InP双异质结晶体管工艺ROM-Less架构14 GHz DDS 被引量：1

1

作者 张翼 李晓鹏 +4 位作者 张有涛 张敏 杨磊 CAI Zhi-kuang GUO Yu-feng 《微波学报》 CSCD 北大核心 2020年第6期24-28,37,共6页

介绍了采用ft/fmax为250/280 GHz的0.7μm InP双异质结晶体管工艺的14 GHz 8bit ROM-Less直接数字频率合成器。电路采用正弦加权非线性数模转换器实现了一种ROM-Less相幅转换,充分发挥了InP-DHBT技术在中大规模混合信号集成电路中的速... 介绍了采用ft/fmax为250/280 GHz的0.7μm InP双异质结晶体管工艺的14 GHz 8bit ROM-Less直接数字频率合成器。电路采用正弦加权非线性数模转换器实现了一种ROM-Less相幅转换,充分发挥了InP-DHBT技术在中大规模混合信号集成电路中的速度优势。为降低功耗,采用了简化的流水线相位累加器。在整个频率控制字范围内,测试得到的平均无杂散动态范围为24.8 dBc。该电路由2122个晶体管组成,功耗为2.4 W,其优值系数为5.83 GHz/W。 展开更多

关键词 直接数字频率合成器 InP双异质结晶体管 数模转换器 相位累加器

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SiGe基区异质结晶体管电流和频率特性的解析模型 被引量：1

2

作者 刘融 钱文生 魏同立 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1998年第4期384-391,共8页

给出了一个适用于分析SiGe基区异质结晶体管电流和频率特性的解析模型,并利用该模型分析了基区掺杂和组分均级变的SiGe异质结晶体管的电流增益、截止频率、最高振荡频率。模型中考虑了由于基区重掺杂和Ge的掺入引起的禁带窄变效应、载... 给出了一个适用于分析SiGe基区异质结晶体管电流和频率特性的解析模型,并利用该模型分析了基区掺杂和组分均级变的SiGe异质结晶体管的电流增益、截止频率、最高振荡频率。模型中考虑了由于基区重掺杂和Ge的掺入引起的禁带窄变效应、载流子速度饱和效应。解析模型的计算结果与实验的对比证实了本模型可适用于器件的优化设计和电路的模拟。 展开更多

关键词 异质结晶体管 电流增益 频率特性 解析模型

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Si/SiGe异质结晶体管的参数提取与特性模拟

3

作者 杨维明 陈建新 +3 位作者 邹德恕 史辰 李振国 高铭洁 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2004年第11期41-44,共4页

用实验测量和理论计算相结合的方法提取了Si/SiGe 异质结晶体管的直流和高频参数,分别在PSPICE和MATLAB软件平台上模拟并分析了器件的直流和高频特性,模拟结果与实际测量的结果相吻合,表明本文的提取方法可行、参数提取结果有效。

关键词 异质结晶体管 PSPICE MATLAB 模拟

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耗尽型选择性掺杂异质结晶体管

4

作者 陈定钦 张晓玲 +2 位作者 熊思强 高翠华 周帆 《电子科学学刊》 CSCD 1990年第1期100-102,共3页

设计和研制了耗尽型选择性掺杂异质结晶体管。外延选择性掺杂材料是由本所Fs-Ⅲ型分子束外延炉生长的。制作器件的材料在室温下,霍尔测量的电子迁移率为6500cm^2/v·s,二维薄层电子浓度n_s=9×10^(11)cm^2。在77K时μ_n=75000cm... 设计和研制了耗尽型选择性掺杂异质结晶体管。外延选择性掺杂材料是由本所Fs-Ⅲ型分子束外延炉生长的。制作器件的材料在室温下,霍尔测量的电子迁移率为6500cm^2/v·s,二维薄层电子浓度n_s=9×10^(11)cm^2。在77K时μ_n=75000cm^2/v·s。测量了具有栅长1.2—1.5μm,栅宽2×180μm耗尽型异质结器件的直流特性和器件的跨导,室温下g_m=110～130ms/mm,而低温77K时,可达到200ms/mm。 展开更多

