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数字式测微光电显微镜
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作者 谢长文 蒋廷槐 曹学东 《仪器仪表学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第4期435-437,共3页
数字式测微光电显微镜谢长文,蒋廷槐,曹学东(中国科学院光电技术研究所)0引言随着现代科学技术的发展,用电表指示瞄准状态,调整读数鼓轮使电表指零,再从读数鼓轮上读出偏离量的光电显微镜已不能满足测量的需要,因为它只能瞄准... 数字式测微光电显微镜谢长文,蒋廷槐,曹学东(中国科学院光电技术研究所)0引言随着现代科学技术的发展,用电表指示瞄准状态,调整读数鼓轮使电表指零,再从读数鼓轮上读出偏离量的光电显微镜已不能满足测量的需要,因为它只能瞄准,用测微鼓轮读数的分辨率低,不能与... 展开更多
关键词 显微镜 微光显微镜 测量
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基于二维微透镜阵列增大手术显微镜出瞳直径方法研究 被引量:1
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作者 于双双 史宣 +1 位作者 杜吉 孟军合 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2014年第10期3342-3346,共5页
医生使用传统含目镜系统的手术显微镜进行手术,当其头部移动时,该系统仅存在很小的出瞳直径,因而这就迫使医生在手术过程中长时间保持头部在特定位置。可见,传统手术显微镜存在显著弊端:长时间持续观察会增加医生的疲劳度。对使用二维... 医生使用传统含目镜系统的手术显微镜进行手术,当其头部移动时,该系统仅存在很小的出瞳直径,因而这就迫使医生在手术过程中长时间保持头部在特定位置。可见,传统手术显微镜存在显著弊端:长时间持续观察会增加医生的疲劳度。对使用二维微透镜阵列(microlens array,MLA)增大目视光学系统出瞳直径进行了理论探讨,并用傅里叶光学原理进行了理论分析。并且在此基础上,设计了增大手术显微镜光学系统出瞳直径的二维微透镜阵列器件,该二维微透镜阵列器件中两个折射面相对放置,且两者相距一个微透镜单元焦距的长度。经计算机模拟计算证明,使用该二维微透镜阵列器件可以有效增大目视光学系统出瞳直径,并可获得更加均匀的出射光束。 展开更多
关键词 增大出瞳直径 手术显微镜 微透镜阵列 微光
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基于显微光谱的组织切片细胞纳米结构研究
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作者 王品 吴烨 +2 位作者 李勇明 李帆 颜芳 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2017年第6期1843-1846,共4页
细胞纳米结构的探测对癌症的早期诊断以及筛查具有非常重要的意义。空域低相干相位显微镜可以探测细胞的纳米结构获取系统参数,但是显微镜的系统参数和细胞纳米结构参数之间存在着复杂的非线性相关关系,需要研究方法加以定量分析。因此... 细胞纳米结构的探测对癌症的早期诊断以及筛查具有非常重要的意义。空域低相干相位显微镜可以探测细胞的纳米结构获取系统参数,但是显微镜的系统参数和细胞纳米结构参数之间存在着复杂的非线性相关关系,需要研究方法加以定量分析。因此,基于一维高斯场模型加一维多层介质模型模拟空域低相干相位显微镜的背散射光谱,实验结果表明模型预测结果与实际测量结果基本一致。对已知纳米结构的组织切片光谱建模,通过统计方法分析了系统参数与细胞纳米结构参数的相关关系,验证了系统参数确实能反映细胞纳米结构参数的变化,并量化了系统参数的反映水平。研究成果为基于空域低相干相位显微镜的癌症早期诊断提供了新的理论基础和方法依据。 展开更多
关键词 细胞纳米结构参数 组织切片 微光 空域低相干相位显微镜
