚度、测试温度及退火处理等,结合理论模拟分析,获得了WSe_(2)-FETs的最佳电学性能.最终,基于7层WSe_(2)纳米片的场效应晶体管表现出最优异的电学性能,室温下载流子迁移率可达93.17 cm^(2)·V^(‒1)·s^(‒1);在78 K低温下,载流子迁移率高达482.78 cm^(2)·V^(‒1)·s^(‒1).
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关键词
微机械剥离法
二维材料
二维过渡金属硫族化合物
载流子迁移率
开关比
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职称材料
碲化锗场效应晶体管的制备及电学性能
被引量：
2
3
作者
张鑫
赵付来
+3 位作者
王宇
梁雪静
冯奕钰
封伟
《高等学校化学学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2020年第9期2032-2037,共6页
采用微机械剥离法得到横向尺寸为10μm的碲化锗(GeTe)纳米片.通过电子束曝光和真空溅射镀膜的方法,以钛金合金为接触电极,制备基于二维碲化锗(2D-GeTe)纳米材料的场效应晶体管(FET),并测定了其电学性能.结果表明,剥离所得GeTe纳米材料...
采用微机械剥离法得到横向尺寸为10μm的碲化锗(GeTe)纳米片.通过电子束曝光和真空溅射镀膜的方法,以钛金合金为接触电极,制备基于二维碲化锗(2D-GeTe)纳米材料的场效应晶体管(FET),并测定了其电学性能.结果表明,剥离所得GeTe纳米材料具有良好的结晶性,光学带隙为1.98 eV,属于p型半导体;该场效应晶体管展现出了6.4 cm^2·V^‒1·s^‒1的载流子迁移率和670的开关电流比的良好电学性能.
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关键词
碲化锗
二维材料
微机械剥离法
场效应晶体管
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职称材料
题名
石墨烯片的制备与表征
被引量：
21
1
作者
冯颖
黄世华
康凯
段晓霞
机构
北京交通大学光电子技术研究所
出处
《新型炭材料》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011年第1期26-30,共5页
基金
国家杰出青年科学基金(60825407)
国家自然科学基金(60877025)
+2 种基金
北京市科学技术委员会专项基金(Z08000303220803)
北京自然科学基金(2092024)
北京交通大学基金(2007XM048)~~
文摘
通过微机械剥离高定向热解石墨(HOPG)法和化学气相沉积法(CVD)分别制备了不同层数的石墨烯片,并将其转移到硅片上。利用石墨烯片在不同厚度SiO2硅片上光学显微图像颜色及对比度存在的差异,对其层数进行了识别与区分。采用原子力显微镜(AFM)和拉曼(Raman)光谱判定了所制石墨烯片的层数。结果表明:所制石墨烯片有单层、少数层和多层。与双层石墨烯片的Raman谱图比较,多层石墨烯片的2D模线宽变宽,G模强度增大。此外,CVD法可生长出大面积(～cm2)的石墨烯片。
关键词
石墨烯
高定向热解石墨
微机械剥离法
化学气相沉积
法
Keywords
Graphene
HOPG
Micromechanical cleavage
CVD
分类号
O613.71 [理学—无机化学]
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职称材料
题名
基于多层二硒化钨的高性能场效应晶体管的实验优化和理论模拟
被引量：
2
2
作者
张义超
赵付来
王宇
王亚玲
沈永涛
冯奕钰
封伟
机构
天津大学材料科学与工程学院
天津大学先进陶瓷与加工技术教育部重点实验室
出处
《高等学校化学学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2022年第6期166-176,共11页
基金
国家自然科学基金(批准号:52103093,52173078,52130303)
中国博士后科学基金(批准号:2021M702424)资助.
文摘
采用微机械剥离法制备了基于不同厚度的高质量WSe_(2)纳米片的场效应晶体管(WSe_(2)-FETs),研究了其性能的影响因素.通过调控WSe_(2)纳米片及介电层的厚度、测试温度及退火处理等,结合理论模拟分析,获得了WSe_(2)-FETs的最佳电学性能.最终,基于7层WSe_(2)纳米片的场效应晶体管表现出最优异的电学性能,室温下载流子迁移率可达93.17 cm^(2)·V^(‒1)·s^(‒1);在78 K低温下,载流子迁移率高达482.78 cm^(2)·V^(‒1)·s^(‒1).
关键词
微机械剥离法
二维材料
二维过渡金属硫族化合物
载流子迁移率
开关比
Keywords
Mechanical exfoliation method
Two-dimensional material
Two-dimensional transition metal dichalco⁃genide
Carrier mobility
On/off ratio
分类号
O649 [理学—物理化学]
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职称材料
题名
碲化锗场效应晶体管的制备及电学性能
被引量：
2
3
作者
张鑫
赵付来
王宇
梁雪静
冯奕钰
封伟
机构
天津大学材料科学与工程学院
先进陶瓷与加工技术教育部重点实验室
郑州大学材料加工与模具教育部重点实验室
出处
《高等学校化学学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2020年第9期2032-2037,共6页
基金
国家自然科学重点基金(批准号:51633007)
国家自然科学基金(批准号:51573125,51573147,51803149,51973155)资助.
文摘
采用微机械剥离法得到横向尺寸为10μm的碲化锗(GeTe)纳米片.通过电子束曝光和真空溅射镀膜的方法,以钛金合金为接触电极,制备基于二维碲化锗(2D-GeTe)纳米材料的场效应晶体管(FET),并测定了其电学性能.结果表明,剥离所得GeTe纳米材料具有良好的结晶性,光学带隙为1.98 eV,属于p型半导体;该场效应晶体管展现出了6.4 cm^2·V^‒1·s^‒1的载流子迁移率和670的开关电流比的良好电学性能.
关键词
碲化锗
二维材料
微机械剥离法
场效应晶体管
Keywords
Germanium telluride
Two-dimensional material
Micromechanical stripping method
Field effect transistor
分类号
O649 [理学—物理化学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
石墨烯片的制备与表征
冯颖
黄世华
康凯
段晓霞
《新型炭材料》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011
21
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
基于多层二硒化钨的高性能场效应晶体管的实验优化和理论模拟
张义超
赵付来
王宇
王亚玲
沈永涛
冯奕钰
封伟
《高等学校化学学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2022
2
在线阅读
下载PDF
职称材料
3
碲化锗场效应晶体管的制备及电学性能
张鑫
赵付来
王宇
梁雪静
冯奕钰
封伟
《高等学校化学学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2020
2
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职称材料
已选择
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