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粗化预电镀引线框架的可靠性研究 被引量：1
1
作者 张德良 朱林 +2 位作者 郑浩帅 杨永学 黄伟 《电镀与精饰》 北大核心 2025年第3期67-72,共6页
使用自主研发的电镀粗镍用电镀液,制备了粗化预电镀引线框架产品,并对产品粗化度的影响因素进行了研究,最终量化了粗化度与可靠性之间的关系。研究结果表明,电镀液中的主盐及微结构剂含量、电流密度、镀镍层厚度是影响预电镀引线框架表... 使用自主研发的电镀粗镍用电镀液,制备了粗化预电镀引线框架产品,并对产品粗化度的影响因素进行了研究,最终量化了粗化度与可靠性之间的关系。研究结果表明,电镀液中的主盐及微结构剂含量、电流密度、镀镍层厚度是影响预电镀引线框架表面粗化度的关键因素,将框架表面粗化度S-ratio控制在≥1.2,能够保证粗化预电镀引线框架的可靠性,该研究有望推动实现该类产品的国产化替代。 展开更多
关键词 电镀粗镍 电镀液 引线框架 粗化度 可靠性
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线性霍尔磁传感芯片用引线框架设计 被引量：2
2
作者 叶明盛 时亚南 +1 位作者 李菊萍 侯晓伟 《传感器与微系统》 CSCD 北大核心 2024年第2期124-126,共3页
线性霍尔磁传感芯片的金属引线框架部件在待检测磁场中具有聚磁效应和涡流效应,会干扰待测磁场,使磁场强度偏离真实值,导致检测准确度变差。对含磁组分金属框架和不同结构尺寸的框架进行仿真分析后,得出无磁组分材质及小尺寸结构设计可... 线性霍尔磁传感芯片的金属引线框架部件在待检测磁场中具有聚磁效应和涡流效应,会干扰待测磁场,使磁场强度偏离真实值,导致检测准确度变差。对含磁组分金属框架和不同结构尺寸的框架进行仿真分析后,得出无磁组分材质及小尺寸结构设计可改善金属框架对待检测磁场的干扰,并且对小尺寸结构框架的施工方案进行分析。最终制备得到一种线性霍尔磁传感芯片,通过自主搭建的环境对芯片进行测试,得到354.8 kHz的带宽值。 展开更多
关键词 电磁学 引线框架 磁场仿真 涡流效应
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粗化预电镀引线框架的可键合性研究 被引量：2
3
作者 张德良 朱林 +3 位作者 郑浩帅 杨永学 黄伟 赵耀军 《电镀与精饰》 CAS 北大核心 2024年第12期107-113,共7页
本文采用技术验证与统计学检验方法,使用自主研发的一款电镀粗镍用电化学沉积液,制备了粗化预电镀引线框架产品,并对产品可键合性能的影响因素进行了研究。研究结果表明,通过优化粗镍用电化学沉积液中的分散剂含量以及金层、钯层、镍层... 本文采用技术验证与统计学检验方法,使用自主研发的一款电镀粗镍用电化学沉积液,制备了粗化预电镀引线框架产品,并对产品可键合性能的影响因素进行了研究。研究结果表明,通过优化粗镍用电化学沉积液中的分散剂含量以及金层、钯层、镍层的厚度,可显著提升粗化预电镀引线框架的可键合性,制备出的粗化预电镀引线框架产品的键合性能完全满足行业内的应用要求,有望实现该类产品的国产化替代。 展开更多
关键词 电镀粗镍 电化学沉积液 引线框架 统计学检验
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铜基引线框架材料的研究与发展 被引量：95
4
作者 马莒生 黄福祥 +3 位作者 黄乐 耿志挺 宁洪龙 韩振宇 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第1期1-4,共4页
引线框架材料是半导体元器件和集成电路封装的主要材料之一，其主要功能为电路连接、散热、机械支撑等。随着ＩＣ向高密度、小型化、大功率、低成本方向发展，集成电路Ｉ／Ｏ数目增多、引脚间距减小，对引线框架材料提出了高强度、高导... 引线框架材料是半导体元器件和集成电路封装的主要材料之一，其主要功能为电路连接、散热、机械支撑等。随着ＩＣ向高密度、小型化、大功率、低成本方向发展，集成电路Ｉ／Ｏ数目增多、引脚间距减小，对引线框架材料提出了高强度、高导电、高导热等多方面性能上的要求。由于拥有良好的导电导热性能，铜合金已成为主要的引线框架材料。本文对电子封装铜合金引线框架材料的性能要求、国内外研究与发展等进行了综述。 展开更多
