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题名环栅纳米线FET自热效应及微尺度空间效应研究
被引量：1
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作者
黄宁
赵婉婉
刘伟景
杨婷
李清华
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机构
上海电力大学电子与信息工程学院
上海华力集成电路制造有限公司
上海积塔半导体有限公司
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出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2019年第12期932-937,共6页
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文摘
研究了纳米线高度与纳米线宽度对5 nm制程垂直堆叠式环栅纳米线场效应晶体管(GAA NWFET)中自热效应及微尺度空间效应的影响机理。利用Sentaurus TCAD软件对不同尺寸的纳米线器件性能进行仿真,采用控制变量法,以0.5 nm为步长,分别将纳米线高度及宽度从4 nm增加至8 nm。仿真结果表明,当纳米线高度及宽度分别取4 nm和6.5 nm时,可最大程度规避微尺度空间效应对载流子迁移率的影响,并有效提升散热能力,使器件开态电流增加44.4%,沟道热学电阻减小60.3%。此外,设置纳米线高度为4 nm,依次将顶部/中部/底部沟道的纳米线宽度从6.5 nm增加至8 nm,发现当底部沟道的纳米线宽度相等时,增加靠近体硅处的沟道宽度更有利于改善器件的电热性能。
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关键词
环栅
垂直堆叠结构
自热效应
微尺度空间效应
纳米线
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Keywords
gate-all-around
vertically stacked structure
self-heating effect
microscale spatial effects
nanowire
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分类号
TN386
[电子电信—物理电子学]
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