检索结果-维普期刊中文期刊服务平台

a-Si/c-Si异质结结构太阳能电池设计分析被引量：7: 1; 作者林鸿生马雷《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2003年第4期470-475,495,共7页; 通过应用 Scharfetter- Gum mel解法数值求解 Poisson方程 ,对热平衡态 a- Si/ c- Si异质结太阳能电池进行计算机数值模拟分析 ,着重阐述在 a- Si/ c- Si异质结太阳能电池中嵌入 i( a- Si:H)缓冲薄层的作用 ,指出采用嵌入 i( a- Si:H )... 展开更多; 关键词太阳能电池 a-si/c-si异质结结构牛顿-拉普森解法氢化非晶硅隙态密度载流子收集物理模型; 在线阅读下载PDF 职称材料

嵌入a-Si∶H薄层的μc-Si/c-Sipn异质结太阳能电池热平衡态特性的数值模拟分析: 2; 作者林鸿生《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1999年第6期15-19,共5页; 应用计算机数值模拟方法计算ｐ＋（μｃ－Ｓｉ∶Ｈ）／ｎ（ｃ－Ｓｉ）及ｐ＋（μｃ－Ｓｉ∶Ｈ）／ｉ（ａ－Ｓｉ∶Ｈ）／ｎ（ｃ－Ｓｉ）异质结太阳能电池中的电场强度分布，说明μｃ－Ｓｉ／ｃ－Ｓｉ异质结电池制造中μｃ－... 展开更多; 关键词热平衡态异质结太阳电池 μc-si:H 数值模拟; 在线阅读下载PDF 职称材料

异质结(c-Si/a-Si)双面组件发电特性研究: 3; 作者郭晨姚伟 +1 位作者孙子元钱康文《智能建筑与智慧城市》 2019年第10期46-48,共3页; 异质结(c-Si/a-Si)双面组件的实际发电性能受各种因素影响,该文重点就组件距离地面高度和背面檁条遮挡对组件发电量的影响进行研究。结果表明,兼顾组件安装难度和组件发电量增益两方面因素,组件下边缘距离地面高度设定为1.5 m较为合适... 展开更多; 关键词光伏发电异质结(c-si/a-si) 双面发电安装方式; 在线阅读下载PDF 职称材料

基于P型晶体硅异质结太阳电池的结构设计与性能分析被引量：5: 4; 作者邸明东周骏 +1 位作者孙铁囤孙永堂《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第10期1343-1348,共6页; 针对两种a-Si(n)/c-Si(p)异质结太阳电池结构,应用AFORS_HET软件,分析氢化非晶硅(a-Si:H)和氢化微晶硅(μc-Si:H)两种材料作为背面场时的特性参数对a-Si(n)/c-Si(p)异质结太阳电池性能的影响。结果表明:P型氢化微晶硅(μc-Si:H(p))为背... 展开更多; 关键词 a-si(n)/c—Si(p)异质结太阳电池微晶硅背面场 AFORS—HET; 在线阅读下载PDF 职称材料

