BF_2^+注入对PMOS晶体管开启电压的影响

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作者 黄维柱 王勇 邱晓海 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2001年第3期46-49,共4页

文章研究了BF_2~＋注入对 PMOS晶体管开启电压的影响。试验发现，在我们的工艺条件下， BF_2~＋注入能量是影响 PMOS管开启电压的主要因素，能量高于 67.5Kev的 BF_2~＋注入可导致开启电压正漂。而退火对开启电压正漂没有影响， F离子... 文章研究了BF_2~＋注入对 PMOS晶体管开启电压的影响。试验发现，在我们的工艺条件下， BF_2~＋注入能量是影响 PMOS管开启电压的主要因素，能量高于 67.5Kev的 BF_2~＋注入可导致开启电压正漂。而退火对开启电压正漂没有影响， F离子也没有促进B穿透。 展开更多

关键词 BF2^+注入 PMOS晶体管 开启电压 CMOS器件

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CdS纳米粒子掺杂的液晶显示器件的低开启电压和频率调制特性(英文) 被引量：2

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作者 张天翼 许军 +1 位作者 王莹 杜玉扣 《电子器件》 CAS 2008年第1期96-99,共4页

降低能耗对于液晶显示器件,尤其是移动显示尤为重要。在本研究中,3nm和5nm两种不同尺寸的CdS纳米粒子被用来掺杂入5CB液晶材料。掺杂浓度分别为0.1wt%和0.2wt%。掺杂所得到的液晶显示器件的开启电压由于纳米粒子的影响而被降低,最多可达... 降低能耗对于液晶显示器件,尤其是移动显示尤为重要。在本研究中,3nm和5nm两种不同尺寸的CdS纳米粒子被用来掺杂入5CB液晶材料。掺杂浓度分别为0.1wt%和0.2wt%。掺杂所得到的液晶显示器件的开启电压由于纳米粒子的影响而被降低,最多可达到25%。并且,相比于前期报道的金属纳米粒子掺杂的液晶显示器件,CdS纳米粒子显示出稍弱的频率调制特性。 展开更多

关键词 CDS纳米粒子 液晶显示器件 开启电压 频率调制

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绿光到深红光的有效调控:二苯并吡啶并喹喔啉类热激活延迟荧光材料

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作者 章博 黄飞翔 +3 位作者 谢凤鸣 杨耀祖 胡英元 赵鑫 《材料导报》 北大核心 2025年第1期286-292,共7页

高效热激活延迟荧光(Thermally activated delayed fluorescence,TADF)材料在有机发光二极管(Organic light-emitting diodes,OLED)中有着重要的应用。然而,由于能隙定律的限制,开发波长超过600 nm的高效红色TADF材料充满了挑战。本工... 高效热激活延迟荧光(Thermally activated delayed fluorescence,TADF)材料在有机发光二极管(Organic light-emitting diodes,OLED)中有着重要的应用。然而,由于能隙定律的限制,开发波长超过600 nm的高效红色TADF材料充满了挑战。本工作在设计合成刚性大共轭平面受体二苯并[f,h]吡啶[3,4-b]喹喔啉(DBPQ)的基础上,将不同给电子能力的供体(tCz、DMAC和PXZ)与受体DBPQ大扭角连接,合成了DBPQtCz、DBPQDMAC和DBPQPXZ三种新颖的TADF材料。随着相应供体给电子能力的增强,DBPQtCz、DBPQDMAC和DBPQPXZ的发射波长可有效调控,实现由绿光、红光到深红光的转变。基于DBPQDMAC器件的最大外量子效率(EQE_(max))最高可达16.0%,电致发光(Electroluminescent,EL)波长为612 nm;基于DBPQPXZ器件的EQE_(max)为3.2%,电致发光波长达到658 nm。同时,基于DBPQtCz、DBPQDMAC和DBPQPXZ的OLED均具有较低的开启电压,分别为2.4、2.5和2.8 V。 展开更多

关键词 热激活延迟荧光 二苯并[f h]吡啶[3 4-b]喹喔啉 开启电压 红光发射

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基于SiC肖特基二极管温度特性的研究

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作者 李金钊 《电子设计工程》 2024年第8期32-35,40,共5页