关键词 异质结晶体管 掺杂 MBE材料 晶体管

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异质结晶体管的设计与性能 被引量：1

5

作者 苏里曼 《固体电子学研究与进展》 CAS 1987年第2期127-141,共15页

本文较详细地讨论了异质结晶体管的设计原理、材料选用和结构设计。在能带设计方面对宽发射区、缓变基区和多种收集区分别进行了讨论,比较了不同能带结构的优缺点。文章以晶体管的特征频率f_T和最高振荡频率f_(max)为例分析和比较了Ge/G... 本文较详细地讨论了异质结晶体管的设计原理、材料选用和结构设计。在能带设计方面对宽发射区、缓变基区和多种收集区分别进行了讨论,比较了不同能带结构的优缺点。文章以晶体管的特征频率f_T和最高振荡频率f_(max)为例分析和比较了Ge/GaAs,Si/α-Si,GaAs/GaAlAs,InGaAsP/InP四种异质结晶体管的频率特性潜力。文章最后对目前常用的台面结构、平面结构、倒置结构作了介绍,并分析了它们的优缺点,简介了异质结的发展现状和发展方向。 展开更多

关键词 异质结晶体管 INP HBT 器件 双极晶体管 基区 GAAS

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锗硅阳极绝缘栅异质结晶体管

6

作者 文争 《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第1期46-46,共1页

关键词 锗硅阳极绝缘栅异质结晶体管 MOS型 功率器件

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单片低噪声HBT VCO 被引量：3

7

作者 陈新宇 林金庭 陈效建 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1998年第3期269-274,共6页

报道一组单片HBTVCO电路的设计、制作及其测试结果。电路采用HBT作为有源器件，PN结二极管作为变容管。S波段单片VCO的输出功率为0dBm，调谐范围100MHz，在载波频率2．84GHz处，相位噪声为－80dBc／Hz＠100kHz。以C波段单片HBTVCO的输... 报道一组单片HBTVCO电路的设计、制作及其测试结果。电路采用HBT作为有源器件，PN结二极管作为变容管。S波段单片VCO的输出功率为0dBm，调谐范围100MHz，在载波频率2．84GHz处，相位噪声为－80dBc／Hz＠100kHz。以C波段单片HBTVCO的输出功率为－10dBm。这些结果表示HBT在微波与毫米波振荡器运用中具有较好的低相位噪声特性。 展开更多

关键词 异质结晶体管 压控振荡器 微波集成电路 HBT

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SiGe HBT发射区台面自中止腐蚀技术研究 被引量：1

8

作者 贾素梅 杨瑞霞 +2 位作者 刘英坤 邓建国 辛启明 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2011年第9期689-692,共4页

台面结构SiGe/Si异质结晶体管制作过程中,发射区台面形成尤为关键。由于干法刻蚀速率难以精确控制,且易损伤SiGe外基区表面,SiGe自中止湿法腐蚀成为台面结构SiGe/Si异质结晶体管制作过程中的优选工艺。分析了SiGe自中止腐蚀的反应机理,... 台面结构SiGe/Si异质结晶体管制作过程中,发射区台面形成尤为关键。由于干法刻蚀速率难以精确控制,且易损伤SiGe外基区表面,SiGe自中止湿法腐蚀成为台面结构SiGe/Si异质结晶体管制作过程中的优选工艺。分析了SiGe自中止腐蚀的反应机理,对腐蚀条件包括掩蔽膜的选取,温度、超声等因素对腐蚀速率及均匀性的影响进行摸索,取得了较好结果,最终采用该技术完成了SiGe/Si npn型异质结晶体管的制作,测得其电流增益β>80,对采用台面结构制造SiGe/Si HBT具有一定参考价值。 展开更多

关键词 SIGE/SI 异质结晶体管 台面结构 干法刻蚀 自中止腐蚀 腐蚀条件

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SiGe/SiHBT制造中干法、湿法腐蚀技术的研究 被引量：1

