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FeSiB薄膜的巨磁阻抗和应力阻抗效应研究 被引量:15
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作者 茅昕辉 禹金强 +2 位作者 周勇 吴茂松 蔡炳初 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 2002年第6期429-433,共5页
软磁材料中存在巨磁阻抗 (giantmagneto impedance ,GMI)效应以及与之相同来源的应力阻抗 (stress impedance ,SI)效应 ,利用这两种效应可以制成具有高灵敏度的微型化的磁场和应力 应变传感器。本文基于传感器的实际应用 ,对图形化的、... 软磁材料中存在巨磁阻抗 (giantmagneto impedance ,GMI)效应以及与之相同来源的应力阻抗 (stress impedance ,SI)效应 ,利用这两种效应可以制成具有高灵敏度的微型化的磁场和应力 应变传感器。本文基于传感器的实际应用 ,对图形化的、较大磁致伸缩的FeSiB单层和多层薄膜的巨磁阻抗和应力阻抗效应中频率和退火的影响进行了研究。结果表明 ,对于两种效应 ,经过退火处理的单层和多层膜均可在较低的频率下得到较高的灵敏度 。 展开更多
关键词 FeSiB薄膜 巨磁阻抗 应力阻抗效应 多层膜 软磁材料
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热处理温度对FeCoSiB薄膜及FeCoSiB/Cu/FeCoSiB三明治膜应力阻抗效应的影响 被引量:6
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作者 张万里 蒋洪川 +3 位作者 杨国宁 彭斌 张文旭 张永强 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第4期516-518,共3页
采用DC磁控溅射法在玻璃基片上制备了FeCoSiB薄膜和FeCoSiB/Cu/FeCoSiB 三明治膜,并进行磁场退火热处理以消除残余应力和形成磁织构,提高薄膜的应力阻抗效应。薄膜的磁性能采用振动样品磁强计(VSM)进行测试,采用HP4275A 型阻抗分析仪在2... 采用DC磁控溅射法在玻璃基片上制备了FeCoSiB薄膜和FeCoSiB/Cu/FeCoSiB 三明治膜,并进行磁场退火热处理以消除残余应力和形成磁织构,提高薄膜的应力阻抗效应。薄膜的磁性能采用振动样品磁强计(VSM)进行测试,采用HP4275A 型阻抗分析仪在200kHz^10MHz频率范围内测试薄膜的应力阻抗效应。结果表明,磁场退火热处理可形成感生磁各向异性,改善薄膜的软磁性能、提高薄膜的应力阻抗效应。在温度低于300℃时,随着退火温度的增加,薄膜的应力阻抗效应增大;当退火温度超过300℃时,薄膜的应力阻抗效应随退火温度增加而降低。与Fe CoSiB单层膜相比, FeCoSiB/Cu/FeCoSiB 三明治膜应力阻抗效应较大。10MHz测试频率下,在基片末端位移为450μm时,经300℃热处理的三明治膜达到了8.3%,而单层膜仅有1.86%。当测试频率较高为10和4MHz时,薄膜的应力阻抗效应变化不大,当测试频率下降到低于1MHz时,薄膜的应力阻抗效应显著降低。 展开更多
关键词 磁弹性 应力阻抗效应 FeCoSiB FeCoSiB/Cu/FeCoSiB 磁场热处理
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退火工艺对铁基非晶薄带压应力阻抗效应的影响 被引量:4
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作者 蒋达国 李厚德 朱正吼 《江西师范大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2007年第6期639-642,共4页
采用单辊法制备了宽4.5 mm厚25μm的Fe73.5Cu1Nb3Si3.5B9非晶薄带,且对薄带进行了退火处理和金相分析,并研究了退火工艺对非晶薄带SI效应的影响.结果表明,非晶薄带经300℃退火后开始出现晶化现象;与淬态非晶薄带相比,退火可以增强非晶... 采用单辊法制备了宽4.5 mm厚25μm的Fe73.5Cu1Nb3Si3.5B9非晶薄带,且对薄带进行了退火处理和金相分析,并研究了退火工艺对非晶薄带SI效应的影响.结果表明,非晶薄带经300℃退火后开始出现晶化现象;与淬态非晶薄带相比,退火可以增强非晶薄带的SI效应,经300℃×2 h退火后薄带的SI效应最大,当测试频率为50 MHz,测试压应力为3.6 MPa时,淬态非晶薄带的SI效应为5.63%,而经300℃×2 h退火后薄带的SI效应可达7.83%. 展开更多
关键词 非晶薄带 应力阻抗效应 磁致伸缩 退火
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FeCoSiB/Cu/FeCoSiB多层膜的应力阻抗效应研究 被引量:1