碳化硅(SiC)作为第三代宽带隙半导体材料,其因优异的物理特性而被广泛研究。针对SiC器件在高温环境下可能会因为不理想的散热导致器件失效从而引发可靠性问题,文中采用仿真的方法对铂Pt/SiC肖特基二极管器件进行了测试,并研究了该型器... 碳化硅(SiC)作为第三代宽带隙半导体材料,其因优异的物理特性而被广泛研究。针对SiC器件在高温环境下可能会因为不理想的散热导致器件失效从而引发可靠性问题,文中采用仿真的方法对铂Pt/SiC肖特基二极管器件进行了测试,并研究了该型器件在高温下的伏安特性。结果表明,Pt/SiC肖特基二极管器件在正偏的情况下,随着温度的升高,器件的电流水平会逐渐降低;器件反偏时,反向电流水平则随着温度的升高而急剧增大。同时在高温下器件的反向电流基本趋于饱和,热电子发射电流占据主导地位,且200℃时电子的迁移率仅为500 cm2/(V·s)。 展开更多

关键词 碳化硅 肖特基势垒二极管 温度特性 开启电压 电子迁移率

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nMOSFET X射线辐射影响研究 被引量：3

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作者 罗宏伟 杨银堂 +1 位作者 恩云飞 朱樟明 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2004年第3期246-248,245,共4页

介绍了在强电流作用下的ggnMOS作用机理,分析了ggnMOS抗ESD能力的主要表征参数,利用X射线辐射系统和TLP测试系统研究了辐射总剂量对ggnMOS抗ESD能力的影响。试验结果表明,随辐射总剂量的增加,ggnMOS的开启电压、维持电压都将下降,这有... 介绍了在强电流作用下的ggnMOS作用机理,分析了ggnMOS抗ESD能力的主要表征参数,利用X射线辐射系统和TLP测试系统研究了辐射总剂量对ggnMOS抗ESD能力的影响。试验结果表明,随辐射总剂量的增加,ggnMOS的开启电压、维持电压都将下降,这有利于提高ggnMOS的抗ESD能力,而表征其抗ESD能力的参数(二次击穿电流It2)开始随辐射总剂量的增加而减少,到达一定剂量后将随总剂量的增加而增加。 展开更多

关键词 栅接地nMOS ESD 辐射总剂量 开启电压 二次击穿电流 X射线辐射

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衬底掺杂浓度对p-i-n结构电致发光的增强作用 被引量：1

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作者 陈德媛 冒昌银 +1 位作者 刘宇 孙红程 《南京邮电大学学报（自然科学版）》 2011年第5期97-100,共4页

采用等离子体增强化学气相淀积系统,应用原位氧化和原位掺杂技术制备出了以非晶硅/二氧化硅多层膜结构为本征i层、分别以磷和硼掺杂的非晶硅作为n型和p型区的p-i-n结构。经过三步后退火处理,i层晶化得到纳米硅/二氧化硅多层膜结构,磷和... 采用等离子体增强化学气相淀积系统,应用原位氧化和原位掺杂技术制备出了以非晶硅/二氧化硅多层膜结构为本征i层、分别以磷和硼掺杂的非晶硅作为n型和p型区的p-i-n结构。经过三步后退火处理,i层晶化得到纳米硅/二氧化硅多层膜结构,磷和硼掺杂的非晶硅结晶形成多晶硅结构。衬底采用轻和重掺杂两种不同浓度的p型单晶硅。重掺杂衬底上的p-i-n结构的电致发光特性比轻掺杂的具有更低的开启电压和更高的发光强度和效率。根据载流子的输运机制分析,重掺杂的p+硅衬底一方面有效的降低了载流子的隧穿势垒,提高了载流子的有效注入效率,进而提高了电致发光强度和效率;另一方面,重掺杂衬底也降低了器件的总串联电阻,是器件开启电压降低的主要原因。 展开更多

关键词 电致发光 开启电压 注入势垒 串联电阻

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GaAs平面掺杂势垒二极管

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作者 张宇 车相辉 +4 位作者 于浩 宁吉丰 杨中月 杨实 陈宏泰 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2017年第1期27-31,共5页