非晶硅/晶体硅异质结太阳电池计算机模拟被引量：2: 5; 作者胡志华廖显伯 +4 位作者刁宏伟曾湘波徐艳月张世斌孔光临《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第z1期9-13,共5页; 运用AMPS程序模拟计算了p-型非晶硅/n-型晶体硅HIT(Heterojunction with Intrinsic Thin layer)异质结太阳电池的光伏特性.通过对不同带边补偿情况下的计算结果同文献报道相比较,得出导带补偿小部分(0.18eV),价带补偿大部分(0.5eV)的基... 展开更多; 关键词太阳电池 a-si:H/c-si异质结计算机模拟; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名a-Si/c-Si异质结结构太阳能电池设计分析被引量：7: 1; 作者林鸿生马雷; 机构中国科学技术大学物理系; 出处《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2003年第4期470-475,495,共7页; 基金国家自然科学基金资助项目 (No.698760 2 4); 文摘通过应用 Scharfetter- Gum mel解法数值求解 Poisson方程 ,对热平衡态 a- Si/ c- Si异质结太阳能电池进行计算机数值模拟分析 ,着重阐述在 a- Si/ c- Si异质结太阳能电池中嵌入 i( a- Si:H)缓冲薄层的作用 ,指出采用嵌入 i( a- Si:H )缓冲薄层设计能有效增强光生载流子的传输与收集 ,从而提高 a- Si/ c- Si异质结太阳能电池的性能 ,同时还讨论 p+ ( a- Si:H)薄膜厚度和 p型掺杂浓度对光生载流子传输与收集的影响 ,而高强度光照射下模拟计算表明 ,a- Si/ c-; 关键词太阳能电池 a-si/c-si异质结结构牛顿-拉普森解法氢化非晶硅隙态密度载流子收集物理模型; Keywords heterojunction solar cell Newton-Raphson sol ution technique density of states in a-si:H carrier collection; 分类号 TM914.42 [电气工程—电力电子与电力传动]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名嵌入a-Si∶H薄层的μc-Si/c-Sipn异质结太阳能电池热平衡态特性的数值模拟分析: 2; 作者林鸿生; 机构中国科学技术大学物理系; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1999年第6期15-19,共5页; 基金国家自然科学基金安徽省自然科学基金; 文摘应用计算机数值模拟方法计算ｐ＋（μｃ－Ｓｉ∶Ｈ）／ｎ（ｃ－Ｓｉ）及ｐ＋（μｃ－Ｓｉ∶Ｈ）／ｉ（ａ－Ｓｉ∶Ｈ）／ｎ（ｃ－Ｓｉ）异质结太阳能电池中的电场强度分布，说明μｃ－Ｓｉ／ｃ－Ｓｉ异质结电池制造中μｃ－Ｓｉ∶Ｈ膜厚选择，进而对嵌入ａ－Ｓｉ∶Ｈ薄层的μｃ－Ｓｉ／ｃ－Ｓｉ异质结太阳能电池设计进行分析，包括ａ－Ｓｉ∶Ｈ薄层ｐ型掺杂效应及本底单晶硅的电阻率选择，; 关键词热平衡态异质结太阳电池 μc-si:H 数值模拟; Keywords Heterojunction solar cell Newton Raphson solution technique Distribution of the gap states in μc -Si∶H Carrier collection; 分类号 TM914.41 [电气工程—电力电子与电力传动]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名异质结(c-Si/a-Si)双面组件发电特性研究: 3; 作者郭晨姚伟孙子元钱康文; 机构中国电建华东勘测设计研究院有限公司晋能清洁能源科技有限公司; 出处《智能建筑与智慧城市》 2019年第10期46-48,共3页; 文摘异质结(c-Si/a-Si)双面组件的实际发电性能受各种因素影响,该文重点就组件距离地面高度和背面檁条遮挡对组件发电量的影响进行研究。结果表明,兼顾组件安装难度和组件发电量增益两方面因素,组件下边缘距离地面高度设定为1.5 m较为合适。通过长期发电量跟踪对比,支架背面无菱条遮挡时,异质结(c-Si/a-Si)双面组件发电量平均增益为4.15%。; 关键词光伏发电异质结(c-si/a-si) 双面发电安装方式; Keywords PV power generation heterojunction(c-si/a—Si) two-sided power generation installation mode; 分类号 F42 [经济管理—产业经济]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于P型晶体硅异质结太阳电池的结构设计与性能分析被引量：5: 4; 作者邸明东周骏孙铁囤孙永堂; 机构江苏大学机械工程学院光信息科学与技术系宁波大学理学院光电子技术研究所常州亿晶光电科技有限公司; 出处《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第10期1343-1348,共6页; 基金国家自然科学基金(60977048) 宁波市重点实验室基金(2007A22006) 江苏大学-常州亿晶光电科技有限公司联合研发项目; 文摘针对两种a-Si(n)/c-Si(p)异质结太阳电池结构,应用AFORS_HET软件,分析氢化非晶硅(a-Si:H)和氢化微晶硅(μc-Si:H)两种材料作为背面场时的特性参数对a-Si(n)/c-Si(p)异质结太阳电池性能的影响。结果表明:P型氢化微晶硅(μc-Si:H(p))为背面场时电池性能得到提高,μc-Si:H(p)的背面场特性是关键因素。最后,优化设计出以a-Si:H为窗口层、μc-Si:H为背面场的a-Si(n)/c-Si(p)异质结太阳电池TCO/a-Si:H(n)/a-Si:H(i)/c-Si(p)/a-Si:H(i)/μc-Si:H(p)/TCO,并获得20%的转换效率。; 关键词 a-si(n)/c—Si(p)异质结太阳电池微晶硅背面场 AFORS—HET; Keywords a-si（n）/c-si（p） heterojunction solar cells microcrystalline silicon back surface filed AFORS_ HET; 分类号 TM615 [电气工程—电力系统及自动化]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名非晶硅/晶体硅异质结太阳电池计算机模拟被引量：2: 5; 作者胡志华廖显伯刁宏伟曾湘波徐艳月张世斌孔光临; 出处《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第z1期9-13,共5页; 基金国家重点基础研究发展规划(973)资助项目(G2000028201); 文摘运用AMPS程序模拟计算了p-型非晶硅/n-型晶体硅HIT(Heterojunction with Intrinsic Thin layer)异质结太阳电池的光伏特性.通过对不同带边补偿情况下的计算结果同文献报道相比较,得出导带补偿小部分(0.18eV),价带补偿大部分(0.5eV)的基本结论.同时还证实,界面态是决定电池性能的关键因素,显著影响电池的开路电压(Voc)和填充因子(FF).最后计算了这种电池理想情况下(无界面态、有背面场、正背面反射率分别为0和1)的理论效率Eff=27%(AM1.5 100MW/cm2 0.40～1.10μm波段).; 关键词太阳电池 a-si:H/c-si异质结计算机模拟; 分类号 TK511+.4 [动力工程及工程热物理—热能工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	a-Si/c-Si异质结结构太阳能电池设计分析	林鸿生马雷	《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心	2003	7	在线阅读下载PDF 职称材料
2	嵌入a-Si∶H薄层的μc-Si/c-Sipn异质结太阳能电池热平衡态特性的数值模拟分析	林鸿生	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	1999	0	在线阅读下载PDF 职称材料
3	异质结(c-Si/a-Si)双面组件发电特性研究	郭晨姚伟孙子元钱康文	《智能建筑与智慧城市》	2019	0	在线阅读下载PDF 职称材料
4	基于P型晶体硅异质结太阳电池的结构设计与性能分析	邸明东周骏孙铁囤孙永堂	《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2010	5	在线阅读下载PDF 职称材料
5	非晶硅/晶体硅异质结太阳电池计算机模拟	胡志华廖显伯刁宏伟曾湘波徐艳月张世斌孔光临	《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2003	2	在线阅读下载PDF 职称材料