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硅基OLED数字型像素驱动电路MOS管尺寸对数据写入的影响
被引量：
4
1
作者
徐勇
祁鹏赫
+3 位作者
黄苒
赵博华
刘梦新
无
《液晶与显示》
CAS
CSCD
北大核心
2021年第5期680-686,共7页
以传统的6T SRAM(5T+1MOS驱动管)结构硅基OLED像素电路为例,分析了开关管尺寸对数据写入的影响。提出了一种新型数字型硅基OLED像素电路,用5T(4T+1MOS驱动管)实现与6T SRAM(5T+1MOS驱动管)结构相同的功能。另外新型的像素电路与传统的S...
以传统的6T SRAM(5T+1MOS驱动管)结构硅基OLED像素电路为例,分析了开关管尺寸对数据写入的影响。提出了一种新型数字型硅基OLED像素电路,用5T(4T+1MOS驱动管)实现与6T SRAM(5T+1MOS驱动管)结构相同的功能。另外新型的像素电路与传统的SRAM结构相比,其数据写入不受开关管尺寸的影响,可以采用最小尺寸的开关管。基于SMIC 0.18μm 1.8 V/5 V混合信号工艺设计,通过仿真得出6T SRAM结构像素电路能正常写入的开关管最小尺寸为540 nm/600 nm,像素单元版图面积为4.3μm×4.3μm;新型5T结构像素电路中的开关管尺寸可以为工艺最小尺寸,即300 nm/600 nm,版图面积为3.91μm×3.91μm,相比之下单个像素单元版图面积缩小了17.3%。
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关键词
硅基OLED
像素电路
SRAM
数字驱动
开关管尺寸
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职称材料
题名
硅基OLED数字型像素驱动电路MOS管尺寸对数据写入的影响
被引量：
4
1
作者
徐勇
祁鹏赫
黄苒
赵博华
刘梦新
无
机构
中国科学院大学
中国科学院微电子研究所
中国科学院硅器件技术重点实验室
出处
《液晶与显示》
CAS
CSCD
北大核心
2021年第5期680-686,共7页
文摘
以传统的6T SRAM(5T+1MOS驱动管)结构硅基OLED像素电路为例,分析了开关管尺寸对数据写入的影响。提出了一种新型数字型硅基OLED像素电路,用5T(4T+1MOS驱动管)实现与6T SRAM(5T+1MOS驱动管)结构相同的功能。另外新型的像素电路与传统的SRAM结构相比,其数据写入不受开关管尺寸的影响,可以采用最小尺寸的开关管。基于SMIC 0.18μm 1.8 V/5 V混合信号工艺设计,通过仿真得出6T SRAM结构像素电路能正常写入的开关管最小尺寸为540 nm/600 nm,像素单元版图面积为4.3μm×4.3μm;新型5T结构像素电路中的开关管尺寸可以为工艺最小尺寸,即300 nm/600 nm,版图面积为3.91μm×3.91μm,相比之下单个像素单元版图面积缩小了17.3%。
关键词
硅基OLED
像素电路
SRAM
数字驱动
开关管尺寸
Keywords
OLED-on-silicon
pixel circuit
SRAM
digital driving
switch size
分类号
TP394.1 [自动化与计算机技术—计算机应用技术]
TN27 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
硅基OLED数字型像素驱动电路MOS管尺寸对数据写入的影响
徐勇
祁鹏赫
黄苒
赵博华
刘梦新
无
《液晶与显示》
CAS
CSCD
北大核心
2021
4
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