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InP基应变补偿结构偏振不灵敏半导体光放大器制作的研究
1
作者
殷景志
杜国同
+3 位作者
龙北红
杨树人
许武
宣丽
《液晶与显示》
CAS
CSCD
2004年第2期116-119,共4页
为了制备偏振不灵敏的半导体光放大器 (SOA) ,将有源区设计为由 4个压应变、3个张应变阱层及晶格匹配的垒层InGaAsP交替组合而成的应变补偿结构。器件做成带有倾角的扇形脊形波导结构 ,避免了常规制作SOA的复杂工艺。对样品 3在 80～ 12...
为了制备偏振不灵敏的半导体光放大器 (SOA) ,将有源区设计为由 4个压应变、3个张应变阱层及晶格匹配的垒层InGaAsP交替组合而成的应变补偿结构。器件做成带有倾角的扇形脊形波导结构 ,避免了常规制作SOA的复杂工艺。对样品 3在 80～ 12 5mA电流范围内 ,获得了偏振灵敏度≤ 0 .6dB ,最小可达 0 .1dB ;较大的电流范围内FWHM值为 4 0nm。
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关键词
半导体光放大器
磷化铟
应变补偿结构
晶格匹配
偏振灵敏度
量子阱
结构
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职称材料
1060 nm锑化物应变补偿有源区激光二极管仿真及其性能研究
2
作者
梁财安
董海亮
+3 位作者
贾志刚
贾伟
梁建
许并社
《人工晶体学报》
CAS
北大核心
2023年第9期1624-1634,共11页
本文设计了GaAs基1060 nm高性能激光二极管的有源区结构,通过在有源区中引入锑化物的应变补偿结构GaAsP/InGaAs/GaAsSb/InGaAsSb/GaAsP,改变了有源区的能带结构,解决了禁带宽度对发光波长的限制,将弱Ⅱ型的量子阱能带结构变为Ⅰ型,增大...
本文设计了GaAs基1060 nm高性能激光二极管的有源区结构,通过在有源区中引入锑化物的应变补偿结构GaAsP/InGaAs/GaAsSb/InGaAsSb/GaAsP,改变了有源区的能带结构,解决了禁带宽度对发光波长的限制,将弱Ⅱ型的量子阱能带结构变为Ⅰ型,增大了电子空穴的波函数重叠,提高了激光二极管跃迁概率和辐射复合概率及内量子效率,降低了非辐射复合,有效增强了器件输出功率和电光转换效率。同时,设计了非对称异质双窄波导结构,p侧采用导带差大、价带差小的AlGaAs作为内、外波导层,有利于价带空穴注入有源区且对导带中的电子形成良好的限制。n侧采用导带差小、价带差大的GaInAsP作为内、外波导层,有利于导带电子的注入且对价带中的空穴形成更高的势垒。电子注入势垒和空穴注入势垒分别由原先的218、172 meV降低到148、155 meV,提高了激光二极管的载流子注入效率;电子泄漏势垒和空穴泄漏势垒分别由252、287 meV上升到289、310 meV,增强了载流子限制能力。最后获得的激光二极管的输出功率和电光转换效率分别达到了6.27 W和85.39%,为制备高性能GaAs基1060 nm激光二极管提供了理论指导和数据支撑。
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关键词
锑化物
应变
补偿
量子阱
结构
非对称异质双窄波导
输出功率
电光转换效率
1060
nm激光二极管
大功率
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职称材料
题名
InP基应变补偿结构偏振不灵敏半导体光放大器制作的研究
1
作者
殷景志
杜国同
龙北红
杨树人
许武
宣丽
机构
中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
吉林大学电子科学与工程学院
吉林大学材料科学与工程学院
出处
《液晶与显示》
CAS
CSCD
2004年第2期116-119,共4页
基金
国家自然科学基金重大项目资助 (No .698962 60 )
文摘
为了制备偏振不灵敏的半导体光放大器 (SOA) ,将有源区设计为由 4个压应变、3个张应变阱层及晶格匹配的垒层InGaAsP交替组合而成的应变补偿结构。器件做成带有倾角的扇形脊形波导结构 ,避免了常规制作SOA的复杂工艺。对样品 3在 80～ 12 5mA电流范围内 ,获得了偏振灵敏度≤ 0 .6dB ,最小可达 0 .1dB ;较大的电流范围内FWHM值为 4 0nm。
关键词
半导体光放大器
磷化铟
应变补偿结构
晶格匹配
偏振灵敏度
量子阱
结构
Keywords
strain compensation
polarization insensitive
semiconductor optical amplifier (SOA)
分类号
TN722.32 [电子电信—电路与系统]
O436.3 [机械工程—光学工程]
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职称材料
题名
1060 nm锑化物应变补偿有源区激光二极管仿真及其性能研究
2
作者
梁财安
董海亮
贾志刚
贾伟
梁建
许并社
机构
太原理工大学新材料界面科学与工程教育部重点实验室
山西浙大新材料与化工研究院
太原理工大学材料科学与工程学院
陕西科技大学材料原子·分子科学研究所
出处
《人工晶体学报》
CAS
北大核心
2023年第9期1624-1634,共11页
基金
国家自然科学基金(61904120,21972103)
山西浙大新材料与化工研究院资助项目(2022SX-TD018,2021SX-AT001、002、003)
山西省“1331工程”项目。
文摘
本文设计了GaAs基1060 nm高性能激光二极管的有源区结构,通过在有源区中引入锑化物的应变补偿结构GaAsP/InGaAs/GaAsSb/InGaAsSb/GaAsP,改变了有源区的能带结构,解决了禁带宽度对发光波长的限制,将弱Ⅱ型的量子阱能带结构变为Ⅰ型,增大了电子空穴的波函数重叠,提高了激光二极管跃迁概率和辐射复合概率及内量子效率,降低了非辐射复合,有效增强了器件输出功率和电光转换效率。同时,设计了非对称异质双窄波导结构,p侧采用导带差大、价带差小的AlGaAs作为内、外波导层,有利于价带空穴注入有源区且对导带中的电子形成良好的限制。n侧采用导带差小、价带差大的GaInAsP作为内、外波导层,有利于导带电子的注入且对价带中的空穴形成更高的势垒。电子注入势垒和空穴注入势垒分别由原先的218、172 meV降低到148、155 meV,提高了激光二极管的载流子注入效率;电子泄漏势垒和空穴泄漏势垒分别由252、287 meV上升到289、310 meV,增强了载流子限制能力。最后获得的激光二极管的输出功率和电光转换效率分别达到了6.27 W和85.39%,为制备高性能GaAs基1060 nm激光二极管提供了理论指导和数据支撑。
关键词
锑化物
应变
补偿
量子阱
结构
非对称异质双窄波导
输出功率
电光转换效率
1060
nm激光二极管
大功率
Keywords
antimonide
strain-compensated quantum well structure
asymmetric heterogenous double narrow waveguide
output power
electro-optical conversion efficiency
1060 nm laser diode
high power
分类号
TN248.4 [电子电信—物理电子学]
TN312.8 [电子电信—物理电子学]
O471 [理学—半导体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
InP基应变补偿结构偏振不灵敏半导体光放大器制作的研究
殷景志
杜国同
龙北红
杨树人
许武
宣丽
《液晶与显示》
CAS
CSCD
2004
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
1060 nm锑化物应变补偿有源区激光二极管仿真及其性能研究
梁财安
董海亮
贾志刚
贾伟
梁建
许并社
《人工晶体学报》
CAS
北大核心
2023
0
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职称材料
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