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基于MEMS技术的超微压压力传感器研究进展被引量：4: 1; 作者薛伟王权 +1 位作者丁建宁杨继昌《农业机械学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第3期157-159,共3页; 针对国内外在硅微型压阻式压力传感器上的研究进展和产业化情况,从复合弹性元件的设计、芯片微加工工艺、芯片无应力封装和后期动静态标定等方面指出了其深入研究方向,以及产业化存在的问题和相应的对策。; 关键词超微压压力传感器微机电系统无应力封装综述; 在线阅读下载PDF 职称材料

MEMS微压压力传感器的灵敏度优化被引量：7: 2; 作者彭时秋朱赛宁《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第13期1582-1590,共9页; 为提高微机电系统微压压力传感器的灵敏度,根据硅压阻式压力传感器的工作原理介绍了影响压力传感器灵敏度的主要因素。使用COMSOL Mutilphysics有限元仿真软件开展压力敏感膜层厚度、压敏电阻摆放位置及压敏电阻长度对灵敏度影响规律的... 展开更多; 关键词微机电系统微压压力传感器 COMSOL mutilphysics 灵敏度优化; 在线阅读下载PDF 职称材料

纳米硅薄膜超微压力传感器设计与性能研究被引量：3: 3; 作者沈思国丁建宁 +3 位作者潘海彬凌智勇程广贵范真《传感器与微系统》 CSCD 北大核心 2010年第10期62-64,共3页; 利用纳米硅薄膜良好的力学与电学特性,设计出超微压压力传感器芯片结构:双岛—梁—膜结构。利用ANSYS进行了静力分析、模态分析、谐反应分析、瞬态分析,结果表明:该结构具有灵敏度高、线性度好、动态响应快等优点。; 关键词纳米硅薄膜超微压压力传感器结构性能; 在线阅读下载PDF 职称材料