二极管是定向检波器的重要组件,提高定向检波器的检波灵敏度,需要降低二极管的开启电压。而平面掺杂势垒(PDB)二极管具有极低的势垒高度,适合制作定向检波器。设计了GaAs平面掺杂势垒二极管的材料结构,并采用金属有机化合物气相淀积(MOC... 二极管是定向检波器的重要组件,提高定向检波器的检波灵敏度,需要降低二极管的开启电压。而平面掺杂势垒(PDB)二极管具有极低的势垒高度,适合制作定向检波器。设计了GaAs平面掺杂势垒二极管的材料结构,并采用金属有机化合物气相淀积(MOCVD)方法对其进行外延生长。对PDB二极管的物理模型进行了理论分析。通过模拟计算和实验分析了本征层厚度和p层的面电荷密度对PDB二极管I-V特性的影响。通过实验设计优化了材料结构参数,测试了其I-V特性,使PDB二极管的开启电压降低到了0.06 V,将此样品应用到定向检波器中测得检波灵敏度为20~25 mV/mW。 展开更多

关键词 平面掺杂势垒(PDB)二极管 金属有机化合物气相淀积(MOCVD) 开启电压 I-V特性 定向检波器 检波灵敏度

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超高频RFID芯片中高灵敏度ASK解调器的设计 被引量：1

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作者 张胜广 冯鹏 +3 位作者 杨建红 谷永胜 吴南健 赵柏秦 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第2期88-92,共5页

为了提高无源超高频(UHF)射频识别(RFID)标签的灵敏度和增大工作距离,设计了一种高灵敏度的ASK解调器。在该解调器的包络检波电路中,采用了开启电压补偿技术,以减小电荷传输管的导通压降;并设计了一种无二极管无电阻的参考电平产生电路... 为了提高无源超高频(UHF)射频识别(RFID)标签的灵敏度和增大工作距离,设计了一种高灵敏度的ASK解调器。在该解调器的包络检波电路中,采用了开启电压补偿技术,以减小电荷传输管的导通压降;并设计了一种无二极管无电阻的参考电平产生电路。基于0.18μm标准CMOS工艺实现了该解调器,其芯片面积为0.010 mm2,满足第2代第1类UHF RFID通讯协议(EPC C1G2)的要求。测试结果表明,当载波频率为900 MHz、调制深度为80%~100%、数据率为26.7~128 kbit/s时,解调器能够解调信号的能量强度范围为-16^+20 dBm。在工作电压为0.8 V时,其功耗仅为0.56μW。 展开更多

关键词 开启电压补偿 振幅键控(ASK) 解调器 高灵敏度 射频识别(RFID)

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功率VDMOS器件ESD防护结构设计研究

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作者 毕向东 张世峰 韩雁 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2011年第8期604-608,共5页

随着半导体工艺的不断发展,器件的特征尺寸在不断缩小,栅氧化层也越来越薄,使得器件受到静电放电破坏的概率大大增加。为此,设计了一种用于保护功率器件栅氧化层的多晶硅背靠背齐纳二极管ESD防护结构。多晶硅背靠背齐纳二极管通过在栅... 随着半导体工艺的不断发展,器件的特征尺寸在不断缩小,栅氧化层也越来越薄,使得器件受到静电放电破坏的概率大大增加。为此,设计了一种用于保护功率器件栅氧化层的多晶硅背靠背齐纳二极管ESD防护结构。多晶硅背靠背齐纳二极管通过在栅氧化层上的多晶硅中不同区域进行不同掺杂实现。该结构与现有功率VDMOS制造工艺完全兼容,具有很强的鲁棒性。由于多晶硅与体硅分开,消除了衬底耦合噪声和寄生效应等,从而有效减小了漏电流。经流片测试验证,该ESD防护结构的HBM防护级别达8 kV以上。 展开更多

关键词 纵向双扩散金属氧化物半导体 静电损伤防护 多晶硅齐纳二极管 开启电压 人体静电放电模型

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通信用过流过压保护模块的工作机理分析

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作者 姚超 沈克强 《电子器件》 CAS 2007年第3期799-803,共5页