9

作者 邹德恕 陈建新 +3 位作者 袁颖 董欣 高国 沈光地 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1997年第1期26-28,共3页

介绍了对ＳｉＧｅ／Ｓｉ材料干法、湿法腐蚀的机理、腐蚀方法、影响腐蚀的主要因素。

关键词 硅锗合金 干法腐蚀 湿法腐蚀 异质结晶体管

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UWB LNA的增益平坦化及稳定性的反馈技术 被引量：1

10

作者 张东晖 张万荣 +3 位作者 金冬月 谢红云 丁春宝 赵昕 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2011年第3期218-222,共5页

从异质结晶体管(HBT)的小信号模型着手,得到了几种不同反馈形式下HBT的S参数解析表达式。通过对比不同反馈形式的仿真结果,分析了各种反馈形式对S参数的影响,并着重研究了反馈技术对电路稳定性以及对超宽带低噪声放大器(UWB LNA)增益平... 从异质结晶体管(HBT)的小信号模型着手,得到了几种不同反馈形式下HBT的S参数解析表达式。通过对比不同反馈形式的仿真结果,分析了各种反馈形式对S参数的影响,并着重研究了反馈技术对电路稳定性以及对超宽带低噪声放大器(UWB LNA)增益平坦度的影响。结果表明,采用串联电阻和电感或并联电阻和电容的电抗性负反馈,可以使S21的幅度随着频率的增大而逐渐上升,从而补偿了晶体管本身高频增益的下降,同时,也提高了整个电路的稳定性。采用这种反馈结构,设计了一款3～10 GHz超宽带低噪声放大器。仿真结果表明,该放大器在整个频带范围内无条件稳定,传输增益较高,增益平坦度较好,噪声系数较低,是一款无条件稳定并有着较好增益平坦度的超宽带低噪声放大器。 展开更多

关键词 电抗反馈 增益平坦化 稳定性 低噪声放大器 锗硅异质结晶体管

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NDRHBT及其构成的单-双稳转换逻辑单元 被引量：1

11

作者 郭维廉 关薇 +4 位作者 牛萍娟 张世林 齐海涛 陈乃金 王伟 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2007年第2期154-158,共5页

设计并研制了InGaP/GaAs/InGaP超薄基区(8nm)负阻异质结晶体管(UTBNDRHBT)。并用它构成一个单-双稳转换逻辑单元(Monostable-bistable transition logic element,简称MOBILE)。经过测试,证实其具有与GRTD、RTD/HEMT构成的MOBILE相类似... 设计并研制了InGaP/GaAs/InGaP超薄基区(8nm)负阻异质结晶体管(UTBNDRHBT)。并用它构成一个单-双稳转换逻辑单元(Monostable-bistable transition logic element,简称MOBILE)。经过测试,证实其具有与GRTD、RTD/HEMT构成的MOBILE相类似的逻辑功能。 展开更多

关键词 异质结晶体管 负阻器件 单-双稳转换逻辑单元

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PNP型SiGe HBT的电流增益与Ge组分研究 被引量：1

12

作者 王喜媛 张鹤鸣 +1 位作者 戴显英 胡辉勇 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2003年第6期8-11,20,共5页

在进行PNP型SiGe HBT的设计时,通过改变Ge组分而改变能带结构,而获得较高的电流增益。文章对基区中的Ge组分分布三种形式:三角形、梯形、矩形进行计算机模拟并进行结果分析,认为其它条件相同时,梯形分布的PNP SiGe HBT的放大系数最大,... 在进行PNP型SiGe HBT的设计时,通过改变Ge组分而改变能带结构,而获得较高的电流增益。文章对基区中的Ge组分分布三种形式:三角形、梯形、矩形进行计算机模拟并进行结果分析,认为其它条件相同时,梯形分布的PNP SiGe HBT的放大系数最大,而且梯形和三角形随Ge的增大而增大,但是矩形分布在Ge组分增大到一定数值后开始减小,本文从能带结构和势垒角度对此进行讨论。 展开更多

