GaN功率开关器件的发展与微尺度功率变换 被引量：6

1

作者 赵正平 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第1期1-6,13,共7页

GaN材料具有高的击穿场强、高的载流子饱和速度和能形成高迁移率、高密度的二维电子气,使得GaN功率开关器件具有关断电压高、导通电阻小、工作频率高等特点。GaN功率开关器件将成为高效率与超高频(UHF)电力电子学发展的重要基础之一。... GaN材料具有高的击穿场强、高的载流子饱和速度和能形成高迁移率、高密度的二维电子气,使得GaN功率开关器件具有关断电压高、导通电阻小、工作频率高等特点。GaN功率开关器件将成为高效率与超高频(UHF)电力电子学发展的重要基础之一。综述了GaN功率开关器件的发展历程、现状、关键技术突破、应用研究和微功率变换集成。重点评估了常开和常关两类GaN功率开关器件的异质结外延材料的结构、器件结构优化、器件的关键工艺、增强型器件的形成技术、器件性能、可靠性、应用特点和微系统集成。最后总结了新世纪以来GaN新一代电力电子器件技术进步的亮点。 展开更多

关键词 常开GaN功率开关器件 常关GaN功率开关器件 GAN高电子迁移率晶体管 (HEMT) GaN异质结场效应晶体管(HFET) 增强型器件 功率变换

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GaN功率开关器件的发展与微尺度功率变换(续) 被引量：3

2

作者 赵正平 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第2期81-87,共7页

2．3大栅宽器件 大栅宽常关GaN功率开关器件的发展是走向工程应用，2009年报道了栅宽为20mm的5A／1100V常关GaN功率开关器件在升压变换器中的应用旧引，器件特点是，栅下F等离子处理工艺和栅极与源极的双场板结构。

关键词 功率开关器件 GAN 功率变换 微尺度 升压变换器 等离子处理 场板结构 栅宽

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新型高速功率开关器件——800V10A静电感应晶闸管的研制 被引量：3

3

作者 聂荣琪 韩直 刘忠山 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1990年第5期41-44,共4页

本文论述了新型高速功率开关器件—800V、10A静电感应晶闸管的结构、设计和工艺研究。说明了所研制的器件的直流特性和开关特性,得到导通时间1.8μs,关断时间1.5μs的较好效果。

关键词 静电感应 晶闸管 功率开关器件

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高功率半导体开关器件DSRD的研究进展 被引量：7

4

作者 吴佳霖 刘英坤 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2015年第4期211-215,250,共6页

高功率半导体开关器件是一类基于等离子体波理论的全固态、高压、快速打开或者切断电流的开关器件,具有体积小、可靠性高、寿命长、脉冲重复频率高和输出波形稳定等优点,在脉冲开关电路应用中有着独特的优势。简要介绍了超宽带脉冲技术... 高功率半导体开关器件是一类基于等离子体波理论的全固态、高压、快速打开或者切断电流的开关器件,具有体积小、可靠性高、寿命长、脉冲重复频率高和输出波形稳定等优点,在脉冲开关电路应用中有着独特的优势。简要介绍了超宽带脉冲技术及高功率半导体开关器件的概念,比较了一些常见开关器件与高功率半导体开关器件的差异,主要阐述了自20世纪80年代以来脉冲发生器中开关器件的发展过程,重点介绍了最重要的一种高功率半导体开关器件,即Si基漂移阶跃恢复二极管(DSRD)在国内外的发展历程及其在脉冲技术中的应用。随着新型半导体材料及半导体技术的发展,展望了未来DSRD的发展方向。 展开更多

关键词 高功率半导体开关器件 漂移阶跃恢复二极管(DSRD) 超宽带 脉冲技术 等离子体波

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基于Verilog HDL的功率开关器件控制信号死区时间设置 被引量：1

5

作者 姚景远 朱忠尼 +1 位作者 宋庆国 张简威 《空军预警学院学报》 2017年第4期289-292,共4页

针对高开关频率下多开关管控制信号逆变电路,利用传统模拟电路产生含统一死区时间的控制信号难度大、存在电路安全隐患等问题,提出由单个现场可编程门阵列(FPGA)芯片产生各路含有死区时间的控制信号.首先分析了死区时间效应对输出电压... 针对高开关频率下多开关管控制信号逆变电路,利用传统模拟电路产生含统一死区时间的控制信号难度大、存在电路安全隐患等问题,提出由单个现场可编程门阵列(FPGA)芯片产生各路含有死区时间的控制信号.首先分析了死区时间效应对输出电压的影响,指出采用传统PWM控制芯片引起死区时间不统一的问题;然后提出了基于Verilog HDL的死区时间设置方法,并给出解决此类问题的通用方法;最后在Modelsim环境下搭建仿真实验平台,实验结果验证了本文所提出方法的可行性. 展开更多

关键词 现场可编程门阵列 VERILOG硬件描述语言 功率开关器件 死区时间

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用功率开关器件构成的自动逆变、充电及调压电源

6

作者 殷为民 《集成电路应用》 1990年第5期44-46,共3页

本电源采用了功率开关集成电路 TWH8752(或 TWH8751)和 TWH8778作为中心器件,并由交流继电器 TQX——10F 的3组触点控制电路的充电和逆变转换。在线路中还设有充电检测电路,充足电后可自行切断充电回路.