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作者 刘均东 张万里 彭斌 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第12期20-22,共3页
采用直流磁控溅射法在柔性Kapton基片上制备了三明治结构的FeCoSiB/Cu/FeCoSiB多层膜,研究了多层膜的交流阻抗随外加应力变化的规律。测试结果表明,三明治结构多层膜的阻抗随外加应力的增大而增大,应力阻抗效应随中间导电层厚度以及铁... 采用直流磁控溅射法在柔性Kapton基片上制备了三明治结构的FeCoSiB/Cu/FeCoSiB多层膜,研究了多层膜的交流阻抗随外加应力变化的规律。测试结果表明,三明治结构多层膜的阻抗随外加应力的增大而增大,应力阻抗效应随中间导电层厚度以及铁磁层厚度的增加而增强,同时应力阻抗效应也与测试频率密切相关。 展开更多
关键词 FeCoSiB/Cu/FeCoSiB多层膜 应力阻抗效应 柔性基片
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软磁纳米晶丝的巨应力阻抗和巨扭矩阻抗效应
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作者 尹世忠 李印峰 孙会元 《河南科技大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2009年第6期90-93,共4页
在频率f=1MHz和纵向直流磁场H=0~±11.2kA/m下,分别测量了Fe73.5Cu1Nb3Si13.5B9纳米晶丝(由非晶退火而得)在外加应力(σ=0~157MPa)及扭矩(ξ=0~62.8rad/m)作用下的磁阻抗效应分别为-35%和-66%。基于感生磁弹性各向异性的概念,对... 在频率f=1MHz和纵向直流磁场H=0~±11.2kA/m下,分别测量了Fe73.5Cu1Nb3Si13.5B9纳米晶丝(由非晶退火而得)在外加应力(σ=0~157MPa)及扭矩(ξ=0~62.8rad/m)作用下的磁阻抗效应分别为-35%和-66%。基于感生磁弹性各向异性的概念,对应力阻抗效应和扭矩阻抗效应进行了理论分析。与实验结果的对比表明,阻抗随应力和扭矩的改变可由感生各向异性模型来解释。 展开更多
关键词 纳米晶丝 应力阻抗效应 扭矩阻抗效应 感生各向异性
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非晶态合金丝巨应力电阻抗效应的研究 被引量:1
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作者 鲍丙豪 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第3期265-266,共2页
研究了具有近零磁致伸缩系数Fe4 .3 5Co68.15Si12 .5B15晶态合金丝在外加压应力作用下显示的巨应力电阻抗 (GSI)效应。比较了Fe4 .3 5Co68.15Si12 .5B15非晶材料及具有大磁致伸缩系数的Fe77.5Si7.5B15非晶材料在弯曲应力作用下显示的应... 研究了具有近零磁致伸缩系数Fe4 .3 5Co68.15Si12 .5B15晶态合金丝在外加压应力作用下显示的巨应力电阻抗 (GSI)效应。比较了Fe4 .3 5Co68.15Si12 .5B15非晶材料及具有大磁致伸缩系数的Fe77.5Si7.5B15非晶材料在弯曲应力作用下显示的应力电阻抗效应的异同。仔细研究了钴基非晶丝两端的电压信号峰峰值与外力、驱动电流Irms及频率f的关系。实验结果表明 ,钴基非晶丝在外加力为 6g ,驱动电流Irms为 10mA ,频率为 2 0 0~ 2 5 0kHz时 ,电压峰峰值变化率可达 40 %。而FeSiB材料在低频及小应力下未发现GSI效应。 展开更多
关键词 钴基金 非晶态合金丝 应力阻抗效应
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一种新型压磁薄膜 被引量:8
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作者 李塘华 朱正吼 +1 位作者 马广斌 夏小鸽 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第11期1787-1789,共3页
在硅橡胶基体中复合非晶Fe73.5Cu1Nb3Si13.5B9粉体,制得一种具有压磁特性的复合薄膜,并对一些影响因素进行了初步探讨。实验表明,该复合薄膜具有灵敏的压磁特性,尤其在<120kPa微应力,测试频率低于400kHz时,压磁效应最好。在相同测试... 在硅橡胶基体中复合非晶Fe73.5Cu1Nb3Si13.5B9粉体,制得一种具有压磁特性的复合薄膜,并对一些影响因素进行了初步探讨。实验表明,该复合薄膜具有灵敏的压磁特性,尤其在<120kPa微应力,测试频率低于400kHz时,压磁效应最好。在相同测试频率下,压应力与应力阻抗值成正比关系;薄膜中非晶粉体越细、粉体含量越高,薄膜越薄,其压磁效应越大。 展开更多
关键词 压磁效应 应力阻抗效应 非晶 薄膜
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