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题名由栅氧损伤引起闩锁效应的失效分析
被引量：4
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作者
刘楠
刘大鹏
张辉
祝伟明
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机构
上海航天技术研究院第
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2015年第6期468-472,共5页
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文摘
随着MOS器件特征尺寸的缩小和栅氧化层厚度的减薄,栅氧损伤成为MOS集成电路在实际应用中的主要失效模式之一。闩锁是CMOS集成电路结构所固有的寄生效应,寄生的可控硅结构一旦被特定条件触发,会在电源与地之间形成大电流通路,导致整个器件失效。对一例由栅氧损伤引起器件闩锁效应的失效进行分析。通过微光显微镜(EMMI)技术和激光诱导阻值变化(OBIRCH)技术进行失效定位,在电路板级通信状态下进行闩锁效应复现及验证。最后通过分析损伤所在的电路功能和器件结构,阐述闩锁效应形成的机理。
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关键词
栅氧损伤
闩锁效应
可控硅(SCR)
微光显微镜(emmi)技术
激光诱导阻值变化
(
OBIRCH)
技术
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Keywords
gate oxide damage
latch-up effect
silicon controlled rectifier （SCR）
emission mi- croscope （emmi） technology
optical beam induce resistance change （OBIRCH） technology
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分类号
TN432
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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题名电源管理IC失效模式验证及定位方法
被引量：4
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作者
龚瑜
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机构
深圳赛意法微电子有限公司
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2018年第5期394-400,共7页
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文摘
电源管理集成电路（IC）的自动测试机（ATE）测试故障主要包括连续性失效、直流参数测试失效、交流参数测试失效和功能测试失效。ATE测试适用于大规模量产的不良产品的筛选,但是将ATE测试结果直接应用于失效分析依然存在覆盖局限性问题。针对不同功能测试结果,采用了不同的失效模式验证和分析方法。综合运用I-V曲线测试仪、示波器、函数发生器等仪器进行失效模式验证;使用微光显微镜、光诱导电阻变化仪器进行缺陷的失效定位;并借助电路原理图、版图进行故障假设;分析由过电应力、静电放电损伤、封装缺陷等导致的物理损伤;最终揭示了电源管理IC功能失效的主要原因。
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关键词
失效定位
功能测试失效
自动测试机(ATE)
微光显微镜(emmi)
光束诱导电阻变化(OBIRCH)
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Keywords
failure localization
function test failure
automatic test equipment （ATE）
emissionmicroscope （emmi）
optical beam induced resistance change （OBIRCH）
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分类号
TN407
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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