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氧化镓异质衬底集成技术研究进展: 1; 作者瞿振宇徐文慧 +9 位作者江昊东梁恒硕赵天成谢银飞孙华锐邹新波游天桂齐红基韩根全欧欣《人工晶体学报》北大核心 2025年第3期470-490,共21页; 超宽禁带氧化镓在高功率和射频器件领域显示出巨大发展潜力。然而,氧化镓固有的极低热导率和p型掺杂困难问题限制了其器件性能和结构设计。异质集成是突破单一材料性能极限,变革提升器件性能的关键技术。本文综述了异质外延、机械剥离... 展开更多; 关键词氧化镓异质衬底集成异质外延机械剥离离子束剥离转移热管理; 在线阅读下载PDF 职称材料

异质衬底外延碲镉汞薄膜位错抑制技术进展: 2; 作者杨晋李艳辉 +6 位作者杨春章覃钢李俊斌雷文孔金丞赵俊姬荣斌《红外技术》 CSCD 北大核心 2022年第8期828-836,共9页; 分子束外延碲镉汞技术是制备第三代红外焦平面探测器的重要手段,基于异质衬底的碲镉汞材料具有尺寸大、成本低、与常规半导体设备兼容等优点,是目前低成本高性能红外探测器发展中的研究重点。对异质衬底上碲镉汞薄膜位错密度随厚度的变... 展开更多; 关键词碲镉汞异质衬底位错抑制循环退火位错阻挡台面位错吸除; 在线阅读下载PDF 职称材料

异质外延碲镉汞薄膜的位错抑制技术被引量：1: 3; 作者覃钢李东升 +5 位作者夏宗泽邸卓陈卫业杨晋杨春章李艳辉《红外技术》 CSCD 北大核心 2019年第5期405-412,共8页; 本文简述了MBE异质外延碲镉汞薄膜位错形成机理、位错在外延层中的演化过程以及位错抑制理论,总结了国内外CdTe缓冲层的位错抑制技术、HgCdTe薄膜的位错抑制技术,分析了热循环退火技术各个要素与位错密度变化之间的关系。; 关键词异质衬底碲镉汞位错抑制循环退火腐蚀坑密度; 在线阅读下载PDF 职称材料