本文分析了通信用过流过压保护模块YD-CLP200M在过压保护、正浪涌和负浪涌过流保护模式下的工作原理,给出了与器件结构参数有关的内部等效电路.针对不同的器件结构参数,利用MEDICI器件模拟软件模拟了器件的开启电压、正浪涌开启电流的I-... 本文分析了通信用过流过压保护模块YD-CLP200M在过压保护、正浪涌和负浪涌过流保护模式下的工作原理,给出了与器件结构参数有关的内部等效电路.针对不同的器件结构参数,利用MEDICI器件模拟软件模拟了器件的开启电压、正浪涌开启电流的I-V特性曲线,模拟结果揭示了影响这些直流参数的主要因素,得到了优化直流特性所需的结构参数调整方法. 展开更多

关键词 过流过压保护模块 开启电压 正浪涌开启电流

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传感器技术讲座(七)

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作者 王宗信 谢万新 《煤炭工程》 1987年第9期17-19,31,共4页

第七讲 气敏传感器 气敏传感器敏感于各种气体成分,能用于检测各种有害气体和可燃性气体,在矿井气体分析,尤其在煤矿瓦斯的检测、报警方面占有特殊的地位。 一、热电阻瓦斯传感器 热电阻瓦斯传感器分热导式和热催化式两类,主要用于检测... 第七讲 气敏传感器 气敏传感器敏感于各种气体成分,能用于检测各种有害气体和可燃性气体,在矿井气体分析,尤其在煤矿瓦斯的检测、报警方面占有特殊的地位。 一、热电阻瓦斯传感器 热电阻瓦斯传感器分热导式和热催化式两类,主要用于检测矿井瓦斯（CH4）浓度。 1.热导式瓦斯传感器:不发生化学反应的混合气体,导热系数λc为各种气体导热系数的平均值。 展开更多

关键词 气敏传感器 瓦斯传感器 导热系数λ 矿井瓦斯 催化元件 热导 瓦斯浓度 元件表 开启电压 气敏特性

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一种积累型槽栅超势垒二极管

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作者 许琬 张昕 +1 位作者 章文通 乔明 《电子与封装》 2014年第3期33-36,共4页

提出了一种积累型槽栅超势垒二极管,该二极管采用N型积累型MOSFET,通过MOSFET的体效应作用降低二极管势垒。当外加很小的正向电压时,在N+区下方以及栅氧化层和N-区界面处形成电子积累的薄层,形成电子电流,进一步降低二极管正向压降;随... 提出了一种积累型槽栅超势垒二极管,该二极管采用N型积累型MOSFET,通过MOSFET的体效应作用降低二极管势垒。当外加很小的正向电压时,在N+区下方以及栅氧化层和N-区界面处形成电子积累的薄层,形成电子电流,进一步降低二极管正向压降;随着外加电压增大,P+区、N-外延区和N+衬底构成的PIN二极管开启,提供大电流。反向阻断时,MOSFET截止,PN结快速耗尽,利用反偏PN结来承担反向耐压。N型积累型MOSFET沟道长度由N+区和N外延区间的N-区长度决定。仿真结果表明,在相同外延层厚度和浓度下,该结构器件的开启电压约为0.23 V,远低于普通PIN二极管的开启电压,较肖特基二极管的开启电压降低约30%,泄漏电流比肖特基二极管小近50倍。 展开更多

关键词 超势垒二极管 槽栅 开启电压 泄漏电流

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基于双极载流子导电的新型恒流器件

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作者 何林蓉 乔明 《电子与封装》 2020年第5期66-70,共5页

提出了一种基于双极载流子导电、具有低开启电压VK和高反向击穿电压BVR的恒流器件,并进行了初步的试验验证。利用Tsuprem4和Medici仿真工具对器件的恒定电流IS、开启电压VK、正向击穿电压BVF和反向击穿电压BVR等电学参数进行了仿真,优... 提出了一种基于双极载流子导电、具有低开启电压VK和高反向击穿电压BVR的恒流器件,并进行了初步的试验验证。利用Tsuprem4和Medici仿真工具对器件的恒定电流IS、开启电压VK、正向击穿电压BVF和反向击穿电压BVR等电学参数进行了仿真,优化了外延层电阻率ρepi、外延层厚度Tepi、JFET注入剂量DJFET、P-well注入窗口间距WJFET等参数。试验结果显示,该器件工作于正向时,开启电压VK约为1.6 V,恒定电流IS约为31 mA,正向击穿电压BVF为55 V;该器件工作在反向时,反向击穿电压BVR约为200 V。 展开更多

