二维半金属/硅异质结中肖特基势垒高度的准确高效预测

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作者 诸海渝 文卓群 +2 位作者 熊稳 魏兴战 王峙 《物理化学学报》 北大核心 2025年第7期95-102,共8页

肖特基势垒高度(SBH)的准确预测对优化半金属/半导体异质结器件的性能至关重要。目前,二维半金属/半导体异质结构已在实验上得到广泛研究。然而,基于第一性原理的SBH预测通常需要在包含超过10^(3)个原子的超胞中求解从头算哈密顿量。计... 肖特基势垒高度(SBH)的准确预测对优化半金属/半导体异质结器件的性能至关重要。目前,二维半金属/半导体异质结构已在实验上得到广泛研究。然而,基于第一性原理的SBH预测通常需要在包含超过10^(3)个原子的超胞中求解从头算哈密顿量。计算复杂度的增加不仅导致效率极低,还限制了异质结器件的设计和优化。本研究采用密度泛函理论结合核心能级对准方法,将过渡金属二碲化物半金属/硅异质结的超胞尺寸减少了一个数量级,计算得到的SBH与实验结果一致。进一步研究了多种二维半金属化合物,结果表明候选材料的空穴SBH均低于电子SBH,此外,厚度效应在三到五层后变得可以忽略不计。本研究为复杂异质结构中SBH计算提供一种高效的计算框架,能够为高性能二维半金属异质结器件的优化设计提供理论依据。 展开更多

关键词 肖特基势垒高度 半金属/硅异质结构 核心能级对准方法 第一性原理 晶格失配

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氧原子吸附调控蓝磷/石墨烯异质结构的肖特基势垒 被引量：1

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作者 段汪洋 程悦桓 +2 位作者 胡吉松 马新国 裴玲 《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2023年第10期1980-1990,共11页

控制纳米电子器件的p型传输仍然是降低肖特基势垒的主要挑战。为了解决这个问题,采用半经验色散校正方案的第一性原理,系统研究了不同浓度的O原子吸附掺杂对蓝磷/石墨烯异质结构层间相互作用和电子性质的影响。结果表明,异质结界面内的... 控制纳米电子器件的p型传输仍然是降低肖特基势垒的主要挑战。为了解决这个问题,采用半经验色散校正方案的第一性原理,系统研究了不同浓度的O原子吸附掺杂对蓝磷/石墨烯异质结构层间相互作用和电子性质的影响。结果表明,异质结界面内的O原子吸附可以增强界面结合。并通过改变界面内O原子吸附浓度来调节p型肖特基势垒的高度。进一步发现,通过增加界面内O原子的吸附浓度,可以降低p型肖特基势垒的高度,从而实现高效的电荷转移。最后,界面电荷的重新分布会导致费米能级的移动,而费米能级决定了肖特基势垒的高度。 展开更多

关键词 蓝磷 石墨烯 氧吸附 肖特基势垒 异质结

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对具有结终端保护的4H-SiC肖特基势垒二极管的研究 被引量：1

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作者 张发生 李欣然 《中南林业科技大学学报》 CAS CSCD 北大核心 2010年第5期179-183,共5页

在对4H—SiC高压肖特基势垒二极管进行了理论分析的基础上,利用仿真软件ISE10.0对具有结终端保护的4H—SiC高压肖特基势垒二极管耐压特性进行了模拟仿真计算,并取得了很多有价值的计算结果。利用平面制造工艺,结合仿真提取的参数,试制... 在对4H—SiC高压肖特基势垒二极管进行了理论分析的基础上,利用仿真软件ISE10.0对具有结终端保护的4H—SiC高压肖特基势垒二极管耐压特性进行了模拟仿真计算,并取得了很多有价值的计算结果。利用平面制造工艺,结合仿真提取的参数,试制了4H—SiC肖特基势垒二极管。实验测试结果表明,仿真计算的结果与实际样品测试的数据一致性较好,实测器件反向耐压值已达到1 800 V。 展开更多

关键词 肖特基势垒二极管 结终端技术 模拟 反向耐压 工艺

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一种超结高压肖特基势垒二极管

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作者 龚红 马奎 +2 位作者 傅兴华 丁召 杨发顺 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第9期666-670,共5页