昆明物理研究所分子束外延碲镉汞薄膜技术进展被引量：6: 4; 作者孔金丞李艳辉 +10 位作者杨春章杨晋覃钢陈卫业陈逍玄任洋王善力胡旭王向前李雄军赵俊《人工晶体学报》 EI CAS 北大核心 2020年第12期2221-2229,共9页; 碲镉汞(MCT)自从问世以来一直是高端红外(IR)探测器领域的首选材料,分子束外延碲镉汞技术具有低成本异质外延、材料能带精准调控、原位成结等优势,是第三代红外焦平面陈列(FPA)器件研制的重要手段。本文报道了昆明物理研究所分子束外延(... 展开更多; 关键词分子束外延碲镉汞碲锌镉衬底异质衬底红外探测器; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名氧化镓异质衬底集成技术研究进展: 1; 作者瞿振宇徐文慧江昊东梁恒硕赵天成谢银飞孙华锐邹新波游天桂齐红基韩根全欧欣; 机构中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海科技大学信息科学与技术学院哈尔滨工业大学(深圳) 中国科学院上海光学精密机械研究所杭州光学精密机械研究所西安电子科技大学微电子学院; 出处《人工晶体学报》北大核心 2025年第3期470-490,共21页; 基金上海市战略前沿项目(24DP1500100) 国家自然科学基金(62404236,62293520,62293521)。; 文摘超宽禁带氧化镓在高功率和射频器件领域显示出巨大发展潜力。然而,氧化镓固有的极低热导率和p型掺杂困难问题限制了其器件性能和结构设计。异质集成是突破单一材料性能极限,变革提升器件性能的关键技术。本文综述了异质外延、机械剥离和离子束剥离转移三种氧化镓异质集成技术的最新研究进展,重点对比分析不同集成技术在材料质量、电学和热学特性及器件性能等方面的优缺点,并针对衬底种类、界面成键方式、过渡层厚度对纵向散热和电子输运的影响进行探讨。同时,本文对当前氧化镓异质集成技术所面临的挑战进行分析,并对氧化镓异质集成技术未来的发展趋势进行展望,旨在唤起国内氧化镓异质集成衬底相关研究,推动氧化镓异质集成器件开发,加快推进氧化镓材料和器件产业化应用。; 关键词氧化镓异质衬底集成异质外延机械剥离离子束剥离转移热管理; Keywords Ga_(2)O_(3) heterogenous substrate integration heteroepitaxy mechanical exfoliation ion-cutting thermal management; 分类号 O472 [理学—半导体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名异质衬底外延碲镉汞薄膜位错抑制技术进展: 2; 作者杨晋李艳辉杨春章覃钢李俊斌雷文孔金丞赵俊姬荣斌; 机构昆明物理研究所; 出处《红外技术》 CSCD 北大核心 2022年第8期828-836,共9页; 基金核高基重大专项项目。; 文摘分子束外延碲镉汞技术是制备第三代红外焦平面探测器的重要手段,基于异质衬底的碲镉汞材料具有尺寸大、成本低、与常规半导体设备兼容等优点,是目前低成本高性能红外探测器发展中的研究重点。对异质衬底上碲镉汞薄膜位错密度随厚度的变化规律进行了建模计算,结果显示ρ~1/h 模型与实验结果吻合度好,异质衬底上原生碲镉汞薄膜受位错反应半径制约,其位错密度无法降低至 5×10^(5)cm^(-2)以下,难以满足长波、甚长波器件的应用需求。为了有效降低异质外延的碲镉汞材料位错密度,近年来出现了循环退火、位错阻挡和台面位错吸除等位错抑制技术,本文介绍了各技术的原理及进展,分析了后续发展趋势及重点。循环退火和位错阻挡技术突破难度大,发展潜力小,难以将碲镉汞位错密度控制在 5×10cm以内。台面位错吸除技术目前已经显示出了巨大的发展潜力和价值,后续与芯片工艺融合后,有望大幅促进低成本长波、中长波、甚长波器件的发展。; 关键词碲镉汞异质衬底位错抑制循环退火位错阻挡台面位错吸除; Keywords HgCdTe alternative substrates dislocation reduction thermal cycle annealing dislocation blocking mesa dislocation gettering; 分类号 TN304 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名异质外延碲镉汞薄膜的位错抑制技术被引量：1: 3; 作者覃钢李东升夏宗泽邸卓陈卫业杨晋杨春章李艳辉; 机构昆明物理研究所国网辽阳供电公司; 出处《红外技术》 CSCD 北大核心 2019年第5期405-412,共8页; 文摘本文简述了MBE异质外延碲镉汞薄膜位错形成机理、位错在外延层中的演化过程以及位错抑制理论,总结了国内外CdTe缓冲层的位错抑制技术、HgCdTe薄膜的位错抑制技术,分析了热循环退火技术各个要素与位错密度变化之间的关系。; 关键词异质衬底碲镉汞位错抑制循环退火腐蚀坑密度; Keywords hetero-substrate HgCdTe dislocation suppression cycle annealing etch pit density(EPD); 分类号 TN304 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名昆明物理研究所分子束外延碲镉汞薄膜技术进展被引量：6: 4; 作者孔金丞李艳辉杨春章杨晋覃钢陈卫业陈逍玄任洋王善力胡旭王向前李雄军赵俊; 机构昆明物理研究所; 出处《人工晶体学报》 EI CAS 北大核心 2020年第12期2221-2229,共9页; 文摘碲镉汞(MCT)自从问世以来一直是高端红外(IR)探测器领域的首选材料,分子束外延碲镉汞技术具有低成本异质外延、材料能带精准调控、原位成结等优势,是第三代红外焦平面陈列(FPA)器件研制的重要手段。本文报道了昆明物理研究所分子束外延(MBE)MCT薄膜技术进展,包括材料结构、晶体质量、表面缺陷、材料均匀性、掺杂浓度等参数优化控制的研究结果。异质衬底、碲锌镉衬底上MCT薄膜尺寸分别为4英寸(10.16 cm)及2.5 cm×2.5 cm,材料EPD值分别在1×106 cm^-2附近及(3~30)×104 cm^-2范围,表面宏观缺陷密度分别在30 cm^-2附近及100~300 cm^-2范围,薄膜质量与国内外先进水平相当。采用分子束外延MCT薄膜实现了2048×2048中波红外(MWIR)、2048×2048短波甚高分辨率红外(SWIR)焦平面、640×512中短双色红外(S-MWIR)、320×256中中双色红外(M-MWIR)FPA探测器的研制和验证。; 关键词分子束外延碲镉汞碲锌镉衬底异质衬底红外探测器; Keywords molecular beam epitaxy(MBE) HgCdTe CdZnTe substrate alternative substrate IR dector; 分类号 TN215 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	氧化镓异质衬底集成技术研究进展	瞿振宇徐文慧江昊东梁恒硕赵天成谢银飞孙华锐邹新波游天桂齐红基韩根全欧欣	《人工晶体学报》北大核心	2025	0	在线阅读下载PDF 职称材料
2	异质衬底外延碲镉汞薄膜位错抑制技术进展	杨晋李艳辉杨春章覃钢李俊斌雷文孔金丞赵俊姬荣斌	《红外技术》 CSCD 北大核心	2022	0	在线阅读下载PDF 职称材料
3	异质外延碲镉汞薄膜的位错抑制技术	覃钢李东升夏宗泽邸卓陈卫业杨晋杨春章李艳辉	《红外技术》 CSCD 北大核心	2019	1	在线阅读下载PDF 职称材料
4	昆明物理研究所分子束外延碲镉汞薄膜技术进展	孔金丞李艳辉杨春章杨晋覃钢陈卫业陈逍玄任洋王善力胡旭王向前李雄军赵俊	《人工晶体学报》 EI CAS 北大核心	2020	6	在线阅读下载PDF 职称材料