关键词 功率开关器件 电源 自动逆变 充电

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电子镇流器用新型功率开关器件

7

作者 王延华 毛兴武 +1 位作者 赵庆明 王敬民 《世界电子元器件》 1999年第5期32-37,共6页

荧光灯、紧凑型节能灯及高强度放电(HJD)灯等的交流电子镇流器出现故障,大多都是因功率开关晶体管失效所引起的。电子镇流器中作为开关使用的晶体管的性能优劣,对电子镇流器的可靠性与安全性将产生决定性的影响。 高频电子镇流器对功率... 荧光灯、紧凑型节能灯及高强度放电(HJD)灯等的交流电子镇流器出现故障,大多都是因功率开关晶体管失效所引起的。电子镇流器中作为开关使用的晶体管的性能优劣,对电子镇流器的可靠性与安全性将产生决定性的影响。 高频电子镇流器对功率开关晶体管的要求是非常苛刻的。 展开更多

关键词 电子镇流器 镇流器 功率开关器件 晶体管

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英飞凌600V功率开关器件家族又添新丁

8

《电子与电脑》 2011年第6期87-87,共1页

英飞凌科技两名新成员600V逆导型（RC）IGBT家族闪亮登场。这两款新的功率开关器件可在目标应用中实现最高达96%的能效。利用这些全新推出的RC-D快速IGBT,可以设计更高能效的电机驱动家用电器,它们使用更小的组件,因而总成本低于同类系统。

关键词 功率开关器件 家族 IGBT 家用电器 电机驱动 成本低 能效

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大功率电源MOS管的特性及应用 被引量：3

9

作者 沈昂 《上海计量测试》 2005年第6期28-29,共2页

引言 在当今的开关电源设备中,当电源电压在200V以下时,主开关功率器件一般都使用功率MOS器件.所以深入了解功率MOS器件的内部结构和工作特性对开关电源工程师来说至关重要.开关电源电路中MOS管的结构,寄生参数,散热条件等都会对功率MO... 引言 在当今的开关电源设备中,当电源电压在200V以下时,主开关功率器件一般都使用功率MOS器件.所以深入了解功率MOS器件的内部结构和工作特性对开关电源工程师来说至关重要.开关电源电路中MOS管的结构,寄生参数,散热条件等都会对功率MOS的工作性能产生影响.为了使开关电源设计师在使用功率MOS管时有的放矢,本文将对功率MOS管的各项基本参数和性能进行论述. 展开更多

关键词 功率MOS管 大功率电源 特性 功率MOS器件 开关电源电路 开关功率器件 应用 内部结构 工作性能 电源电压

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大功率IGBT驱动电路的研究 被引量：2

10

作者 何跃军 韩旭 彭登峰 《南昌航空工业学院学报》 CAS 2002年第3期76-78,共3页

本文从实践出发 ,对IGBT的使用中 ,驱动和保护有关问题进行了分析与阐明 ,并给出了一套采用M5 795

关键词 IGBT 驱动电路 功率开关器件 保护电路

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飞兆半导体推出MLP 封装的UltraFET系列器件

11

《中国集成电路》 2007年第1期19-19,共1页

飞兆半导体公司成功扩展其功率开关器件解决方案，推出采用超紧凑型（3mm×3mm）模塑无脚封装（MLP）的100V、200V和220V N沟道UltraFET器件，最适合用于工作站、电信和网络设备中的隔离式DC/DC转换器的初级端开关，能满足提高系统... 飞兆半导体公司成功扩展其功率开关器件解决方案，推出采用超紧凑型（3mm×3mm）模塑无脚封装（MLP）的100V、200V和220V N沟道UltraFET器件，最适合用于工作站、电信和网络设备中的隔离式DC/DC转换器的初级端开关，能满足提高系统效率和节省线路板空间等必须的设计目标。 展开更多

关键词 功率开关器件 飞兆半导体公司 封装 MLP DC/DC转换器 网络设备 设计目标 系统效率

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意法半导体和Leti合作开发硅基氮化镓功率转换技术

12

《中国集成电路》 2018年第10期4-4,共1页

意法半导体和CEA Tech下属的研究所Leti近日宣布合作研制硅基氮化镓（GaN）功率开关器件制造技术。该硅基氮化镓功率技术将让意法半导体能够满足高能效、高功率的应用需求，包括混动和电动汽车车载充电器、无线充电和服务器。

关键词 功率开关器件 意法半导体 合作开发 氮化镓 转换技术 硅基 车载充电器 制造技术

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高精度高压脉冲电源原理与实验研究 被引量：14

13

作者 但果 邹积岩 +1 位作者 丛吉远 刘凯 《大连理工大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第5期623-626,共4页

