期刊导航
期刊开放获取
上海教育软件发展有限公..
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
1
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
采用有限元方法研究轻掺杂源漏结构对异质栅MOSFET的性能影响(英文)
被引量：
1
1
作者
王伟
张露
+5 位作者
王雪莹
朱畅如
张婷
李娜
杨晓
岳工舒
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2014年第4期321-329,共9页
提出了一种轻掺杂源漏结构结合异质材料双栅结构的MOSFET(简称LDDS-HMG-MOSFET)。使用二维非平衡格林函数(NEGF)对该结构进行仿真,其中非平衡格林函数的计算使用有限元法(FEM)。仿真结果表明,在该新型结构中,异质栅结构能够降低漏电流...
提出了一种轻掺杂源漏结构结合异质材料双栅结构的MOSFET(简称LDDS-HMG-MOSFET)。使用二维非平衡格林函数(NEGF)对该结构进行仿真,其中非平衡格林函数的计算使用有限元法(FEM)。仿真结果表明,在该新型结构中,异质栅结构能够降低漏电流从而能够有效抑制漏极感应势垒较低效应(DIBL),LDDS结构能够增加有效栅长,有效抑制带带隧穿效应(BTBT)和热电子效应。因此,与传统单材料栅结构的MOSFET(简称C-MOSFET)相比,LDDS-HMG-MOSFET具有更加优越的性能、更低的漏电流和更大的开关电流比(Ion/Ioff)。
展开更多
关键词
非平衡格林函数
异质栅场效应晶体管
有限元方法
轻掺杂源漏
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
采用有限元方法研究轻掺杂源漏结构对异质栅MOSFET的性能影响(英文)
被引量：
1
1
作者
王伟
张露
王雪莹
朱畅如
张婷
李娜
杨晓
岳工舒
机构
南京邮电大学电子与科学工程学院
南京邮电大学通信与信息工程学院
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2014年第4期321-329,共9页
文摘
提出了一种轻掺杂源漏结构结合异质材料双栅结构的MOSFET(简称LDDS-HMG-MOSFET)。使用二维非平衡格林函数(NEGF)对该结构进行仿真,其中非平衡格林函数的计算使用有限元法(FEM)。仿真结果表明,在该新型结构中,异质栅结构能够降低漏电流从而能够有效抑制漏极感应势垒较低效应(DIBL),LDDS结构能够增加有效栅长,有效抑制带带隧穿效应(BTBT)和热电子效应。因此,与传统单材料栅结构的MOSFET(简称C-MOSFET)相比,LDDS-HMG-MOSFET具有更加优越的性能、更低的漏电流和更大的开关电流比(Ion/Ioff)。
关键词
非平衡格林函数
异质栅场效应晶体管
有限元方法
轻掺杂源漏
Keywords
non-equilibrium Green＇ s functions （NEGF）
hetero-material-gate MOSFET
finite elementmethod
lightly doped drain and source （LDDS）
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
采用有限元方法研究轻掺杂源漏结构对异质栅MOSFET的性能影响(英文)
王伟
张露
王雪莹
朱畅如
张婷
李娜
杨晓
岳工舒
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2014
1
在线阅读
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部