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由栅氧损伤引起闩锁效应的失效分析 被引量:4
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作者 刘楠 刘大鹏 +1 位作者 张辉 祝伟明 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2015年第6期468-472,共5页
随着MOS器件特征尺寸的缩小和栅氧化层厚度的减薄,栅氧损伤成为MOS集成电路在实际应用中的主要失效模式之一。闩锁是CMOS集成电路结构所固有的寄生效应,寄生的可控硅结构一旦被特定条件触发,会在电源与地之间形成大电流通路,导致整个器... 随着MOS器件特征尺寸的缩小和栅氧化层厚度的减薄,栅氧损伤成为MOS集成电路在实际应用中的主要失效模式之一。闩锁是CMOS集成电路结构所固有的寄生效应,寄生的可控硅结构一旦被特定条件触发,会在电源与地之间形成大电流通路,导致整个器件失效。对一例由栅氧损伤引起器件闩锁效应的失效进行分析。通过微光显微镜(EMMI)技术和激光诱导阻值变化(OBIRCH)技术进行失效定位,在电路板级通信状态下进行闩锁效应复现及验证。最后通过分析损伤所在的电路功能和器件结构,阐述闩锁效应形成的机理。 展开更多
关键词 栅氧损伤 闩锁效应 可控硅(SCR) 微光显微镜(emmi)技术 激光诱导阻值变化 ( OBIRCH) 技术
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激光微束的高斯能量分布与细胞损伤直径之间的关系
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作者 邱锦辉 吕团孙 杨发通 《福建师范大学学报(哲学社会科学版)》 CAS 1981年第2期29-34,共6页
本文论述激光微束照射细胞的损伤点直径和聚焦光斑上能量密度的测试方法。用JWS-l型激光微光束仪在100倍和40倍显微物镜下,对人体红血球细胞进行照射,其最小穿孔直径分别等于0.8微米和1.5微米。分析和讨论了细胞的损伤点直径、穿孔直径... 本文论述激光微束照射细胞的损伤点直径和聚焦光斑上能量密度的测试方法。用JWS-l型激光微光束仪在100倍和40倍显微物镜下,对人体红血球细胞进行照射,其最小穿孔直径分别等于0.8微米和1.5微米。分析和讨论了细胞的损伤点直径、穿孔直径和激光微束束腰直径之间的高斯几何学关系。认为用中性滤光片衰减激光能量的方法,激光微束直径并不改变,但可得到:细胞穿孔直径~细胞损伤直径~激光微束束腰直径。 展开更多
关键词 激光能量密度 能量分布曲线 微光 中性滤光片 显微物镜 聚焦光斑 激光波长 激光微束 显微镜 光斑直径
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电源管理IC失效模式验证及定位方法 被引量:4
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作者 龚瑜 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2018年第5期394-400,共7页
电源管理集成电路(IC)的自动测试机(ATE)测试故障主要包括连续性失效、直流参数测试失效、交流参数测试失效和功能测试失效。ATE测试适用于大规模量产的不良产品的筛选,但是将ATE测试结果直接应用于失效分析依然存在覆盖局限性问题... 电源管理集成电路(IC)的自动测试机(ATE)测试故障主要包括连续性失效、直流参数测试失效、交流参数测试失效和功能测试失效。ATE测试适用于大规模量产的不良产品的筛选,但是将ATE测试结果直接应用于失效分析依然存在覆盖局限性问题。针对不同功能测试结果,采用了不同的失效模式验证和分析方法。综合运用I-V曲线测试仪、示波器、函数发生器等仪器进行失效模式验证;使用微光显微镜、光诱导电阻变化仪器进行缺陷的失效定位;并借助电路原理图、版图进行故障假设;分析由过电应力、静电放电损伤、封装缺陷等导致的物理损伤;最终揭示了电源管理IC功能失效的主要原因。 展开更多
关键词 失效定位 功能测试失效 自动测试机(ATE) 微光显微镜(emmi) 光束诱导电阻变化(OBIRCH)
