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硅烷浓度对微晶硅太阳电池的影响 被引量:1
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作者 高艳涛 张晓丹 +3 位作者 朱锋 魏长春 孙建 赵颖 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第3期514-517,共4页
采用甚高频等离子化学气相沉积技术(VHF-PECVD)制备了系列p-i-n型微晶硅太阳电池,研究了电池有源层硅烷浓度的变化对电池性能的影响。结果发现:随着硅烷浓度的提高电池的短路电流密度先提高然后降低,转换效率与之有相同的变化趋势,而开... 采用甚高频等离子化学气相沉积技术(VHF-PECVD)制备了系列p-i-n型微晶硅太阳电池,研究了电池有源层硅烷浓度的变化对电池性能的影响。结果发现:随着硅烷浓度的提高电池的短路电流密度先提高然后降低,转换效率与之有相同的变化趋势,而开路电压随硅烷浓度的提高而增加,这些变化来源于有源层材料结构的改变。电池的填充因子几乎不受硅烷浓度的影响,但受前电极的影响很大。不同系列电池转化效率的最高点虽然处于非晶到微晶的过渡区,但对应电池的晶化率不同。另外,研究结果也给出非晶/微晶过渡区随着辉光功率的提高和沉积气压的降低向高硅烷浓度方向转移。 展开更多
关键词 甚高频等离子化学气相沉积 微晶硅太阳电池 烷浓度
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基于溅射后腐蚀ZnO的单结微晶硅太阳电池中的陷光研究 被引量:1
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作者 白立沙 刘伯飞 +2 位作者 赵慧旭 赵颖 张晓丹 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第4期801-807,共7页
采用甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术,研究衬底表面形貌和电学特性的变化对微晶硅单结太阳电池性能的影响。通过对不同腐蚀时间溅射ZnO∶Al衬底及基于此的微晶硅单结电池进行研究发现:衬底表面横纵特征尺寸可通过腐蚀时... 采用甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术,研究衬底表面形貌和电学特性的变化对微晶硅单结太阳电池性能的影响。通过对不同腐蚀时间溅射ZnO∶Al衬底及基于此的微晶硅单结电池进行研究发现:衬底表面横纵特征尺寸可通过腐蚀时间进行有效调控,光电性能的权衡使其存在最优化衬底腐蚀时间,从而使微晶硅单结电池达到最大光吸收和高电学性能。对衬底陷光结构和电池工艺进一步调整,获得初始效率达10.01%的单结微晶硅薄膜太阳电池,将其应用到非晶硅/非晶硅锗/微晶硅三结叠层电池中,电池效率可达14.51%。 展开更多
关键词 微晶薄膜太阳电池 VHF-PECVD 衬底 陷光
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基于AMPS软件的微晶硅太阳电池最佳性能预测
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作者 于丽娜 黎明 安艳辉 《电源技术》 CAS CSCD 北大核心 2017年第6期893-895,共3页
以太阳电池模拟软件AMPS-1D为基础研究窗口层厚度、前端接触势垒等因素对微晶硅薄膜太阳电池的p层势垒和内建电势的影响,同时预测该因素对太阳电池性能的影响。研究结果表明,前端接触势垒越大,微晶硅太阳电池的性能越好,当前端接触势垒... 以太阳电池模拟软件AMPS-1D为基础研究窗口层厚度、前端接触势垒等因素对微晶硅薄膜太阳电池的p层势垒和内建电势的影响,同时预测该因素对太阳电池性能的影响。研究结果表明,前端接触势垒越大,微晶硅太阳电池的性能越好,当前端接触势垒小于1.32 eV时,p层厚度对电池性能的影响显著,当p层厚度为14 nm时,所得微晶硅太阳电池的性能最佳。 展开更多
关键词 微晶硅太阳电池 窗口层厚度 性能预测
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优化沉积参数对微晶硅薄膜太阳电池性能的影响 被引量:1
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作者 张晓丹 赵颖 +5 位作者 高艳涛 朱锋 魏长春 孙建 耿新华 熊绍珍 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第1期170-172,169,共4页
