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GaAs/AlAs异质谷间转移电子器件动态工作模式的模拟研究
被引量：
1
1
作者
薛舫时
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1998年第8期51-55,共5页
使用量子阱能带混合隧穿共振理论及MonteCarlo模拟方法计算了GaAs／AlAs异质谷间转移电子器件的静态和动态工作特性．发现有源层中的电场及Г、X和L三能谷的电子布居基本上可分为强场立能谷区和弱场耿氏区两部分．控制掺杂接日的浓度能...
使用量子阱能带混合隧穿共振理论及MonteCarlo模拟方法计算了GaAs／AlAs异质谷间转移电子器件的静态和动态工作特性．发现有源层中的电场及Г、X和L三能谷的电子布居基本上可分为强场立能谷区和弱场耿氏区两部分．控制掺杂接日的浓度能调制这两区域的相对大小，控制两种谷间转移电子效应的相互作用，从而改变器件的静态和动态性能动态模拟给出了器件的新射频工作模式：上能谷电子区的宽度调制和低场耿氏区电场的上下浮动．运用这一工作模式解释了器件的各类新工作特性。
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关键词
异质谷间转移
电子器件
模拟
半导体
异质
结构
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职称材料
GaAs／AlAs异质谷间转移电子器件微波振荡特性的研究
2
作者
薛舫时
邓衍茂
张崇仁
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1996年第2期17-21,共5页
本文介绍了应用直接带隙ＧａＡｓ和间接带隙ＡｌＡｓ构成的量子阱产生异质谷间转移电子效应来制作新毫米波振荡器件一异质谷间转移电子器件，概述了器件的结构和基本的微波工作特性。器件已在８ｍｍ波段输出３２０ｍＷ连续波功率，最高...
本文介绍了应用直接带隙ＧａＡｓ和间接带隙ＡｌＡｓ构成的量子阱产生异质谷间转移电子效应来制作新毫米波振荡器件一异质谷间转移电子器件，概述了器件的结构和基本的微波工作特性。器件已在８ｍｍ波段输出３２０ｍＷ连续波功率，最高振荡效率８％，脉冲工作时输出功率达２Ｗ，效率１０％，然后着重介绍该器件的振荡频率，输出功率随偏压的变化关系，突出它与常规耿氏器件之间的差异。最后简要描述器件计算机模拟中求出的器件内的电场结构和两能谷电流分布以及正反向偏压下器件交流工作中的电场结构，由此解释了实验中观察到的种种工作特性。从而深化了对异质谷间转移电子器件及其工作机理的研究。
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关键词
异质谷间转移
电子器件
正反向偏置器件
振荡
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职称材料
题名
GaAs/AlAs异质谷间转移电子器件动态工作模式的模拟研究
被引量：
1
1
作者
薛舫时
机构
半导体超晶格国家重点实验室
出处
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1998年第8期51-55,共5页
基金
国家自然科学基金
文摘
使用量子阱能带混合隧穿共振理论及MonteCarlo模拟方法计算了GaAs／AlAs异质谷间转移电子器件的静态和动态工作特性．发现有源层中的电场及Г、X和L三能谷的电子布居基本上可分为强场立能谷区和弱场耿氏区两部分．控制掺杂接日的浓度能调制这两区域的相对大小，控制两种谷间转移电子效应的相互作用，从而改变器件的静态和动态性能动态模拟给出了器件的新射频工作模式：上能谷电子区的宽度调制和低场耿氏区电场的上下浮动．运用这一工作模式解释了器件的各类新工作特性。
关键词
异质谷间转移
电子器件
模拟
半导体
异质
结构
Keywords
Heterostructure intervalley transferred electron devices, Dynamic simulation, Operation mode
分类号
TN303 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
GaAs／AlAs异质谷间转移电子器件微波振荡特性的研究
2
作者
薛舫时
邓衍茂
张崇仁
机构
北京半导体超晶格国家重点实验室
出处
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1996年第2期17-21,共5页
基金
国家自然科学基金
文摘
本文介绍了应用直接带隙ＧａＡｓ和间接带隙ＡｌＡｓ构成的量子阱产生异质谷间转移电子效应来制作新毫米波振荡器件一异质谷间转移电子器件，概述了器件的结构和基本的微波工作特性。器件已在８ｍｍ波段输出３２０ｍＷ连续波功率，最高振荡效率８％，脉冲工作时输出功率达２Ｗ，效率１０％，然后着重介绍该器件的振荡频率，输出功率随偏压的变化关系，突出它与常规耿氏器件之间的差异。最后简要描述器件计算机模拟中求出的器件内的电场结构和两能谷电流分布以及正反向偏压下器件交流工作中的电场结构，由此解释了实验中观察到的种种工作特性。从而深化了对异质谷间转移电子器件及其工作机理的研究。
关键词
异质谷间转移
电子器件
正反向偏置器件
振荡
Keywords
Heterostructure intervalley transferred electron device,Oscillating behavior for forward and reverse biased devices,Operation model of heterostructure intervalley transferred electron device
分类号
TN103 [电子电信—物理电子学]
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作者
出处
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1
GaAs/AlAs异质谷间转移电子器件动态工作模式的模拟研究
薛舫时
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1998
1
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职称材料
2
GaAs／AlAs异质谷间转移电子器件微波振荡特性的研究
薛舫时
邓衍茂
张崇仁
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1996
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