改善反向击穿电压和正向导通电阻之间的矛盾关系一直以来都是功率半导体器件的研究热点之一。介绍了一种超结肖特基势垒二极管(SJ-SBD),将p柱和n柱交替构成的超结结构引入肖特基势垒二极管中作为耐压层,在保证正向导通电阻足够低的同时... 改善反向击穿电压和正向导通电阻之间的矛盾关系一直以来都是功率半导体器件的研究热点之一。介绍了一种超结肖特基势垒二极管(SJ-SBD),将p柱和n柱交替构成的超结结构引入肖特基势垒二极管中作为耐压层,在保证正向导通电阻足够低的同时提高了器件的反向耐压。在工艺上通过4次n型外延和4次选择性p型掺杂实现了超结结构。基于相同的外延层厚度和相同的外延层杂质浓度分别设计和实现了常规SBD和SJ-SBD,测试得到常规SBD的最高反向击穿电压为110 V,SJ-SBD的最高反向击穿电压为229 V。实验结果表明,以超结结构作为SBD的耐压层能保证正向压降等参数不变的同时有效提高击穿电压,且当n柱和p柱中的电荷量相等时SJ-SBD的反向击穿电压最高。 展开更多

关键词 肖特基势垒二极管(SBD) 击穿电压 超结结构 超结肖特基二极管(SJ-SBD) 功率器件

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基于超结结构的肖特基势垒二极管（英文）

5

作者 马奎 杨发顺 傅兴华 《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第1期134-139,共6页

在功率半导体器件中,高的反向击穿电压和低的正向导通电阻之间的矛盾关系是影响其发展的主要因素之一,选用超结结构替代功率半导体器件中的传统电压支持层能够有效缓解这一矛盾关系。该文设计和实现了一种超结肖特基二极管,其中的电压... 在功率半导体器件中,高的反向击穿电压和低的正向导通电阻之间的矛盾关系是影响其发展的主要因素之一,选用超结结构替代功率半导体器件中的传统电压支持层能够有效缓解这一矛盾关系。该文设计和实现了一种超结肖特基二极管,其中的电压支持层采用P柱和N柱交替构成的超结结构。在器件的制作方面,选用成熟的单步微电子工艺,通过4次N型外延和4次选择性P型掺杂来实现超结结构。为便于对比分析,设计传统肖特基二极管和超结肖特基二极管的电压支持层厚度一致,且超结结构中P柱和N柱的杂质浓度均和传统肖特基二极管的电压支持层浓度一致。测试得到传统肖特基二极管的反向击穿电压为110 V,而超结肖特基二极管的反向击穿电压为229 V。表明采用超结结构作为功率半导体器件的电压支持层能够有效提高反向击穿电压,同时降低器件的正向导通电阻,并且当P柱区和N柱区内的电荷量一致时器件的击穿电压最高。 展开更多

关键词 击穿电压 导通电阻 肖特基势垒二极管 超结

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MoS_(2)-In与MoS_(2)-Au异质结界面构型对势垒影响研究

6

作者 李国军 李中军 +3 位作者 郑雅惠 汪汉浠 宋宇轩 朱闻新 《合肥工业大学学报（自然科学版）》 CAS 北大核心 2024年第6期818-822,828,共6页

文章采用第一性原理计算方法对比研究单层二硫化钼(MoS 2)与In、Au形成的异质结的界面构型对界面势垒的影响。能带结构和束缚能计算表明,MoS_(2)-In和MoS_(2)-Au异质结是范德华接触;由于界面In原子d轨道和Au原子s轨道电子态空间分布各... 文章采用第一性原理计算方法对比研究单层二硫化钼(MoS 2)与In、Au形成的异质结的界面构型对界面势垒的影响。能带结构和束缚能计算表明,MoS_(2)-In和MoS_(2)-Au异质结是范德华接触;由于界面In原子d轨道和Au原子s轨道电子态空间分布各向异性和各向同性,界面势垒对构型表现出不同的依赖性;MoS_(2)-In和MoS_(2)-Au异质结的界面势垒明显偏离Schottky-Mott定则的预测值,电子密度差分结果分析证明,界面电荷转移形成的偶极层是势垒偏离的主要原因。研究结果表明,通过界面构型调控偶极层是调控MoS_(2)-In和MoS_(2)-Au范德华异质结界面势垒的一种新方法。 展开更多