关键词 引线框架材料 铜合金 电子封装 半导体器件 集成电路
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铜合金引线框架材料的发展 被引量：96
5
作者 赵冬梅 董企铭 +2 位作者 刘平 金志浩 黄金亮 《材料导报》 EI CAS CSCD 2001年第5期18-20,共3页
介绍了国内外铜合金框架材料研究、生产现状,叙述了开发高强、高导铜合金的基本原理及制备方法,并对国内外高强、高导铜合金的研究和开发应用情况进行了综述,同时评述了铜合金引线框架材料的发展动向。
关键词 铜合金引线框架材料 强化 导电率 高强度高导电铜合金 制备
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Cu-Ni-Si基引线框架合金的组织和性能 被引量：30
6
作者 汪黎 孙扬善 +2 位作者 付小琴 薛烽 陈曦 《东南大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第5期729-732,共4页
设计了4种不同成分的引线框架铜合金,通过对比其硬度、强度、导电性以及软化温度等,分析了合金中P,Ni,Si,Cr合金元素对合金各性能的影响.研究结果表明:采用合理的热处理工艺可以使Cu-3Ni-0.6Si基合金在时效过程中析出尺寸在20～40 nm之... 设计了4种不同成分的引线框架铜合金,通过对比其硬度、强度、导电性以及软化温度等,分析了合金中P,Ni,Si,Cr合金元素对合金各性能的影响.研究结果表明:采用合理的热处理工艺可以使Cu-3Ni-0.6Si基合金在时效过程中析出尺寸在20～40 nm之间的δ-Ni2Si颗粒,使合金的强度和导电率达到良好的匹配;微量的P能有效地提高合金的强度、硬度和弹性模量,同时使Ni2Si析出颗粒的弥散度提高,尺寸减小,但会降低合金的导电率;少量的Cr能有效提高合金的强度和软化温度. 展开更多
关键词 引线框架 铜合金 Ni2Si
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Cu-Ni-Si系引线框架用铜合金成分设计 被引量：60
7
作者 曹育文 马莒生 +3 位作者 唐祥云 王碧文 王世民 李红 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第4期723-727,共5页
研究了合金元素对ＣｕＮｉＳｉ 系列引线框架用铜合金性能的影响。发现合金中时效析出物具有与δＮｉ２Ｓｉ 相似的晶体结构，Ｎｉ 及Ｓｉ 元素含量对材料硬度和电导率有很大影响。当Ｎｉ 及Ｓｉ 元素含量增大时， 由于析出物数... 研究了合金元素对ＣｕＮｉＳｉ 系列引线框架用铜合金性能的影响。发现合金中时效析出物具有与δＮｉ２Ｓｉ 相似的晶体结构，Ｎｉ 及Ｓｉ 元素含量对材料硬度和电导率有很大影响。当Ｎｉ 及Ｓｉ 元素含量增大时， 由于析出物数量增多， 材料硬度增加； 当Ｎｉ 与Ｓｉ 原子数之比小于２ 时， 材料电导率明显下降，这是由于过剩Ｓｉ 元素以固溶原子形式存在， 强烈损害材料电导率的结果。加入Ｚｎ 元素后， 保温过程中Ｚｎ 元素在合金与ＳｎＰｂ 共晶焊料界面处偏聚， 阻碍脆性金属间化合物层的形成， 在４２５ Ｋ 保温１ ０００ ｈ后， 铜合金与焊料间结合良好。 展开更多
关键词 引线框架 铜合金 硬度 电导率 钎焊 合金设计
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集成电路用铜基引线框架材料的发展与展望 被引量：19
8
作者 李银华 刘平 +3 位作者 田保红 贾淑果 任凤章 张毅 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第7期24-26,47,共4页
综述了集成电路对铜基引线框架材料的性能要求,指出好的导电导热和强度性能是引线框架材料最主要的性能要求;讨论了铜基引线框架材料的国内外研究现状,指出我国的引线框架材料无论是质量还是数量都与其他工业发达国家有很大的差距,并指... 综述了集成电路对铜基引线框架材料的性能要求,指出好的导电导热和强度性能是引线框架材料最主要的性能要求;讨论了铜基引线框架材料的国内外研究现状,指出我国的引线框架材料无论是质量还是数量都与其他工业发达国家有很大的差距,并指出微合金化铜基材料具有成为高强高导引线框架材料的潜力。 展开更多
