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题名ECLD激光器三种模型的双稳特性比较
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作者
李海琴
黄立平
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机构
青海民族大学电子工程与信息科学系
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第7期661-664,700,共5页
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文摘
为了研究频率偏离增益峰值时光栅外腔半导体激光器的双稳特性,对比了以前研究双稳态的原简化模型和近期建立的H参量简化模型、H参量模型所得的双稳环环宽及其存在的条件;采用数值计算和模拟的方法,讨论了三种模型在不同剩余反射率下的双稳环环宽与频率的关系,将H参量简化模型、H参量模型在相同模式中环宽随剩余反射率的变化曲线进行了比较。结果表明,三种模型在增益峰值处的双稳特性相同,第一种模型只能反映增益峰值处的双稳特性,后两种模型能够展示调谐范围内的双稳特性,但在增益峰值两侧新的两种模型的双稳特性有很大的差异,所以在研究ECLD的双稳特性时考虑双稳环随H参量的变化而倾斜十分必要。
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关键词
激光技术
H参量模型
H参量简化模型
归一化环宽
剩余反射率
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Keywords
laser technology
H parameter model
H parameter simplified model
normalized loop width
residual reflectivity
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分类号
TN248
[电子电信—物理电子学]
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