高性能SOI基纳米硅薄膜微压阻式压力传感器的研究被引量：5: 4; 作者高颖姜岩峰《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2023年第6期839-848,共10页; 针对高端领域对高性能微小量程压力传感器的迫切需求,设计并实现了一种应用于电子血压计的高性能SOI基纳米硅薄膜微压阻式压力传感器,并提出了相应的检测电路。根据小挠度弯曲理论设计了传感器方形敏感薄膜结构,确定了纳米硅薄膜压敏电... 展开更多; 关键词 SOI基纳米硅薄膜微压阻式压力传感器检测电路有限元分析(FEA); 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于MEMS技术的超微压压力传感器研究进展被引量：4: 1; 作者薛伟王权丁建宁杨继昌; 机构温州大学工业工程学院江苏大学机械工程学院; 出处《农业机械学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第3期157-159,共3页; 基金浙江省科技攻关计划项目(项目编号:2005C31048) 镇江市产学研项目江苏大学博士生创新基金项目; 文摘针对国内外在硅微型压阻式压力传感器上的研究进展和产业化情况,从复合弹性元件的设计、芯片微加工工艺、芯片无应力封装和后期动静态标定等方面指出了其深入研究方向,以及产业化存在的问题和相应的对策。; 关键词超微压压力传感器微机电系统无应力封装综述; Keywords Ultraminiatured pressure sensor, MEMS, Non-stress packaging, Review; 分类号 TP212 [自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名MEMS微压压力传感器的灵敏度优化被引量：7: 2; 作者彭时秋朱赛宁; 机构无锡中微晶园电子有限公司; 出处《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第13期1582-1590,共9页; 基金江苏省科技计划资助项目(No.BA2018059)。; 文摘为提高微机电系统微压压力传感器的灵敏度,根据硅压阻式压力传感器的工作原理介绍了影响压力传感器灵敏度的主要因素。使用COMSOL Mutilphysics有限元仿真软件开展压力敏感膜层厚度、压敏电阻摆放位置及压敏电阻长度对灵敏度影响规律的研究。根据仿真结果,减小压力敏感膜层厚度至15μm,设置压敏电阻长度为120μm,并将压敏电阻摆放至距压敏膜层边缘10μm的位置,完成了一款量程为40 kPa的MEMS硅压阻式微压压力传感器的结构优化,有效提升了传感器的灵敏度。测试结果表明,该压力传感器的灵敏度达到0.444 mV/kPa,相较于常规同量程灵敏度为0.35 mV/kPa的压力传感器,提升了26.8%。上述优化结果基本满足MEMS微压压力传感器的高灵敏度、高线性度等要求。; 关键词微机电系统微压压力传感器 COMSOL mutilphysics 灵敏度优化; Keywords Micro-Electro-Mechanical System(MEMS) micro-pressure sensor micro-pressure COM⁃SOL mutilphysics sensitivity optimization; 分类号 TP212 [自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名纳米硅薄膜超微压力传感器设计与性能研究被引量：3: 3; 作者沈思国丁建宁潘海彬凌智勇程广贵范真; 机构江苏大学微纳米研究中心江苏工业学院低维材料微纳器件与系统中心; 出处《传感器与微系统》 CSCD 北大核心 2010年第10期62-64,共3页; 基金江苏省科技支撑计划资助项目(BE2009123); 文摘利用纳米硅薄膜良好的力学与电学特性,设计出超微压压力传感器芯片结构:双岛—梁—膜结构。利用ANSYS进行了静力分析、模态分析、谐反应分析、瞬态分析,结果表明:该结构具有灵敏度高、线性度好、动态响应快等优点。; 关键词纳米硅薄膜超微压压力传感器结构性能; Keywords nano-silicon thin film uhraminiatured pressure sensor structure properties; 分类号 TP212.1 [自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名高性能SOI基纳米硅薄膜微压阻式压力传感器的研究被引量：5: 4; 作者高颖姜岩峰; 机构江南大学物联网工程学院电子工程系; 出处《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2023年第6期839-848,共10页; 基金国家自然科学基金面上项目(61774078)。; 文摘针对高端领域对高性能微小量程压力传感器的迫切需求,设计并实现了一种应用于电子血压计的高性能SOI基纳米硅薄膜微压阻式压力传感器,并提出了相应的检测电路。根据小挠度弯曲理论设计了传感器方形敏感薄膜结构,确定了纳米硅薄膜压敏电阻的阻值大小和尺寸。采用ANSYS有限元分析(FEA)对所设计的传感器结构进行仿真,根据仿真结果确定了压敏电阻在膜片上的最佳放置位置。基于标准MEMS制造技术,在SOI基纳米硅薄膜上设计并实现了该压力传感器。实测结果表明,室温下,在0~40 kPa微压测量范围内所设计的传感器检测灵敏度可达0.45 mV/(kPa·V),非线性度达到0.108%F.S。在-40℃~125℃的工作温度范围内,温度稳定性好,零点温度漂移系数与灵敏度温度漂移系数分别为0.0047%F.S与0.089%F.S。所设计的压力传感器及其检测电路,在现代医疗、工业控制等领域具有较大的应用潜力。; 关键词 SOI基纳米硅薄膜微压阻式压力传感器检测电路有限元分析(FEA); Keywords SOI⁃based nano⁃silicon film micro⁃piezoresistive pressure sensor detection circuit finite element analysis(FEA); 分类号 S951.43 [农业科学—水产养殖]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	基于MEMS技术的超微压压力传感器研究进展	薛伟王权丁建宁杨继昌	《农业机械学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2006	4	在线阅读下载PDF 职称材料
2	MEMS微压压力传感器的灵敏度优化	彭时秋朱赛宁	《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心	2022	7	在线阅读下载PDF 职称材料
3	纳米硅薄膜超微压力传感器设计与性能研究	沈思国丁建宁潘海彬凌智勇程广贵范真	《传感器与微系统》 CSCD 北大核心	2010	3	在线阅读下载PDF 职称材料
4	高性能SOI基纳米硅薄膜微压阻式压力传感器的研究	高颖姜岩峰	《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心	2023	5	在线阅读下载PDF 职称材料