关键词 集成电路 铜基引线框架 微合金化 强度 导电率
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集成电路用引线框架材料的研究现状与趋势 被引量：49
9
作者 向文永 陈小祝 +3 位作者 匡同春 成晓玲 钟秋生 刘国洪 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第3期122-125,共4页
作为集成电路中关键的一个组成部分,近年来引线框架得到了极大发展。概述了目前集成电路用引线框架材料的一些研究进展,包括引线框架的功能、制备工艺、成分设计及其对材料的性能要求等,重点介绍了铜基引线框架材料的特性和研发动态,最... 作为集成电路中关键的一个组成部分,近年来引线框架得到了极大发展。概述了目前集成电路用引线框架材料的一些研究进展,包括引线框架的功能、制备工艺、成分设计及其对材料的性能要求等,重点介绍了铜基引线框架材料的特性和研发动态,最后,提出了今后引线框架材料的研究方向。 展开更多
关键词 集成电路 铜合金 引线框架材料
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粘片机引线框架的空间凸轮供送机构设计 被引量：13
10
作者 李克天 陈新 +3 位作者 吴小洪 王晓初 何汉武 彭卫东 《中国机械工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第1期54-56,共3页
讨论了IC芯片粘片机的引线框架直线间歇式供送机构和空间凸轮的工作原理。利用空间凸轮在xy平面和z方向的轮廓曲线变化,控制从动零件实现预定的运动规律。将空间凸轮与从动件接触的结构设计成双边斜面,利用两斜面的作用使分叉的腕支架... 讨论了IC芯片粘片机的引线框架直线间歇式供送机构和空间凸轮的工作原理。利用空间凸轮在xy平面和z方向的轮廓曲线变化,控制从动零件实现预定的运动规律。将空间凸轮与从动件接触的结构设计成双边斜面,利用两斜面的作用使分叉的腕支架能够在斜面两侧和z方向受到凸轮的合力作用。另外,腕支架可以绕自身几何中心轴转动,自动调整接触轮同凸轮的接触状态,以适应空间凸轮斜面轮廓的圆周运动。将凸轮坯料安装在立式数控铣床xy工作台面,只用三轴联动的方式,便能加工出空间凸轮轮廓。该机构能使勾爪实现空间切入、直线进给、侧向定位、微量回程、空间退出和返程的循环动作。 展开更多
关键词 粘片机 引线框架 空间凸轮 机构
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引线框架铜合金氧化特性的研究现状 被引量：11
11
作者 黄福祥 马莒生 +3 位作者 宁洪龙 黄乐 韩振宇 徐忠华 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第1期29-32,共4页
铜合金由于具有优良的导电导热性能，已在现代集成电路塑料封装中占据了引线框架材料８０％的份额。但铜合金容易氧化，其氧化膜被认为是塑料封装再流焊工艺中的分层和裂纹的主要原因之一，因此引线框架铜合金的氧化特性引起了人们的广... 铜合金由于具有优良的导电导热性能，已在现代集成电路塑料封装中占据了引线框架材料８０％的份额。但铜合金容易氧化，其氧化膜被认为是塑料封装再流焊工艺中的分层和裂纹的主要原因之一，因此引线框架铜合金的氧化特性引起了人们的广泛注意。为获得铜合金引线框架良好的可靠性，不少材料工作者对铜合金在塑料封装中的氧化特性及其对铜合金与环氧树脂模压料（ＥＭＣ）的粘接强度的影响进行了研究，为此，本文对引线框架铜合金的氧化物结构及动力学、铜合金与环氧树脂模塑料（ＥＭＣ）粘接强度的影响因素等领域的研究进行了综述。 展开更多
关键词 塑料封装 铜合金 引线框架 氧化 粘接强度 集成电路
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高强度Cu-Ni-Si系引线框架材料研究进展 被引量：12
12
作者 范莉 刘平 +2 位作者 贾淑果 田保红 张毅 《热加工工艺》 CSCD 北大核心 2008年第20期104-107,共4页
综述了引线框架用Cu-Ni-Si材料中Ni、Si元素质量比及含量对Cu-Ni-Si合金性能的影响,归纳总结了Cu-Ni-Si合金的强化机制、影响电导率的因素,并简单列举了Cr、Zn、P、Al微量元素加入的机理,介绍了不同热处理工艺对Cu-Ni-Si系合金性能的影响。