在脉冲电场非热效应应用中,高精度高压脉冲电源是关键技术之一.利用大功率开关器件(IGBT)配合脉冲升压变压器可以得到高精度高压脉冲电源.该电源通过复杂可编程逻辑器件(CPLD)来产生脉冲触发信号,经大功率IGBT专用驱动模块驱动,可以实... 在脉冲电场非热效应应用中,高精度高压脉冲电源是关键技术之一.利用大功率开关器件(IGBT)配合脉冲升压变压器可以得到高精度高压脉冲电源.该电源通过复杂可编程逻辑器件(CPLD)来产生脉冲触发信号,经大功率IGBT专用驱动模块驱动,可以实现脉冲电压在0～10kV,脉冲频率在10Hz～5kHz,脉冲宽度在2～30μs以及脉冲个数在1～100内的精确控制,并可实现脉冲宽度以1μs为步长增减,可以满足脉冲电场非热效应应用的参数要求. 展开更多

关键词 高精度高压脉冲电源 脉冲电场 非热效应 大功率开关器件 复杂可编程逻辑器件 脉冲宽度

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IPM驱动和保护电路的研究 被引量：33

14

作者 李广海 叶勇 蒋静坪 《电子技术应用》 北大核心 2003年第12期43-45,49,共4页

介绍了IPM的基本工作特性和常用IPM驱动和保护电路的设计方法,并给出了一个驱动和保护电路的设计实例。

关键词 IPM 工作特性 保护电路 IGBT 绝缘栅双极性晶体管 智能功率模块 功率集成电路 功率开关器件

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基于PSpice的IGBT功耗分析与仿真

15

作者 郭艺丹 宋书中 +1 位作者 马建伟 朱锦洪 《工矿自动化》 2009年第10期53-56,共4页

针对大功率感应加热电源功率开关器件IGBT功耗大的特点,给出了3种RCD缓冲电路结构及参数设计,在PSpice仿真软件下对3种缓冲电路中的IGBT和缓冲电阻的功率损耗进行了仿真分析,给出了相应的仿真结果。仿真结果表明,I型缓冲电路的电能损耗... 针对大功率感应加热电源功率开关器件IGBT功耗大的特点,给出了3种RCD缓冲电路结构及参数设计,在PSpice仿真软件下对3种缓冲电路中的IGBT和缓冲电阻的功率损耗进行了仿真分析,给出了相应的仿真结果。仿真结果表明,I型缓冲电路的电能损耗大,缓冲电阻发热严重;II型缓冲电路对关断瞬态电压抑制效果好,但不能有效地控制大功率级别IGBT的瞬变电压;III型缓冲电路具有寄生电感较小的优点,可有效地抑制振荡和控制瞬变电压,适用于大功率级别IGBT工作场合。 展开更多

关键词 功率开关器件 IGBT 缓冲电路 功率损耗 PSPICE 仿真

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850V／18A、1200V／8A　IGBT研制

16

作者 袁寿财 王晓宝 刘欣荣 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1994年第5期47-49,51,共4页

简单介绍了８５０Ｖ／１８Ａ、１２００Ｖ／８ＡＩＧＢＴ的研制与工艺，并给出了测试结果。

关键词 IGBT 元胞 MOS型 功率开关器件

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高频感应加热新设备和新技术 被引量：1

17

作者 杨大伟 高俊山 +2 位作者 郭信生 冯颖聪 李国霞 《河南科技》 2006年第6期43-44,共2页

关键词 高频感应加热设备 感应加热技术 新设备 20世纪60年代 中频感应加热装置 20世纪90年代 电力电子器件 低功率因数 机械加工行业 功率开关器件

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一种三电平NPC逆变器IGBT开路判别方法 被引量：3

18

作者 邱世广 李梅 《工矿自动化》 北大核心 2014年第9期99-102,共4页

针对现有三电平NPC逆变器IGBT开路判别方法计算量大的问题,对各种IGBT开路情形进行了仿真,并分析了母线中点电压偏移的原因,进而提出了一种简单的判别IGBT开路的方法。该方法通过检测母线中点电压与逆变器三相输出电流实现IGBT开路判断... 针对现有三电平NPC逆变器IGBT开路判别方法计算量大的问题,对各种IGBT开路情形进行了仿真,并分析了母线中点电压偏移的原因,进而提出了一种简单的判别IGBT开路的方法。该方法通过检测母线中点电压与逆变器三相输出电流实现IGBT开路判断,无需附加硬件电路。仿真结果验证了该方法的有效性。 展开更多

关键词 三电平NPC逆变器 开路IGBT 功率开关器件 中点电压平衡

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PWM电磁阀门驱动器DRV101及其应用

19

作者 刘军 《国外电子元器件》 1998年第6期13-15,共3页

本文论述了Ｂｕｒ－Ｂｒｏｗｎ公司新推出的电磁阀门驱动器ＤＲＶ１０１的主要性能、特点及使用方法，并提供了基本应用电路。

关键词 PWM 开关功率器件 DRV101 电磁阀门驱动器

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变频器的发展和应用 被引量：4

20

作者 刘玉 《露天采矿技术》 CAS 2009年第1期39-41,共3页

介绍了变频技术及变频器的发展概况、变频器的类型及性能、应用情况及发展趋势。

关键词 交流变频传动 高压变频器 矢量控制 直接转矩控制 大功率开关器件

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