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题名一种开关电容带隙基准电压源
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作者
祝少良
李文昌
张铁良
赵进才
刘剑
尹韬
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机构
中国科学院半导体研究所
中国科学院大学
北京微电子技术研究所
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出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2022年第11期879-885,共7页
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基金
国家自然科学基金资助项目(61974146)。
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文摘
设计了一款高精度、低线性调整率的开关电容带隙基准电压源。分析了NMOS开关高温漏电流对基准输出电压精度的影响,提出了一种高温漏电补偿电路。偏置电路采用多个共源共栅结构的电流镜,增大了从电源到输出的阻抗,降低了基准电压的线性调整率。利用虚拟管抵消了开关关断时带来的沟道电荷注入效应和时钟馈通效应,提高了基准输出电压的精度。该电路基于0.35μm CMOS工艺设计,仿真结果表明,基准源能稳定输出1.1 V电压,建立时间为5.9μs;在-55~125℃,温度系数为1.38×10-5/℃;27℃下,在2.7~5 V电源电压范围内,线性调整率为0.9 mV/V;电路总静态电流为35.1μA。
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关键词
带隙基准电压源
温度系数
线性调整率
开关漏电流
虚拟管
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Keywords
bandgap reference
temperature coefficient
linear regulation
switch leakage current
virtual FET
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分类号
TN432
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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