关键词 引线框架 CU-NI-SI合金 热处理工艺
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引线框架Cu-Cr-Sn-Zn合金时效组织与性能 被引量：7
13
作者 苏娟华 董企铭 +2 位作者 刘平 李贺军 康布熙 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2004年第2期201-203,共3页
研究了不同时效工艺对Cu Cr Sn Zn合金的显微组织、硬度和导电性能的影响。合金在 4 5 0℃时效 1小时形成了有序的原子排列 ;同时细小弥散的Cr相与基体保持着共格关系。 5 0 0℃时效 30min比 5 0 0℃时效1 5min析出相更加弥散。最佳时... 研究了不同时效工艺对Cu Cr Sn Zn合金的显微组织、硬度和导电性能的影响。合金在 4 5 0℃时效 1小时形成了有序的原子排列 ;同时细小弥散的Cr相与基体保持着共格关系。 5 0 0℃时效 30min比 5 0 0℃时效1 5min析出相更加弥散。最佳时效工艺条件可取 4 5 0℃时效 3h～ 6h ,硬度为 1 2 0～ 1 0 6HV ,导电率达 6 8%IACS～70 %IACS。 5 0 0℃时效 2h～ 3h ,硬度为 1 1 2～ 1 0 9HV ,导电率达 6 6 %IACS～ 6 9%IACS。 展开更多
关键词 引线框架 Cu-Cr-Sn-Zn合金 时效组织 显微组织 硬度 导电性能
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集成电路用金属铜基引线框架和电子封装材料研究进展 被引量：36
14
作者 陈文革 王纯 《材料导报》 EI CAS CSCD 2002年第7期29-30,57,共3页
针对集成电路向高密度、小型化、多功能化发展,介绍了国内外传统的和以铜为基复合新型的引线框架和电子封装材料的性能、研究、生产现状以及存在的问题。同时展望了铜合金及其复合的引线框架和电子封装材料的发展趋势。
关键词 集成电路 电子封装材料 研究进展 引线框架 铜基合金 复合材料
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FeNi42引线框架材料的研究进展 被引量：7
15
作者 付锐 冯涤 +1 位作者 陈希春 朱筱北 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第11期85-87,共3页
FeNi42合金常被用于制作高可靠性陶瓷封装集成电路的引线框架。随着集成电路向高集成度、多功能化和小型化方向发展,其引线数增多、引线间距减小,因此对引线框架材料的强度和冲裁加工性能提出了更高的要求。主要概述了在提高引线框架用F... FeNi42合金常被用于制作高可靠性陶瓷封装集成电路的引线框架。随着集成电路向高集成度、多功能化和小型化方向发展,其引线数增多、引线间距减小,因此对引线框架材料的强度和冲裁加工性能提出了更高的要求。主要概述了在提高引线框架用FeNi42合金薄带强度和冲裁加工性能方面的研究进展,指出合金中非金属夹杂物的数量、尺寸和分布对带材性能有重要的影响,同时分析了国产该材料存在的主要问题。 展开更多
关键词 引线框架材料 FeNi42合金 集成电路
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KFC引线框架铜合金带材的生产工艺研究 被引量：2
16
作者 黄国杰 谢水生 +2 位作者 闫晓东 涂思京 李兴刚 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第z1期2207-2210,共4页
引线框架用铜带是集成电路的重要基础材料.KFC合金是具有代表性的高导电引线框架材料之一.本文在分析和比较国内厂家生产的KFC引线框架铜带与韩国优质KFC样品的性能和指标的基础上,进一步分析研究了不同熔铸工艺、水平连铸工艺、轧制工... 引线框架用铜带是集成电路的重要基础材料.KFC合金是具有代表性的高导电引线框架材料之一.本文在分析和比较国内厂家生产的KFC引线框架铜带与韩国优质KFC样品的性能和指标的基础上,进一步分析研究了不同熔铸工艺、水平连铸工艺、轧制工艺及热处理工艺对KFC引线框架材料组织和性能的影响.分析结果将对优化KFC引线框架带材的生产工艺提供依据. 展开更多