关键词 肖特基势垒 MoS_(2)-In异质结 MoS_(2)-Au异质结 界面偶极 界面构型

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Ge/SiGe异质结构肖特基源漏MOSFET

7

作者 张茂添 刘冠洲 +4 位作者 李成 王尘 黄巍 赖虹凯 陈松岩 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第2期108-113,共6页

制备了氧化铪(HfO2)高k介质栅Si基Ge/SiGe异质结构肖特基源漏场效应晶体管(SB-MOSFET)器件,研究了n型掺杂Si0.16Ge0.84层对器件特性的影响,分析了n型掺杂SiGe层降低器件关态电流的机理。使用UHV CVD沉积系统,采用低温Ge缓冲层技术进行... 制备了氧化铪(HfO2)高k介质栅Si基Ge/SiGe异质结构肖特基源漏场效应晶体管(SB-MOSFET)器件,研究了n型掺杂Si0.16Ge0.84层对器件特性的影响,分析了n型掺杂SiGe层降低器件关态电流的机理。使用UHV CVD沉积系统,采用低温Ge缓冲层技术进行了材料生长,首先在Si衬底上外延Ge缓冲层,随后生长32 nm Si0.16Ge0.84和12 nm Ge,并生长1 nm Si作为钝化层。使用原子力显微镜和X射线衍射对材料形貌和晶体质量进行表征,在源漏区沉积Ni薄膜并退火形成NiGe/Ge肖特基结,制备的p型沟道肖特基源漏MOSFET,其未掺杂Ge/SiGe异质结构MOSFET器件的空穴有效迁移率比相同工艺条件制备的硅器件的高1.5倍,比传统硅器件空穴有效迁移率提高了80%,掺杂器件的空穴有效迁移率与传统硅器件的相当。 展开更多

关键词 Ge SiGe异质结构 肖特基势垒

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ZnO肖特基势垒紫外探测器 被引量：11

8

作者 高晖 邓宏 李燕 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第1期135-138,共4页

以p Si(111)为衬底,用水热法首次制得六棱微管ZnO。并以此为有源区利用平面磁控溅射技术沉积得到Ag叉指状电极,从而制作了Ag/n ZnO肖特基势垒结紫外探测器。对该紫外光探测器的暗电流和 365nm波长光照下的光电流、光响应和量子效率进行... 以p Si(111)为衬底,用水热法首次制得六棱微管ZnO。并以此为有源区利用平面磁控溅射技术沉积得到Ag叉指状电极,从而制作了Ag/n ZnO肖特基势垒结紫外探测器。对该紫外光探测器的暗电流和 365nm波长光照下的光电流、光响应和量子效率进行了测试。测试结果表明:Ag和ZnO六棱管间已形成肖特基接触,其有效势垒高度为 0. 35eV。无光照时,暗电流很小,当用λ=365nm的光照射Ag/n ZnO肖特基结时,在 5, 9V偏压时,光生电流分别为 25. 6, 57. 9μA。Ag/n ZnO紫外探测器有明显的光响应特性和较高的量子效率,在 366nm波长处,光响应度达到最大值 0. 161A/W,量子效率为 54. 7%。 展开更多

关键词 六棱微管ZnO 肖特基势垒结 紫外光探测器 I-V特性 光响应度 置子效率

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快速热退火对Co/Si_(0.85)Ge_(0.15)肖特基结电学特性的影响

9

作者 王光伟 姚素英 +1 位作者 肖夏 徐文慧 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第9期924-928,共5页

用离子束溅射技术分别在SiO2和单晶Si衬底上沉积了Si1-xGex和Co薄膜。在不同温度下,对Co/Si1-xGex肖特基结进行快速热退火处理(RTA),对处理后的样品进行了表面形貌和电学测量。发现退火温度升高,样品表面粗糙度变大,理想因子也变大,但... 用离子束溅射技术分别在SiO2和单晶Si衬底上沉积了Si1-xGex和Co薄膜。在不同温度下,对Co/Si1-xGex肖特基结进行快速热退火处理(RTA),对处理后的样品进行了表面形貌和电学测量。发现退火温度升高,样品表面粗糙度变大,理想因子也变大,但对肖特基势垒高度(SBH)的影响很小。分析认为,随着退火温度的升高,金属/半导体界面缺陷态密度的增加是造成理想因子变大的主要原因。界面态对费米能级的"钉扎"以及固相反应生成锗硅化钴与Co的功函数大致相同,是SBH基本不随温度变化的主要因素。 展开更多