关键词 PNP型SiGeHBT 电流增益 异质结晶体管 计算机模拟 锗组分

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HBT的PN结偏移效应 被引量：1

13

作者 张玉明 张义门 罗晋生 《应用科学学报》 CAS CSCD 1997年第4期429-435,共7页

采用流体动力学输运模型详细分析了发射区PN结偏移对AlGaAs／GaAsHBT器件性能的影响，提出了器件优化设计的原则．在中等和小的偏压下为了提高β，PN结应向宽禁带层偏移，而为了得到大电流下大的电流放大倍数则应采用PN结与异质结对准... 采用流体动力学输运模型详细分析了发射区PN结偏移对AlGaAs／GaAsHBT器件性能的影响，提出了器件优化设计的原则．在中等和小的偏压下为了提高β，PN结应向宽禁带层偏移，而为了得到大电流下大的电流放大倍数则应采用PN结与异质结对准的结构． 展开更多

关键词 异质结晶体管 计算机模拟 PN结偏移效应 发散区

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SiGe HBT超宽带低噪声放大器设计 被引量：1

14

作者 张滨 杨银堂 李跃进 《微波学报》 CSCD 北大核心 2012年第4期76-80,共5页

采用ADS软件设计并仿真了一种应用于UWB标准的低噪声放大器。该低噪声放大器基于JAZZ 0.35μmSiGe工艺,工作带宽为3.1～10.6GHz。电路的输入极采用共发射极结构,利用反馈电感来进行输入匹配,第二级采用达林顿结构对信号提供合适的增益... 采用ADS软件设计并仿真了一种应用于UWB标准的低噪声放大器。该低噪声放大器基于JAZZ 0.35μmSiGe工艺,工作带宽为3.1～10.6GHz。电路的输入极采用共发射极结构,利用反馈电感来进行输入匹配,第二级采用达林顿结构对信号提供合适的增益。使用ADS2006软件进行设计、优化和仿真。仿真结果显示,在3.1～10.6GHz带宽内,放大器的电源电压在3.3V时,噪声系数低于2.5dB,增益大于24dB,功耗为28mV,输出三阶交调为17dBm。 展开更多

关键词 锗硅异质结晶体管 低噪声放大器 增益 噪声系数

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HBT MMIC功率放大器的自适应线性化偏置技术 被引量：12

15

作者 彭艳军 宋家友 王志功 《中国集成电路》 2006年第11期32-37,共6页

设计HBTMMIC功率放大器,偏置电路的选择对于提高功率放大器的效率和线性度至关重要。为了在效率和线性度之间取得良好折中,一个重要的方法是让HBT的偏置点随输入信号的功率变化而变化。许多文献都对这种自适应偏置技术进行了研究,然而,... 设计HBTMMIC功率放大器,偏置电路的选择对于提高功率放大器的效率和线性度至关重要。为了在效率和线性度之间取得良好折中,一个重要的方法是让HBT的偏置点随输入信号的功率变化而变化。许多文献都对这种自适应偏置技术进行了研究,然而,对于多种自适应线性化偏置电路比较和分析的文章尚未见报道。本文综合叙述了适用于HBTMMIC工艺,尺寸小、成本低的多种自适应线性化偏置电路,总结了这些偏置电路的基本工作原理,并提出了一种改进的线性化偏置电路。 展开更多

关键词 功率放大器 偏置电路 异质结晶体管 单片微波集成电路 线性化

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SiGe HBT的热载流子效应评价

16

作者 林晓玲 孔学东 +2 位作者 恩云飞 章晓文 姚若河 《华南理工大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第5期23-26,42,共5页

