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SIMS测量激光诱导扩散Zn的浓度分布
1
作者
张雪琴
吴云峰
+1 位作者
叶玉堂
焦世龙
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2005年第7期21-24,共4页
通过SIMS对激光诱导扩散杂质浓度分布的研究,提出了一个测量扩散区只在μm量级或10μm 量级范围内的杂质浓度分布的方法。首先利用光刻的方法在基片表面标识出扩散窗口,然后进行激光诱导处理。用SIMS对制成的扩散样品定量分析,通过扫描...
通过SIMS对激光诱导扩散杂质浓度分布的研究,提出了一个测量扩散区只在μm量级或10μm 量级范围内的杂质浓度分布的方法。首先利用光刻的方法在基片表面标识出扩散窗口,然后进行激光诱导处理。用SIMS对制成的扩散样品定量分析,通过扫描探针显微镜测量刻蚀深度,由此实现了微小扩散区掺杂浓度-深度分布的研究。
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关键词
激光诱导
扩散
微小扩散区
二次离子质谱仪
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职称材料
题名
SIMS测量激光诱导扩散Zn的浓度分布
1
作者
张雪琴
吴云峰
叶玉堂
焦世龙
机构
中国电子科技大学光电信息学院
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2005年第7期21-24,共4页
基金
国家自然科学基金(60277008)教育部重点科技项目(03147)电科院资助项目(J.5.2.3)
文摘
通过SIMS对激光诱导扩散杂质浓度分布的研究,提出了一个测量扩散区只在μm量级或10μm 量级范围内的杂质浓度分布的方法。首先利用光刻的方法在基片表面标识出扩散窗口,然后进行激光诱导处理。用SIMS对制成的扩散样品定量分析,通过扫描探针显微镜测量刻蚀深度,由此实现了微小扩散区掺杂浓度-深度分布的研究。
关键词
激光诱导
扩散
微小扩散区
二次离子质谱仪
Keywords
laser assisted diffusion extrasmall diffused areas SIMS
分类号
TN304.07 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
SIMS测量激光诱导扩散Zn的浓度分布
张雪琴
吴云峰
叶玉堂
焦世龙
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2005
0
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