关键词 快热退火 肖特基结 肖特基势垒高度 电学特性

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快热退火对Co/n-Poly-SiGe肖特基结I-V-T特性的影响

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作者 王光伟 姚素英 +1 位作者 徐文慧 王雅欣 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2011年第5期582-586,共5页

采用射频磁控溅射法在n-Si(100)衬底上沉积Si1-xGex薄膜,俄歇电子谱(AES)测定Si1-xGex薄膜的Ge含量约为17%。对薄膜进行高温磷扩散掺杂,制得n-poly-Si0.83Ge0.17。在n-poly-Si0.83Ge0.17薄膜上溅射一层Co膜,制成Co/n-poly-Si0.83Ge0.17/... 采用射频磁控溅射法在n-Si(100)衬底上沉积Si1-xGex薄膜,俄歇电子谱(AES)测定Si1-xGex薄膜的Ge含量约为17%。对薄膜进行高温磷扩散掺杂,制得n-poly-Si0.83Ge0.17。在n-poly-Si0.83Ge0.17薄膜上溅射一层Co膜,制成Co/n-poly-Si0.83Ge0.17/n-Si肖特基结样品。在300～600℃范围内,对样品做快热退火。对不同退火温度下的样品做I-V-T测试。研究发现,测试温度升高,不同退火温度样品的肖特基势垒高度(SBH)的差别变小,500℃退火的样品,表观SBH最小。总体上,SBH随测试温度的升高而变大,理想因子的变化趋势则与之相反。基于SBH的不均匀分布建模,对实验结果给出了较为合理的解释。 展开更多

关键词 变温I-V测试 肖特基结 快热退火 理想因子 肖特基势垒高度的不均匀性

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AlGaN/GaN横向肖特基势垒二极管抗浪涌电流特性与封装方案 被引量：2

11

作者 冯威 徐尉宗 +3 位作者 周峰 曾昶琨 任芳芳 陆海 《半导体技术》 CAS 北大核心 2022年第5期354-359,396,共7页

基于AlGaN/GaN异质结构的横向肖特基势垒二极管(SBD)在新一代功率电子技术中具有应用潜力。而面对复杂电气环境中的电流过冲及振荡效应,抗浪涌电流能力是器件可靠工作的重要保障。首先通过对混合阳极结构的优化,降低了AlGaN/GaN基SBD的... 基于AlGaN/GaN异质结构的横向肖特基势垒二极管(SBD)在新一代功率电子技术中具有应用潜力。而面对复杂电气环境中的电流过冲及振荡效应,抗浪涌电流能力是器件可靠工作的重要保障。首先通过对混合阳极结构的优化,降低了AlGaN/GaN基SBD的开启电压(0.22 V),并提高了器件正向导通能力;在此基础上,通过半正弦脉冲电流产生电路评估了器件的抗浪涌电流能力,发现采用引线键合封装的器件可承受的最大浪涌电流密度约为250 A/cm^(2),这一电流强度主要受限于肖特基电极边缘电流拥挤效应导致的热击穿。为提高近表面器件沟道的散热能力,采用了倒装的封装方式。实验证实倒装封装可以有效抑制热集聚效应,并提高器件的抗浪涌电流能力。 展开更多

关键词 AlGaN/GaN异质结构 肖特基势垒二极管(SBD) 浪涌电流 热效应 倒装封装

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高压4H-SiC肖特基二极管的模拟及研制 被引量：3

12

作者 张发生 李欣然 《湖南大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第7期47-50,共4页

结终端技术能提高4 H-SiC肖特基势垒二极管器件的耐压性能.利用仿真软件ISE-TCAD10.0对具有结终端扩展JTE保护的4 H-SiC SBD器件进行了仿真研究,并依据仿真优化好的参数试制了器件.实验测试结果表明,模拟优化结果与实验测试器件的结果... 结终端技术能提高4 H-SiC肖特基势垒二极管器件的耐压性能.利用仿真软件ISE-TCAD10.0对具有结终端扩展JTE保护的4 H-SiC SBD器件进行了仿真研究,并依据仿真优化好的参数试制了器件.实验测试结果表明,模拟优化结果与实验测试器件的结果一致性较好,实测此器件的反向电压值达2 000 V,接近理想击穿耐压88%,漏电流数值为0.1mA/cm2. 展开更多