电压加速退化试验方法(OCSAM;EB结反偏)常用于评价硅锗异质结晶体管(SiGe HBT)的热载流子效应,但晶体管在高电压、低电压分别作用下所产生的的失效机理并不相同,且耗时长.文中采用电流加速应力试验方法(FCSAM;EB结反偏、CB结正偏),评价S... 电压加速退化试验方法(OCSAM;EB结反偏)常用于评价硅锗异质结晶体管(SiGe HBT)的热载流子效应,但晶体管在高电压、低电压分别作用下所产生的的失效机理并不相同,且耗时长.文中采用电流加速应力试验方法(FCSAM;EB结反偏、CB结正偏),评价SiGe HBT在热载流子效应作用下的可靠性,研究施加应力前后SiGe HBT器件电特性的变化,分析了电特性退化的原因.结果表明:随应力施加时间的增加,SiGe HBT的电流放大系数逐步退化;与传统的电压加速退化试验方法相比,FCSAM显著缩短了试验时间,能对SiGe HBT的长期可靠性进行有效预测. 展开更多

关键词 硅锗异质结晶体管 电流加速 可靠性 热载流子效应

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77K下电流增益为2.6万的SiGe/Si HBT

17

作者 邹德恕 陈建新 +6 位作者 徐晨 魏欢 史辰 杜金玉 高国 邓军 沈光地 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2001年第3期51-52,55,共3页

通过优化设计ＳｉＧｅ／Ｓｉ ＨＢＴ的纵向参数，找到一种低温工艺方法，研制出了在液氮温度下电流增益达到２６０００的高增益异质结晶体管。

关键词 HBT 电流增益 锗化硅 异质结晶体管

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AlGaAs/GaAs HBT能量输运模型

18

作者 张玉明 张义门 罗晋生 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第3期341-344,共4页

在弛豫时间近似条件下，由波尔兹曼输运方程的前三阶推导出能模拟ＨＢＴ性能的流体动力学传输模型．分析了能量（动量）方程中的各个物理量，考虑了不同能谷散射对能量弛豫时间影响，计入了电子能量中的漂移动能，同时考虑了异质结能带... 在弛豫时间近似条件下，由波尔兹曼输运方程的前三阶推导出能模拟ＨＢＴ性能的流体动力学传输模型．分析了能量（动量）方程中的各个物理量，考虑了不同能谷散射对能量弛豫时间影响，计入了电子能量中的漂移动能，同时考虑了异质结能带的各种效应．使用牛顿法同时求解一维稳态方程组，分析了典型结构的ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓＨＢＴ器件工作物理图像． 展开更多

关键词 流体动力学 输运模型 双极性 异质结晶体管

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基于2μ mGaAs HBT工艺的L型分布式放大器设计

19

作者 张瑛 王志功 徐建 《高技术通讯》 CAS CSCD 北大核心 2012年第10期1064-1069,共6页

为满足电子系统对放大器的带宽性能要求，基于2μm砷化镓（GaAs）异质结双极晶体管（HBT）工艺设计了一种新的分布式放大器。设计采用了输入电容耦合技术和L型传输线结构，有效提升了放大器的频率性能。测试结果显示，该放大器的3dB带... 为满足电子系统对放大器的带宽性能要求，基于2μm砷化镓（GaAs）异质结双极晶体管（HBT）工艺设计了一种新的分布式放大器。设计采用了输入电容耦合技术和L型传输线结构，有效提升了放大器的频率性能。测试结果显示，该放大器的3dB带宽达到14GHz，在1．2GHz～10．5GHz频率范围内增益为6．6dB，带内增益平坦度为±0．5dB，输入回波损耗小于-14dB，输出回波损耗小于-8．8dB，表现出了高增益和大带宽的特性。 展开更多

关键词 分布式放大器 人工传输线 异质结晶体管 超宽带(UWB) 砷化镓(GaAs)

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PNP型HBT基极接触阻抗的理论估算

20

作者 张鹤鸣 严北平 戴显英 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2001年第2期197-203,共7页

给出了非合金接触情况下 ,PNP型 HBT基极比接触电阻和接触阻抗的解析计算方法和结果。讨论了接触阻抗随频率的变化规律 。

关键词 PNP型 异质结晶体管 比接触电阻 基极接触阻抗 集总元件模型

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