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集成电路多层互连结构故障定位方法 被引量:3
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作者 龚瑜 黄彩清 刘颖 《电子显微学报》 CAS CSCD 北大核心 2020年第2期206-213,共8页
随着超大规模集成电路特征尺寸的不断缩小,晶圆级失效点的尺寸也随之不断减小,使得常规的失效定位方法EMMI,OBIRCH已无法满足深亚微米级别故障定位的要求。为了能够实现更精准定位缺陷位置,本文提出了一种先进的深层互连缺陷探测技术:... 随着超大规模集成电路特征尺寸的不断缩小,晶圆级失效点的尺寸也随之不断减小,使得常规的失效定位方法EMMI,OBIRCH已无法满足深亚微米级别故障定位的要求。为了能够实现更精准定位缺陷位置,本文提出了一种先进的深层互连缺陷探测技术:微探针测试定位方法。同时,将故障区域划分为浅层金属,底层金属,深层金属及互连通孔缺陷,提出了根据多层互连金属的结构选择对应定位分析技术的方法,分析和讨论了这几种位置缺陷探测的特点以及推荐的故障定位技术。通过实例分析揭示集成电路多层金属互连失效的主要失效机理,对提高失效分析的成功率以及深亚微米的集成电路的设计有着重要的参考作用。 展开更多
关键词 失效定位 热成像分析 微探针测试 微光显微镜 集成电路
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彩虹缺陷的失效验证方法及机理分析 被引量:2
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作者 龚瑜 黄彩清 《电子显微学报》 CAS CSCD 北大核心 2021年第3期311-319,共9页
随着集成电路特征尺寸的不断缩小,对晶圆制造工艺提出来更大挑战。彩虹效应是指晶圆局部或边缘处因异物,膜内分层,镀层厚度等原因导致晶粒表面所呈现的变色现象。本文基于模拟开关芯片开展失效分析,在芯片内晶粒局部检测到彩虹效应。并... 随着集成电路特征尺寸的不断缩小,对晶圆制造工艺提出来更大挑战。彩虹效应是指晶圆局部或边缘处因异物,膜内分层,镀层厚度等原因导致晶粒表面所呈现的变色现象。本文基于模拟开关芯片开展失效分析,在芯片内晶粒局部检测到彩虹效应。并通过应用失效验证,电学参数测试,依据EMMI,OBIRCH的漏电流定位结果及电路原理图分析验证了彩虹效应对集成电路的电性能参数的影响。同时,借用FIB,EDS,XPS等物理分析方法,揭示了彩虹效应的失效机理。该案例展示了EMMI,OBIRCH在集成电路内部缺陷无损定位和分析的作用,为边缘缺陷的验证提供技术手段。 展开更多
关键词 彩虹效应 失效定位 集成电路 微光显微镜 光诱导电阻变化
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电子束吸收电流表征方法在芯片失效分析中的应用 被引量:1
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作者 虞勤琴 庞凌华 于会生 《半导体技术》 CAS 北大核心 2020年第3期244-248,共5页
随着集成电路芯片关键尺寸和金属连线线宽越来越小,传统的失效点定位方法,如微光显微镜或光束诱导电阻变化等,由于分辨率的限制不能精确地定位故障点。电压衬度分析方法虽然在一些开路、短路失效分析中能快速地定位失效点,但是其局限于... 随着集成电路芯片关键尺寸和金属连线线宽越来越小,传统的失效点定位方法,如微光显微镜或光束诱导电阻变化等,由于分辨率的限制不能精确地定位故障点。电压衬度分析方法虽然在一些开路、短路失效分析中能快速地定位失效点,但是其局限于芯片同层分析。电子束吸收电流(EBAC)表征方法由于其定位精准且不局限于同层分析被越来越多地应用于先进制程芯片的失效分析。通过对开路、高阻和短路失效样品的分析,体现了EBAC方法在集成电路芯片失效分析中的独特优势,在涉及多层金属层的失效定位分析时,EBAC方法更加简便精确,可保证分析的成功率并缩短分析周期。 展开更多
关键词 电子束吸收电流(EBAC) 失效分析 芯片 电压衬度 微光显微镜
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