关键词 恒流器件 恒定电流 开启电压 击穿电压

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宁波材料所在二维MXene材料作为功能分子器件方面取得进展

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作者 新型 《化工新型材料》 CAS CSCD 北大核心 2017年第2期262-262,共1页

随着半导体产业快速发展,电子器件的尺寸已跨入纳米级,使得分子器件的设计和应用成为引导新型半导体材料发展的重要方向。对相关材料与器件进行量子力学的原子级别的模拟显得越来越重要。而二维材料作为新型功能材料最近几年受到了广泛... 随着半导体产业快速发展,电子器件的尺寸已跨入纳米级,使得分子器件的设计和应用成为引导新型半导体材料发展的重要方向。对相关材料与器件进行量子力学的原子级别的模拟显得越来越重要。而二维材料作为新型功能材料最近几年受到了广泛的关注。为此, 展开更多

关键词 分子器件 MXene 纳米带 原子级 石墨烯 能隙 表面基团 开启电压 半导体特性 临界电压

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SUPERTEX公司DMOS选型指南

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《电子设计工程》 1995年第5期45-49,共5页

ＳＵＰＥＲＴＥＸ公司ＤＭＯＳ选型指南１、低开启电压Ｎ沟道增强型ＭＯＳＦＥＴ２、低开启电压Ｐ沟增强型ＭＯＳＦＥＴ３、Ｎ沟道耗尽型ＭＯＳＦＥＴ４、Ｎ沟进增强型ＭＯＳＦＥＴ５、Ｐ沟道增强型ＭＯＳＦＥＴ６、低压Ｎ沟道ＭＯＳＦ... ＳＵＰＥＲＴＥＸ公司ＤＭＯＳ选型指南１、低开启电压Ｎ沟道增强型ＭＯＳＦＥＴ２、低开启电压Ｐ沟增强型ＭＯＳＦＥＴ３、Ｎ沟道耗尽型ＭＯＳＦＥＴ４、Ｎ沟进增强型ＭＯＳＦＥＴ５、Ｐ沟道增强型ＭＯＳＦＥＴ６、低压Ｎ沟道ＭＯＳＦＥＴ阵列７、低压Ｐ沟道ＭＯＳＦＥＴ... 展开更多

关键词 SUPER 选型 金属壳密封 低开启电压 DMOS 增强型 双列直插 阵列说明 塑料封装 电平变换器

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基于无线指挥的有机电致发光器件的特性及实验

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作者 陈宇 黄予 黄雁 《信息技术》 2016年第11期197-200,共4页

深入探究了多层有机电致发光器件的特性及优势。理论上分析了器件的电场与局域态的特性关系,设计了类似夹层式的两次堆叠双层有机层的实验结构,采用了电子传输材料Bphen来进行相关器件的制作。实验结果表明:叠层器件的开启电压几乎高出... 深入探究了多层有机电致发光器件的特性及优势。理论上分析了器件的电场与局域态的特性关系,设计了类似夹层式的两次堆叠双层有机层的实验结构,采用了电子传输材料Bphen来进行相关器件的制作。实验结果表明:叠层器件的开启电压几乎高出单层器件的开启电压值的一倍;叠层器件相比单层器件的电流效率高出1.5倍以上;叠层器件会产生微腔效应,设计内部连接层结构十分便捷有效。上述结果对于有机半导体器件的在无线指挥中的发展具有一定的理论和实践意义。 展开更多

关键词 有机电致发光器件 电子传输材料 开启电压 电流效率 微腔效应

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超低功耗复位电路设计

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作者 史良俊 袁敏民 《电子与封装》 2022年第7期20-24,共5页

提出了一种超低功耗复位电路结构,以微电流源提供偏置,利用器件自身的开启电压为触发点,并通过正反馈进行加速,实现了上电和下电复位功能,3.3 V电源供电时电流小于1μA,在NMOS和PMOS管阈值电压之和附近产生可靠的复位信号。以华润微电子... 提出了一种超低功耗复位电路结构,以微电流源提供偏置,利用器件自身的开启电压为触发点,并通过正反馈进行加速,实现了上电和下电复位功能,3.3 V电源供电时电流小于1μA,在NMOS和PMOS管阈值电压之和附近产生可靠的复位信号。以华润微电子0.25μm 5 V工艺实现电路版图并流片,面积小于0.001 mm^(2),典型复位电压为1.95 V。解决了常用复位电路可靠性低、没有低压复位功能、成本高等问题。 展开更多