本文主要采用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术制备了不同硅烷浓度、辉光功率和反应气体流量的单结微晶硅薄膜太阳电池。电池的I-V测试结果表明:电池的开路电压随功率的降低、硅烷浓度和气体流量的增加而增加,而对应的短路电流密度... 本文主要采用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术制备了不同硅烷浓度、辉光功率和反应气体流量的单结微晶硅薄膜太阳电池。电池的I-V测试结果表明:电池的开路电压随功率的降低、硅烷浓度和气体流量的增加而增加,而对应的短路电流密度在一定的硅烷浓度条件下达到最大,填充因子也在逐渐的增加。文中对具体内容进行了详细的分析。 展开更多
关键词 微晶薄膜太阳电池 气体流量 烷浓度
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衬底材料表面形貌和特性对太阳电池性能影响
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作者 方晓敏 廖东进 《电源技术》 CAS CSCD 北大核心 2017年第12期1727-1728,1794,共3页
研究不同腐蚀时间下光伏微晶硅太阳电池衬底形貌及特性及其对电池性能的影响。利用多功能辐射型薄膜沉积系统生产电池膜层,对衬底进行0~50 s的腐蚀,分析相关长度、表面粗糙度与腐蚀时间的关系,得出衬底散射率与腐蚀时间的关联。结合散... 研究不同腐蚀时间下光伏微晶硅太阳电池衬底形貌及特性及其对电池性能的影响。利用多功能辐射型薄膜沉积系统生产电池膜层,对衬底进行0~50 s的腐蚀,分析相关长度、表面粗糙度与腐蚀时间的关系,得出衬底散射率与腐蚀时间的关联。结合散射率与电池电学性能的变化,最终得出40 s腐蚀后电池具有最佳的转换效率。该研究为微晶硅太阳电池的进一步优化提供了参考。 展开更多
关键词 衬底 微晶硅太阳电池 腐蚀形貌 散射率
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非晶孵化层对高速生长微晶硅电池性能的影响 被引量:1
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作者 韩晓艳 张晓丹 +8 位作者 侯国付 郭群超 袁育杰 董培 魏长春 孙建 薛俊明 赵颖 耿新华 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第8期915-919,共5页
采用高压高功率的甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术,以不同的反应气体总流量制备出沉积速率大于1nm/s、次带吸收系数(α_(0.8eV))小于2.5cm^(-1)且具有相同晶化率的本征微晶硅薄膜,然而将其应用在微晶硅电池中时,电池性... 采用高压高功率的甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术,以不同的反应气体总流量制备出沉积速率大于1nm/s、次带吸收系数(α_(0.8eV))小于2.5cm^(-1)且具有相同晶化率的本征微晶硅薄膜,然而将其应用在微晶硅电池中时,电池性能却有明显差异。通过对微晶硅电池的光、暗态J-V,量子效率(QE)和微区拉曼(Raman)测试发现,微晶硅薄膜中非晶孵化层厚度的不同是引起电池性能差异的主要原因。反应气体总流量较低时沉积的微晶硅薄膜具有较厚的非晶孵化层,阻碍了载流子的输运,使电池的长波光谱响应下降,从而降低了电池的短路电流密度与填充因子;而增加总气体流量,有效减小了微晶硅薄膜中的非晶孵化层的厚度。从而使电池性能得到改善。最后在总气体流量为500sccm时,制备得到沉积速率为1nm/s,效率为7.3%的单结微晶硅太阳电池。 展开更多
关键词 高速沉积 非晶孵化层 微晶硅太阳电池
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微晶硅材料和电池特性的相关研究 被引量:6
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作者 张晓丹 赵颖 +4 位作者 魏长春 孙建 赵静 耿新华 熊绍珍 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第12期1304-1307,共4页
主要采用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术制备了系列微晶硅材料和电池。通过对材料电学特性、结构特性和电池间性能关系的研究,获得了高效率微晶硅薄膜太阳电池所对应材料的基本特性:暗电导在10^(-8)s/cm量级上,光敏性大于1000,晶... 主要采用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术制备了系列微晶硅材料和电池。通过对材料电学特性、结构特性和电池间性能关系的研究,获得了高效率微晶硅薄膜太阳电池所对应材料的基本特性:暗电导在10^(-8)s/cm量级上,光敏性大于1000,晶化率约50%。进行了制备电池的开路电压和表观带隙之间关系的研究。 展开更多
关键词 甚高频等离子体增强化学气相沉积 高效率微晶薄膜太阳电池 表观带隙
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