关键词 肖特基势垒二极管 结终端扩展 模拟 击穿耐压 实验

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金属-石墨相氮化碳纳米管异质结的光催化研究进展 被引量：1

13

作者 孙秋凡 朱玉香 +2 位作者 钟翔 蒋萌 姚建峰 《精细化工》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第7期1414-1427,1437,共15页

异质结构是一系列含有不同组分材料形成的单一结构的纳米复合材料。金属-石墨相氮化碳纳米管异质结材料由于具有金属和氮化碳纳米管组合的独特结构、良好的抗光腐蚀性能、较高的可见光利用率、更多的活性位点和较低的还原反应电位等特... 异质结构是一系列含有不同组分材料形成的单一结构的纳米复合材料。金属-石墨相氮化碳纳米管异质结材料由于具有金属和氮化碳纳米管组合的独特结构、良好的抗光腐蚀性能、较高的可见光利用率、更多的活性位点和较低的还原反应电位等特点被广泛关注。此外,异质结本身特有的结构和光学性能极大提高和拓展了其在光催化领域的潜在应用。该文介绍了金属材料的性质、金属-氮化碳纳米管异质结的制备方法和结构调控以及该复合材料近期在光催化应用中的进展。阐述了金属-石墨相氮化碳纳米管异质结材料的性质、制备方法以及该材料在光催化领域中的应用,提出了金属-石墨相氮化碳纳米管异质结材料目前的局限性和未来的发展趋势。 展开更多

关键词 金属 异质结 肖特基势垒 石墨相氮化碳纳米管 光催化

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Pb/PbSe Schottky 势垒结研究

14

作者 方龙森 《上海交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1991年第1期81-86,共6页

本文对形成Ⅳ-Ⅵ族PbSe 金属-半导体肖特基势垒结之工艺和为了提高该器件的R_0A 值,将氯化物作为Pb/PbSe 界面的机理作了研究.本文还研究了具有PbCl_x 界面的PbSe 肖特基势垒结的特性模型化,同时给出了R_0,n,R_(SH),和Φ_B 等模型参数... 本文对形成Ⅳ-Ⅵ族PbSe 金属-半导体肖特基势垒结之工艺和为了提高该器件的R_0A 值,将氯化物作为Pb/PbSe 界面的机理作了研究.本文还研究了具有PbCl_x 界面的PbSe 肖特基势垒结的特性模型化,同时给出了R_0,n,R_(SH),和Φ_B 等模型参数的提取方法.测量表明具有界面层的Pb/PbSe势垒结显示了良好的电学性能. 展开更多

关键词 界面层 肖特基势垒结 PB PBSE

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双层MoS_(2)/VS_(2)范德瓦耳斯异质结中界面特性的改善与光学性能的提升

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作者 潘乘风 时安琪 +3 位作者 孙大中 李沙沙 王冰 牛相宏 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2023年第11期2007-2013,共7页

利用基于密度泛函理论的第一性原理计算研究了不同层数MoS_(2)和VS_(2)堆垛形成的范德瓦耳斯异质结的电子结构和光学性能。通过从头算分子动力学验证了两种异质结在室温下的稳定性。此外,两种异质结均显示p型肖特基接触,但相较于单层MoS... 利用基于密度泛函理论的第一性原理计算研究了不同层数MoS_(2)和VS_(2)堆垛形成的范德瓦耳斯异质结的电子结构和光学性能。通过从头算分子动力学验证了两种异质结在室温下的稳定性。此外,两种异质结均显示p型肖特基接触,但相较于单层MoS_(2)构成的异质结,在双层MoS_(2)和VS_(2)堆垛形成的异质结中,势垒高度从0.36 eV显著降低到0.08 eV,有效地形成了低接触电阻,有助于降低载流子输运损失的能量。光吸收光谱的计算表明,双层MoS_(2)构成的异质结具有更高的吸收峰值。研究成果对基于MoS_(2)的异质结设计以及在高性能光电器件方面的应用提供了理论依据。 展开更多

