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基于超短电压脉冲的Cu_(2)O微区电沉积研究
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作者 麦满芳 廖彬 +3 位作者 曾珊 王金凤 郭燕玲 马信洲 《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第6期183-189,共7页
目的实现基于纳秒级超短电压脉冲的Cu_(2)O微区电沉积。方法开发了可视化超短电压脉冲微区电化学加工系统,通过脉冲发生器施加纳秒长的超短电压脉冲到微电极与工作电极之间使局部极化发生,采用原位倒置光学显微镜实时监控微区电沉积的... 目的实现基于纳秒级超短电压脉冲的Cu_(2)O微区电沉积。方法开发了可视化超短电压脉冲微区电化学加工系统,通过脉冲发生器施加纳秒长的超短电压脉冲到微电极与工作电极之间使局部极化发生,采用原位倒置光学显微镜实时监控微区电沉积的动态过程。使用扫描电子显微镜对Cu_(2)O微结构的微观形貌进行表征,研究不同加工参数,包括电极间距、脉冲长度和微电极运动速度对微区电沉积Cu_(2)O的尺寸及微观形貌的影响。结果电极间距、脉冲长度和微电极运动速度均对沉积的Cu_(2)O微圆盘的直径和晶粒形貌有显著影响。电极间距的增大,使沉积的Cu_(2)O微圆盘的直径和晶粒尺寸均有所减小。电压脉冲长度越小,Cu_(2)O微圆盘的面积越小。微电极移动的速度越快,Cu_(2)O微圆盘的直径越小,结晶性变差。电极间距为14µm、脉冲长度为30~40ns以及降低微电极运动速度能够获得轮廓清晰的微区电沉积结构。结论基于纳秒级超短电压脉冲可视化微区电化学加工系统成功地在ITO导电玻璃表面沉积了直径为50~100µm的Cu_(2)O微圆盘,为高效率Cu_(2)O基光电器件的微加工提供了简单有效的方法。 展开更多
关键词 微区电沉积 超短脉冲 Cu_(2)O 结构
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微区电沉积技术及其研究进展 被引量:4
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作者 徐晨 刘德荣 +2 位作者 刘磊 胡文彬 吴忠 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第10期10036-10043,共8页
微纳尺度的三维结构构造技术存在成本高、效率低、环境依赖性强等问题,微区电沉积技术的发展在一定程度上解决了上述问题。介绍了微区电沉积的技术原理、过程控制以及研究现状,讨论了微区电沉积研究中的参数优化、过程模拟与技术发展,... 微纳尺度的三维结构构造技术存在成本高、效率低、环境依赖性强等问题,微区电沉积技术的发展在一定程度上解决了上述问题。介绍了微区电沉积的技术原理、过程控制以及研究现状,讨论了微区电沉积研究中的参数优化、过程模拟与技术发展,并对微区电沉积技术未来的研究重点与发展趋势进行了展望。 展开更多
关键词 微区电沉积 3D结构 技术概况
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