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在GaN生长初期形貌发展的观察(英文)
1
作者
袁海荣
陈振
+4 位作者
陆大成
刘祥林
韩培德
王晓晖
汪度
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001年第z1期29-32,共4页
报道了对GaN在生长初期形貌发展的观察和形貌的高度分布演化。形貌观察发现GaN外延层由分离的岛转化为连续的膜 ,形貌的发展显示GaN经历了横向生长的阶段。利用原子力显微镜有数字化记录的特点 ,从形貌的观察中也得到了外延层高度分布 ...
报道了对GaN在生长初期形貌发展的观察和形貌的高度分布演化。形貌观察发现GaN外延层由分离的岛转化为连续的膜 ,形貌的发展显示GaN经历了横向生长的阶段。利用原子力显微镜有数字化记录的特点 ,从形貌的观察中也得到了外延层高度分布 ,发现高度分布可用单峰或多峰高斯分布拟合。通过与形貌特征的对比 ,发现宽而且不对称的分布对应着岛状的外延层形貌 ,可以用多峰高斯分布拟和 ;窄而且对称的分布则对应着比较连续的膜 ,可以用单峰高斯分布拟和。
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关键词
形貌发展
GAN外延层
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职称材料
在GaN生长初期形貌发展的观察(英文)
2
作者
袁海荣
陈振
+4 位作者
陆大成
刘祥林
韩培德
王晓晖
汪度
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001年第S1期29-32,共4页
报道了对GaN在生长初期形貌发展的观察和形貌的高度分布演化。形貌观察发现GaN外延层由分离的岛转化为连续的膜 ,形貌的发展显示GaN经历了横向生长的阶段。利用原子力显微镜有数字化记录的特点 ,从形貌的观察中也得到了外延层高度分布 ...
报道了对GaN在生长初期形貌发展的观察和形貌的高度分布演化。形貌观察发现GaN外延层由分离的岛转化为连续的膜 ,形貌的发展显示GaN经历了横向生长的阶段。利用原子力显微镜有数字化记录的特点 ,从形貌的观察中也得到了外延层高度分布 ,发现高度分布可用单峰或多峰高斯分布拟合。通过与形貌特征的对比 ,发现宽而且不对称的分布对应着岛状的外延层形貌 ,可以用多峰高斯分布拟和 ;窄而且对称的分布则对应着比较连续的膜 ,可以用单峰高斯分布拟和。
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关键词
形貌发展
GAN外延层
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职称材料
题名
在GaN生长初期形貌发展的观察(英文)
1
作者
袁海荣
陈振
陆大成
刘祥林
韩培德
王晓晖
汪度
机构
中国科学院半导体研究所半导体材料科学开放实验室
出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001年第z1期29-32,共4页
基金
国家自然科学基金资助项目 ( 6 0 0 86 0 0 1
6 990 6 0 0 2 )
国家重点基础研究项目专项支持 (G2 0 0 0 0 6 83)~~
文摘
报道了对GaN在生长初期形貌发展的观察和形貌的高度分布演化。形貌观察发现GaN外延层由分离的岛转化为连续的膜 ,形貌的发展显示GaN经历了横向生长的阶段。利用原子力显微镜有数字化记录的特点 ,从形貌的观察中也得到了外延层高度分布 ,发现高度分布可用单峰或多峰高斯分布拟合。通过与形貌特征的对比 ,发现宽而且不对称的分布对应着岛状的外延层形貌 ,可以用多峰高斯分布拟和 ;窄而且对称的分布则对应着比较连续的膜 ,可以用单峰高斯分布拟和。
关键词
形貌发展
GAN外延层
Keywords
morpholoy development
GaN epilayer
分类号
TN312.8 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
在GaN生长初期形貌发展的观察(英文)
2
作者
袁海荣
陈振
陆大成
刘祥林
韩培德
王晓晖
汪度
机构
中国科学院半导体研究所半导体材料科学开放实验室
出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001年第S1期29-32,共4页
基金
国家自然科学基金资助项目 ( 6 0 0 86 0 0 1
6 990 6 0 0 2 )
国家重点基础研究项目专项支持 (G2 0 0 0 0 6 83)~~
文摘
报道了对GaN在生长初期形貌发展的观察和形貌的高度分布演化。形貌观察发现GaN外延层由分离的岛转化为连续的膜 ,形貌的发展显示GaN经历了横向生长的阶段。利用原子力显微镜有数字化记录的特点 ,从形貌的观察中也得到了外延层高度分布 ,发现高度分布可用单峰或多峰高斯分布拟合。通过与形貌特征的对比 ,发现宽而且不对称的分布对应着岛状的外延层形貌 ,可以用多峰高斯分布拟和 ;窄而且对称的分布则对应着比较连续的膜 ,可以用单峰高斯分布拟和。
关键词
形貌发展
GAN外延层
Keywords
morpholoy development
GaN epilayer
分类号
O482.31 [理学—固体物理]
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题名
作者
出处
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1
在GaN生长初期形貌发展的观察(英文)
袁海荣
陈振
陆大成
刘祥林
韩培德
王晓晖
汪度
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001
0
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职称材料
2
在GaN生长初期形貌发展的观察(英文)
袁海荣
陈振
陆大成
刘祥林
韩培德
王晓晖
汪度
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001
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