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光学表面的X射线异常散射现象
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作者 孟艳丽 李达 陈波 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第2期253-259,共7页
研究了用掠入射散射法测量光学表面散射分布实验中存在的异常散射现象。首先,介绍了实验装置,并用原子力显微镜(AFM)测量了样品的表面粗糙度,给出了工作波长为0.154nm时不同样品在不同掠入射角下的表面散射分布。然后,分析了异常散射角... 研究了用掠入射散射法测量光学表面散射分布实验中存在的异常散射现象。首先,介绍了实验装置,并用原子力显微镜(AFM)测量了样品的表面粗糙度,给出了工作波长为0.154nm时不同样品在不同掠入射角下的表面散射分布。然后,分析了异常散射角与临界角的关系。最后,对影响散射强度的因素进行了分析。实验结果表明:当掠入射角大于临界角时能观测到光学表面的异常散射现象。在波长一定的情况下,异常散射角与样品材料有关,与掠入射角和表面粗糙度无关;异常散射角略小于临界角,误差变化为-8.6%~-0.9%。另外,镜像反射强度随着入射角和表面粗糙度的增大而迅速减弱,但异常散射强度与镜像反射强度的比值(峰值比)反而随着掠入射角或表面粗糙度的增大而增大,其比值在0.012~2.667变化。结果证明样品的材料和表面形貌是影响异常散射分布的两个重要因素。 展开更多
关键词 X射线异常散射 镜像反射 异常散射 散射强度 临界角 表面粗糙度
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利用含纯增长模式线的异常非相干散射谱反演扰动电子温度
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作者 李海英 孔鹏飞 +1 位作者 徐彬 吴振森 《电子与信息学报》 EI CSCD 北大核心 2018年第6期1499-1504,共6页
基于平衡态非相干散射理论的GUISDAP程序包在拟合含有纯增长模式线的非相干散射功率谱及反演加热扰动电离层参量中存在严重误差,该文提出一种以未加热时刻的电离层参量为先验信息,利用最小二乘法搜寻最佳高斯峰描述纯增长模式线来修正... 基于平衡态非相干散射理论的GUISDAP程序包在拟合含有纯增长模式线的非相干散射功率谱及反演加热扰动电离层参量中存在严重误差,该文提出一种以未加热时刻的电离层参量为先验信息,利用最小二乘法搜寻最佳高斯峰描述纯增长模式线来修正实测非相干散射谱,并使用电子超高斯分布的非相干散射理论拟合修正后非相干散射谱来反演获取加热扰动电子温度的方法。通过将该方法用于分析2010年秋季我国在挪威开展的电离层加热实验数据表明:利用该方法对含纯增长模式线的实测谱修正拟合后获得的电子温度比未加热时刻提高约800 K左右,增幅比例约13%~50%,该结果与现有文献报道的电离层加热引起的电子温度增幅范围吻合较好。结论表明该方法适用于基于含纯增长模式线的非相干散射谱反演扰动电离层参量。 展开更多
关键词 电离层加热 异常非相干散射 超高斯分布 电子温度
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衍射异常精细结构(DAFS)谱及其应用 被引量:2
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作者 吴忠华 王德武 +1 位作者 蒋海音 刘建飞 《物理学进展》 CSCD 北大核心 1997年第3期250-264,共15页
本文对近年来正在发展中的DAFS技术,从原理、实验方法、数据处理到DAFS技术的应用及其前景作了一个简要的综述性介绍。
关键词 原子散射 DAFS 异常散射 数据处理
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极化脉冲回波Mueller矩阵解数值模拟非均匀分层植被与其中随机目标的散射
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作者 金亚秋 陈扉 《北京大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2003年第z1期143-150,共8页
给出非均匀分层、各层各异非球形粒子随机介质在脉冲波入射下矢量辐射传输方程(VRT)的Mueller矩阵解 ,数值模拟了极化后向散射。极化脉冲回波强度的时滞方式及其时间上的变化能表明体散射和面散射机制 ,它描绘了随机散射粒子层的非均匀... 给出非均匀分层、各层各异非球形粒子随机介质在脉冲波入射下矢量辐射传输方程(VRT)的Mueller矩阵解 ,数值模拟了极化后向散射。极化脉冲回波强度的时滞方式及其时间上的变化能表明体散射和面散射机制 ,它描绘了随机散射粒子层的非均匀分布。由此 ,讨论了植被层有效高度的确定 。 展开更多
关键词 植被覆盖 异常散射 全极化散射 时间相关MueUer矩阵 脉冲入射波
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近化学计量比LiNbO_3晶体畴结构研究
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作者 姚淑华 胡小波 +2 位作者 高磊 刘宏 王继扬 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第1期119-122,共4页
利用提拉法,从富锂(L i2O:Nb2O5=58.5:41.5)熔体中生长了40mm×40mm的近化学计量比铌酸锂晶体。用同步辐射异常散射技术结合化学腐蚀法观察了晶体中的畴结构,在y方向发现存在180°反向铁电畴结构,而另外的N-SLN单晶z向切片为... 利用提拉法,从富锂(L i2O:Nb2O5=58.5:41.5)熔体中生长了40mm×40mm的近化学计量比铌酸锂晶体。用同步辐射异常散射技术结合化学腐蚀法观察了晶体中的畴结构,在y方向发现存在180°反向铁电畴结构,而另外的N-SLN单晶z向切片为单畴结构,表明了所生长的近化学计量比铌酸锂晶体具有区域性单畴。 展开更多
关键词 近化学计量比LiNbO3 晶体 异常散射 畴结构
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