-
题名氧化镍/氧化镓异质结二极管台面终端技术研究
- 1
-
-
作者
文俊棚
郝伟兵
韩照
徐光伟
龙世兵
-
机构
中国科学技术大学微电子学院
-
出处
《人工晶体学报》
北大核心
2025年第3期517-523,共7页
-
文摘
超宽禁带半导体氧化镓具有高临界击穿场强、低导通损耗等优势,是制作新一代大功率、高效率功率器件的理想半导体材料。然而,目前氧化镓二极管的实际性能和理论极限相比仍有差距,迫切需要开发高效边缘终端来削弱峰值电场,提高器件的击穿电压。本文研究了氧化镍/氧化镓异质结二极管台面终端技术,对比了不同刻蚀深度(0、0.37、0.74和1.11μm)下器件的性能。台面终端二极管的击穿电压先随刻蚀深度的提升而增大,而后由于刻蚀损伤的积累出现下降。在1.11μm的刻蚀深度下,器件的击穿电压由无终端时的970 V提升到2600 V,比导通电阻由6.43 mΩ·cm^(2)略微增大至7.38 mΩ·cm^(2)。通过仿真研究了器件电场的分布情况,发现台面终端将电场峰值从阳极边缘转移至刻蚀拐角处,且大幅抑制了峰值电场强度。刻蚀后的退火显著降低了器件的漏电流,在-2000 V时的漏电流仅为4×10^(-7) A/cm^(2),击穿电压无明显提升(2625 V),比导通电阻下降至6.96 mΩ·cm^(2),最终功率优值达到0.99 GW/cm^(2)。本工作为高耐压低漏电氧化镓功率二极管的设计提供了新的研究思路。
-
关键词
氧化镓
氧化镍异质结二极管
台面终端
退火
击穿电压
-
Keywords
β-Ga_(2)O_(3)
NiO heterojunction diode
mesa termination
annealing
breakdown voltage
-
分类号
TN32
[电子电信—物理电子学]
-
-
题名电沉积法制备ZnO薄膜的结构与光电性能研究
被引量：4
- 2
-
-
作者
李丹
沈鸿烈
鲁林峰
黄海宾
李斌斌
-
机构
南京航空航天大学材料科学与技术学院
-
出处
《压电与声光》
CSCD
北大核心
2009年第3期414-417,共4页
-
基金
国家"八六三"计划基金资助项目(2006AA03Z219)
南京航空航天大学引进人才基金资助项目(S0417061)
长江学者和创新团队发展计划基金资助项目(IRT0534)
-
文摘
以硝酸锌和硝酸钾混和溶液为电解液，采用两电极体系在SnO2：F（FTO）片和p-Si（100）衬底上用不同沉积电压制备了c轴取向的ZnO薄膜。用X-射线衍射、扫描电子显微镜和分光光度计分析了薄膜的相结构，晶粒尺寸和光吸收特性。发现薄膜的（002）衍射峰强度随着沉积电压的增加而显著增强；薄膜中晶粒为典型的六方柱状结构，且基本与衬底垂直，晶粒尺寸为200-400nm；薄膜的光学禁带宽度为3．34eV。光照时，ZnO／Si异质结二极管呈明显的光生电流效应。
-
关键词
ZNO薄膜
电沉积
异质结二极管
光生电流效应
-
Keywords
zinc oxide film
electrodeposition
heterojunction diode
photocurrent effect
-
分类号
O472
[理学—半导体物理]
TN304.2
[电子电信—物理电子学]
-