关键词 超低功耗 复位电路 开启电压 正反馈

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射频低压器件物理和工艺技术的综合分析

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作者 鲍荣生 《中国集成电路》 2007年第5期72-78,共7页

本文的射频是指手机工作频率fo=0.9GHz和1.8GHz,低电源电压是3～5V;众所周知,工作频率和特征频率fT密切相关,一般希望fo/fT是10%;现代的多晶硅发射区工艺技术可以控制基区宽度小到低于100nm,从器件物理分析可以满足手机要求的fT的期望值... 本文的射频是指手机工作频率fo=0.9GHz和1.8GHz,低电源电压是3～5V;众所周知,工作频率和特征频率fT密切相关,一般希望fo/fT是10%;现代的多晶硅发射区工艺技术可以控制基区宽度小到低于100nm,从器件物理分析可以满足手机要求的fT的期望值;结合工艺技术的大量数据,还可以得到器件的特征尺寸即发射区宽度,从大量数据看,发射区宽度达到亚微米是必要的;低压是为了适应重量轻、体积小、用户使用方便,低压下MOS器件为了保持高的运行速度,其开启电压要相应降低,应该达到或小于电源电压的20%;这样PMOS管开启VTP下降到-0.6～-1V或者绝对值更小,在多晶硅栅仍然采用传统的工艺N+多晶硅栅情况下,PMOS管的结构由一般教科书上介绍的经典的强反型表面沟道演变为埋沟,沟道区表面不是N型而是形成一层P型薄薄的扩散层,即形成纵向PN结,这时P型区厚度和浓度有利于｜VTP｜绝对值的下降,同时要避免发生PMOS管变成耗尽管,可能影响合格率。 展开更多

关键词 发射区 器件物理 特征尺寸 集电结电容 基区 开启电压 杂质浓度分布 沟道区 表面沟道 多晶硅栅 工艺技术 低压 电压

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MAXIM公司部分IC芯片应用简介

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作者 王淑霞 《集成电路应用》 2001年第4期54-55,共2页

1 节省空间和功耗的5阶滤波器芯片——MAX7409/MAX7410/MAX7413/MAX7414 新型5阶贝塞尔、巴特沃斯低通开关电容滤波器系列产品,采用8脚uMAX和DIP封装。美国MAXIM公司专有的,比8脚DIP封装尺寸小80％的uMAX封装使其成为业界最小的5阶开关... 1 节省空间和功耗的5阶滤波器芯片——MAX7409/MAX7410/MAX7413/MAX7414 新型5阶贝塞尔、巴特沃斯低通开关电容滤波器系列产品,采用8脚uMAX和DIP封装。美国MAXIM公司专有的,比8脚DIP封装尺寸小80％的uMAX封装使其成为业界最小的5阶开关电容滤波器。 展开更多

关键词 MAXIM 芯片 IC SONET 开关电容滤波器 合路器 同步整流器 调谐器 调谐装置 电池供电 开启电压 时钟恢复 封装形式 肖特基二极管 硅二极管 逻辑电平 输出电流 单电源

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上汽通用别克新GL8发动机故障灯点亮

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作者 陈文林 《汽车与驾驶维修》 2016年第1期92-94,共3页

故障现象：一辆2014年款上汽通用别克新GL8商务车，搭载型号为LFW的3．0LV形6缸双顶置凸轮轴、燃油直接喷射SIDI发动机及型号为6T50的6挡速自动变速器，行驶里程为5万km。用户反映该车起动后发动机抖动，故障指示灯开始是闪烁，后来就... 故障现象：一辆2014年款上汽通用别克新GL8商务车，搭载型号为LFW的3．0LV形6缸双顶置凸轮轴、燃油直接喷射SIDI发动机及型号为6T50的6挡速自动变速器，行驶里程为5万km。用户反映该车起动后发动机抖动，故障指示灯开始是闪烁，后来就一直点亮。 展开更多

关键词 SIDI高压喷油器 开启电压

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