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HPT型Ge量子点红外探测器
1
作者
魏榕山
何明华
《红外与激光工程》
EI
CSCD
北大核心
2011年第5期791-794,共4页
异质结光敏晶体管(HPT)是一种具有内部电流增益的光电探测器,且与异质结双极晶体管(HBT)的制作工艺完全兼容。利用超高真空化学气相淀积(UHV/CVD)方法在HBT晶体管的基区和集电区间加入多层Ge量子点材料作为光吸收区。TEM和DCXRD测试结...
异质结光敏晶体管(HPT)是一种具有内部电流增益的光电探测器,且与异质结双极晶体管(HBT)的制作工艺完全兼容。利用超高真空化学气相淀积(UHV/CVD)方法在HBT晶体管的基区和集电区间加入多层Ge量子点材料作为光吸收区。TEM和DCXRD测试结果表明,生长的多层Ge量子点材料具有良好的晶体质量。为了提高HPT的发射极注入效率,采用高掺杂多晶硅作为发射极,并制作出两端HPT型Ge量子点探测器。室温条件下的测试结果表明,HPT型量子点探测器具有低的暗电流密度和高的反向击穿电压。-8 V偏压下,HPT型量子点探测器在1.31μm和1.55μm处的响应度分别为4.47mA/W和0.11 mA/W。与纵向PIN结构量子点探测器相比,HPT型量子点探测器在1.31μm和1.55μm处的响应度分别提高了104倍和78倍。
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关键词
异质结光敏晶体管
GE量子点
多晶硅发射极
超高真空化学气相淀积
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职称材料
题名
HPT型Ge量子点红外探测器
1
作者
魏榕山
何明华
机构
福州大学物理与信息工程学院
出处
《红外与激光工程》
EI
CSCD
北大核心
2011年第5期791-794,共4页
基金
福建省自然科学基金(2009J05143)
福建省教育厅科研资助项目(JA09007)
福州大学科技发展基金(2009-XQ-31)
文摘
异质结光敏晶体管(HPT)是一种具有内部电流增益的光电探测器,且与异质结双极晶体管(HBT)的制作工艺完全兼容。利用超高真空化学气相淀积(UHV/CVD)方法在HBT晶体管的基区和集电区间加入多层Ge量子点材料作为光吸收区。TEM和DCXRD测试结果表明,生长的多层Ge量子点材料具有良好的晶体质量。为了提高HPT的发射极注入效率,采用高掺杂多晶硅作为发射极,并制作出两端HPT型Ge量子点探测器。室温条件下的测试结果表明,HPT型量子点探测器具有低的暗电流密度和高的反向击穿电压。-8 V偏压下,HPT型量子点探测器在1.31μm和1.55μm处的响应度分别为4.47mA/W和0.11 mA/W。与纵向PIN结构量子点探测器相比,HPT型量子点探测器在1.31μm和1.55μm处的响应度分别提高了104倍和78倍。
关键词
异质结光敏晶体管
GE量子点
多晶硅发射极
超高真空化学气相淀积
Keywords
HPT
Ge quantum dot
polysilicon emitter
UHV/CVD
分类号
TN364 [电子电信—物理电子学]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
HPT型Ge量子点红外探测器
魏榕山
何明华
《红外与激光工程》
EI
CSCD
北大核心
2011
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