关键词 引线框架材料 铜合金 KFC 组织性能 生产工艺
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引线框架用铜合金C194的制备与性能研究 被引量：5
17
作者 龙红军 杨元政 +1 位作者 陈小祝 陶平均 《热加工工艺》 CSCD 北大核心 2009年第16期125-128,132,共5页
采用形变热处理工艺制备了引线框架用铜合金C194,利用直流低电阻测试仪、维氏硬度计、金相显微镜和扫描电镜等研究了形变热处理工艺中时效温度和时间、二次时效间的冷轧形变率尤其是最终精轧率对热轧态C194性能和组织的影响。结果表明:... 采用形变热处理工艺制备了引线框架用铜合金C194,利用直流低电阻测试仪、维氏硬度计、金相显微镜和扫描电镜等研究了形变热处理工艺中时效温度和时间、二次时效间的冷轧形变率尤其是最终精轧率对热轧态C194性能和组织的影响。结果表明:形变热处理工艺为时效前预先冷轧37.5%、二次时效(500℃×2h+500℃×2h)、一次时效后以50%形变率冷轧,二次时效后终轧形变率为60%,轧制路线为1.6mm→1.0mm→0.5mm→0.2mm时,试样获得最佳综合性能,导电率为78%IACS,强度为550MPa,硬度为158.9HV,且具有良好的抗高温软化性能。 展开更多
关键词 引线框架 铜合金C194 热轧态 形变热处理 终轧形变率
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引线框架材料C194x的组织性能分析 被引量：2
18
作者 曹兴民 郭富安 +3 位作者 向朝建 慕思国 杨春秀 朱雯 《热加工工艺》 CSCD 北大核心 2006年第14期22-24,共3页
利用光镜、SEM和TEM等手段研究了热处理对合金微观组织的影响,通过测定应力-应变曲线、维氏硬度和电导率来研究合金的性能变化规律,并分析了材料组织性能变化的机理。
关键词 引线框架材料 铜合金 变形量
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KFC铜合金引线框架带材的连续挤压制造技术 被引量：6
19
作者 孙海洋 闫志勇 樊志新 《现代制造工程》 CSCD 北大核心 2011年第12期83-87,共5页
针对目前KFC铜合金引线框架带材主要生产方法中存在的生产工艺流程长、设备投资大、产品成品率低和成本高等问题,提出KFC铜合金引线框架带材的连续挤压制造技术,并通过企业的生产运行,验证了该方法的技术可行性和工艺可行性,使企业的产... 针对目前KFC铜合金引线框架带材主要生产方法中存在的生产工艺流程长、设备投资大、产品成品率低和成本高等问题,提出KFC铜合金引线框架带材的连续挤压制造技术,并通过企业的生产运行,验证了该方法的技术可行性和工艺可行性,使企业的产品生产效率、质量和品种等多方面水平得到提高,尤其具有良好的节能减排优势。 展开更多
关键词 KFC铜合金 引线框架 连续挤压 带材
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引线框架用铜合金材料弯曲回弹有限元分析 被引量：7
20
作者 张国军 苏娟华 《热加工工艺》 CSCD 北大核心 2011年第7期91-93,96,共4页
阐述了引线框架材料在国内外的研究与发展现状,着重分析了铜合金材料的弯曲回弹量。利用三维软件建立弯曲模型,然后在模拟软件中进行模拟,进行计算和必要的后处理后,最后根据有关数据计算出四种铜合金材料的弯曲回弹量的大小,得出四种... 阐述了引线框架材料在国内外的研究与发展现状,着重分析了铜合金材料的弯曲回弹量。利用三维软件建立弯曲模型,然后在模拟软件中进行模拟,进行计算和必要的后处理后,最后根据有关数据计算出四种铜合金材料的弯曲回弹量的大小,得出四种铜合金材料CuFeP、CuCrSnZn、CuCrZrMg、CuNiSi的回弹量由大到小顺序排列为:CuCrZrMg、CuNiSi、CuFeP、CuCrSnZn,表明四种引线框架铜合金材料的弯曲性能依次增大;铜合金框架材料的最小弯曲半径越小,其回弹量越小。 展开更多
关键词 引线框架 铜合金 弯曲回弹 有限元分析
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