关键词 密度泛函理论 MoS_(2) 电子结构 范德瓦耳斯异质结 肖特基势垒 光吸收

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ZnO基紫外光电探测器的研究进展 被引量：8

16

作者 刘云燕 袁玉珍 +1 位作者 李洁 高绪团 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第10期9-11,16,共4页

ZnO基紫外光探测器被认为是目前研究紫外探测器的重点之一。简要介绍了ZnO基紫外光探测器采用的基本结构:包括光电导型、肖特基势垒型以及p-n结型;比较了不同结构的ZnO紫外光探测器所具有的优缺点,对光电导型、肖特基势垒型以及p-n结型... ZnO基紫外光探测器被认为是目前研究紫外探测器的重点之一。简要介绍了ZnO基紫外光探测器采用的基本结构:包括光电导型、肖特基势垒型以及p-n结型;比较了不同结构的ZnO紫外光探测器所具有的优缺点,对光电导型、肖特基势垒型以及p-n结型紫外光探测器近几年的发展分别进行了详细评述。 展开更多

关键词 ZnO基 紫外光探测器 MSM 光电导 肖特基势垒 p-n结

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ZnO基紫外探测器及关键技术研究 被引量：2

17

作者 范晓玲 刘俊成 刘云燕 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2009年第5期468-472,共5页

对ZnO基紫外光探测器的原理、结构、特点进行了论述,并对探测器制备过程中的关键技术进行了探讨。

关键词 ZNO 紫外探测器 光电导 肖特基势垒 p-n结

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GaN基可见盲紫外探测器及其研究进展 被引量：6

18

作者 苏现军 王武杰 +2 位作者 赵岚 王宏杰 吕福云 《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2004年第4期406-410,共5页

介绍了GaN基的3种可见盲紫外光探测器: p-i-N结、肖特基势垒和金属-半导体-金属紫外光 探测器,并对其工作原理、特性和发展现状进行了综述。

关键词 光电子学 紫外探测器 P-i-n结 肖特基势垒

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CuO－SnO_2半导体陶瓷气敏机理研究 被引量：8

19

作者 周晓华 徐毓龙 曹全喜 《功能材料》 EI CAS CSCD 1995年第1期32-35,共4页

本文根据实验结果，分析了以ＳｎＯ＿２为主体材料的ＣｕＯ作添加剂的ＣｕＯ－ＳｎＯ＿２气敏传感器的敏感性能，并从理论上对其气敏机理进行了探讨。

关键词 半导体陶瓷 气敏机理 气敏传感器 异质p-n结肖特基势垒 表面氧吸附

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AlGaN/GaN HEMT在不同温度下的退化规律及退化机理

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作者 郭春生 任云翔 +2 位作者 高立 冯士维 李世伟 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第8期636-639,共4页

基于温度步进应力实验,研究了AlGaN/GaN HEMT器件在不同温度应力下的退化规律及退化机理。实验发现：在结温为139~200℃时,AlGaN/GaN HEMT器件的漏源电流随退化时间逐渐减小;而在结温为200~352℃时,漏源电流随退化时间逐渐增大。分析表... 基于温度步进应力实验,研究了AlGaN/GaN HEMT器件在不同温度应力下的退化规律及退化机理。实验发现：在结温为139~200℃时,AlGaN/GaN HEMT器件的漏源电流随退化时间逐渐减小;而在结温为200~352℃时,漏源电流随退化时间逐渐增大。分析表明：结温低于200℃时,AlGaN施主原子的离化导致肖特基势垒高度升高;而在结温高于200℃时,表面氧杂质的扩散导致肖特基势垒高度逐渐降低。通过计算肖特基势垒高度,进一步定量的验证势垒高度的变化。而势垒高度的变化又引起阈值电压的漂移,进而影响漏源电流的变化。因此漏源电流的退化主要是由于势垒高度的变化引起的。 展开更多

关键词 ALGAN/GAN HEMT 温度步进应力 结温 肖特基势垒高度 阈值电压

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