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大应变In_(0.3)Ga_(0.7)As/GaAs量子阱激光器的生长和研究被引量：1: 1; 作者潘教青黄柏标 +4 位作者张晓阳任忠祥秦晓燕朱宝富李先林《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2003年第6期707-710,共4页; 金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法生长应变InGaAs/GaAs量子阱,应变缓冲层结合生长中断改善量子阱的PL谱特性.用该量子阱制备的激光器有很低的阈值电流密度(43 A/cm^2)和较高的斜率效率(0.34W/A,per facet)。; 关键词金属有机物化学气相沉积生长中断应变缓冲层应变量子阱激光器 INGAAS/GAAS量子阱; 在线阅读下载PDF 职称材料

半导体激光器: 2; 《中国光学》 EI CAS 1999年第5期24-26,共3页; TN248.4 99052955低阈值1.3 μmInGaAsP/InP应变补偿多量子阱DFB激光器LP—MOCVD生长=Low threshold 1.3μmInGaAsP/InP strained compensated multi—quantumwell DFB lasers grown by LP—MOCVD[刊,中]/陈博,王圩,汪孝杰,张静媛,朱洪... 展开更多; 关键词外腔半导体激光器微盘激光器应变多量子阱应变补偿应变量子阱激光器测试结果中科院学报双晶衍射结构材料; 在线阅读下载PDF 职称材料

半导体激光器: 3; 《中国光学》 EI CAS 2003年第4期17-18,共2页; TN248.4 2003042527红色AlGaInP激光器的特性及热特性分析=Characteristicsof AlGaInP red laser diode and its thermal property analysis[刊,中]/郭伟玲(北京工业大学电子信息与控制工程学院.北京(100022)),廉鹏…∥北京工业大学学报... 展开更多; 关键词半导体激光器线阵二极管激光器斜率效率特性分析应变量子阱激光器远场发散角特征温度灾变性损伤变温测试信息与控制; 在线阅读下载PDF 职称材料

半导体激光器: 4; 《中国光学》 EI CAS 2000年第3期25-28,共4页; TN248.4 2000031660单量子阱半导体激光器模拟分析=Simulation analysisof quantum well semiconductor lasers[会,中]/张励,陈建平(上海交通大学光纤技术研究所)//全国第九次光纤通信暨第十届集成光学学术会议.—秦皇岛,99.08根据量子... 展开更多; 关键词微腔半导体激光器应变量子阱激光器外腔半导体激光器集成光学光纤通信量子阱半导体激光器学术会议分别限制异质结构分别限制单量子阱载流子; 在线阅读下载PDF 职称材料

