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毫米波频段下MOSFET漏极电流噪声的统一模型
1
作者
罗震
王军
《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2017年第8期80-84,共5页
纳米级金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)精确的高频噪声模型是毫米波集成电路低功耗设计的重要基础,而现有的高频漏极噪声模型不仅没有融合器件的衬底效应和栅电阻效应,也没有充分考虑器件的频率和偏置依赖性。针对上述问题,基于纳...
纳米级金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)精确的高频噪声模型是毫米波集成电路低功耗设计的重要基础,而现有的高频漏极噪声模型不仅没有融合器件的衬底效应和栅电阻效应,也没有充分考虑器件的频率和偏置依赖性。针对上述问题,基于纳米MOSFET器件的物理特性,并结合漂移扩散方程和有效栅极过载,建立统一表征强反区到弱反区的频率和偏置依赖性的漏极噪声模型,使之便于移植到先进设计系统(ADS)仿真设计。通过所建模型的仿真结果与实验测试结果进行比较,验证所建模型的准确性。同时比较所建模型对130nm和40nm MOSFET两种不同工艺器件的实用性,验证其对表征40nm MOSFET的毫米波噪声特性的优越性。
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关键词
漏极电流噪声
毫米波
弱反区
噪声模型
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职称材料
题名
毫米波频段下MOSFET漏极电流噪声的统一模型
1
作者
罗震
王军
机构
西南科技大学信息工程学院
出处
《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2017年第8期80-84,共5页
基金
国家自然科学基金项目(69901003)
四川省教育厅资助科研项目
文摘
纳米级金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)精确的高频噪声模型是毫米波集成电路低功耗设计的重要基础,而现有的高频漏极噪声模型不仅没有融合器件的衬底效应和栅电阻效应,也没有充分考虑器件的频率和偏置依赖性。针对上述问题,基于纳米MOSFET器件的物理特性,并结合漂移扩散方程和有效栅极过载,建立统一表征强反区到弱反区的频率和偏置依赖性的漏极噪声模型,使之便于移植到先进设计系统(ADS)仿真设计。通过所建模型的仿真结果与实验测试结果进行比较,验证所建模型的准确性。同时比较所建模型对130nm和40nm MOSFET两种不同工艺器件的实用性,验证其对表征40nm MOSFET的毫米波噪声特性的优越性。
关键词
漏极电流噪声
毫米波
弱反区
噪声模型
Keywords
MOSFET
MOSFET
drain current noise
millimeter-wave
weak inversion region
noise model
分类号
TN386.1 [电子电信—物理电子学]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
毫米波频段下MOSFET漏极电流噪声的统一模型
罗震
王军
《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2017
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