激光物理: 5; 《中国光学》 EI CAS 1996年第1期13-16,共4页; TN24 96010087压缩应变量子阱激光器的增益谱和微分增益谱的理论分析=Theoretical analysis of linear gainand differential gain of compressive strainedquantum well lasers[会,中]/彭宇恒,陈维友,赵铁民,刘式墉(吉林大学电子工程系); 关键词半导体激光器等离子体激光束应变量子阱激光器强激光电子工程集成光学微分增益相互作用纤维光学; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名大应变In_(0.3)Ga_(0.7)As/GaAs量子阱激光器的生长和研究被引量：1: 1; 作者潘教青黄柏标张晓阳任忠祥秦晓燕朱宝富李先林; 机构山东大学晶体材料国家重点实验室山东华光光电子有限公司; 出处《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2003年第6期707-710,共4页; 文摘金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法生长应变InGaAs/GaAs量子阱,应变缓冲层结合生长中断改善量子阱的PL谱特性.用该量子阱制备的激光器有很低的阈值电流密度(43 A/cm^2)和较高的斜率效率(0.34W/A,per facet)。; 关键词金属有机物化学气相沉积生长中断应变缓冲层应变量子阱激光器 INGAAS/GAAS量子阱; Keywords strain quantum well laser diodes MOCVD growth interruption strain buffer layer; 分类号 TN248.4 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名半导体激光器: 2; 出处《中国光学》 EI CAS 1999年第5期24-26,共3页; 文摘 TN248.4 99052955低阈值1.3 μmInGaAsP/InP应变补偿多量子阱DFB激光器LP—MOCVD生长=Low threshold 1.3μmInGaAsP/InP strained compensated multi—quantumwell DFB lasers grown by LP—MOCVD[刊,中]/陈博,王圩,汪孝杰,张静媛,朱洪亮,周帆,王玉田,马朝华,张子莹,刘国利(中科院半导体所.北京(100083))//半导体学报.—1998,19(3).—218—220描述了1.3 μm应变补偿多量子阱结构材料的LP—MOCVD生长,及其X射线双晶衍射的表征。报道了BH条形结构DFB激光器的器件制作和特性测试结果。参5(方舟); 关键词外腔半导体激光器微盘激光器应变多量子阱应变补偿应变量子阱激光器测试结果中科院学报双晶衍射结构材料; 分类号 TN248.4 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名半导体激光器: 3; 出处《中国光学》 EI CAS 2003年第4期17-18,共2页; 文摘 TN248.4 2003042527红色AlGaInP激光器的特性及热特性分析=Characteristicsof AlGaInP red laser diode and its thermal property analysis[刊,中]/郭伟玲(北京工业大学电子信息与控制工程学院.北京(100022)),廉鹏…∥北京工业大学学报.-2002,28(4).-423-425设计和制备了λ=680 nm的红色AlGaInP/GaInP应变量子阱激光器。制得的未镀膜20 μm脊型条形红色激光器的输出功率达到100 mW,斜率效率0.56 W/A,垂直和平行远场发散角分别为31°和9°。未镀膜4 μm深腐蚀器件的功率可达10 mW,斜率效率为0.4 W/A,峰值波长为681 nm,峰值半宽为0.5 nm。对不同腔长的器件进行了变温测试,得到器件的特征温度为120～190 K。图5参6(李士范); 关键词半导体激光器线阵二极管激光器斜率效率特性分析应变量子阱激光器远场发散角特征温度灾变性损伤变温测试信息与控制; 分类号 TN248.4 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名半导体激光器: 4; 出处《中国光学》 EI CAS 2000年第3期25-28,共4页; 文摘 TN248.4 2000031660单量子阱半导体激光器模拟分析=Simulation analysisof quantum well semiconductor lasers[会,中]/张励,陈建平(上海交通大学光纤技术研究所)//全国第九次光纤通信暨第十届集成光学学术会议.—秦皇岛,99.08根据量子阱激光器的工作原理和特点,提出一组较为完整的速率方程。; 关键词微腔半导体激光器应变量子阱激光器外腔半导体激光器集成光学光纤通信量子阱半导体激光器学术会议分别限制异质结构分别限制单量子阱载流子; 分类号 TN248.4 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名激光物理: 5; 出处《中国光学》 EI CAS 1996年第1期13-16,共4页; 文摘 TN24 96010087压缩应变量子阱激光器的增益谱和微分增益谱的理论分析=Theoretical analysis of linear gainand differential gain of compressive strainedquantum well lasers[会,中]/彭宇恒,陈维友,赵铁民,刘式墉(吉林大学电子工程系); 关键词半导体激光器等离子体激光束应变量子阱激光器强激光电子工程集成光学微分增益相互作用纤维光学; 分类号 TN248 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	大应变In_(0.3)Ga_(0.7)As/GaAs量子阱激光器的生长和研究	潘教青黄柏标张晓阳任忠祥秦晓燕朱宝富李先林	《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心	2003	1	在线阅读下载PDF 职称材料
2	半导体激光器		《中国光学》 EI CAS	1999	0	在线阅读下载PDF 职称材料
3	半导体激光器		《中国光学》 EI CAS	2003	0	在线阅读下载PDF 职称材料
4	半导体激光器		《中国光学》 EI CAS	2000	0	在线阅读下载PDF 职称材料
5	激光物理		《中国光学》 EI CAS	1996	0	在线阅读下载PDF 职称材料