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高k栅介质SOI nMOSFET正偏压温度不稳定性的实验研究(英文)
1
作者
李哲
吕垠轩
+1 位作者
何燕冬
张钢刚
《北京大学学报（自然科学版）》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014年第4期637-641,共5页
对高k栅介质SOI nMOSFET器件的PBTI退化和恢复进行实验研究,并且与pMOSFET器件的NBTI效应进行比较,分析PBTI效应对阈值电压漂移、线性及饱和漏电流、亚阈摆幅和应力诱导漏电流的影响。结果显示,PBTI的退化和恢复与NBTI效应具有相似的趋...
对高k栅介质SOI nMOSFET器件的PBTI退化和恢复进行实验研究,并且与pMOSFET器件的NBTI效应进行比较,分析PBTI效应对阈值电压漂移、线性及饱和漏电流、亚阈摆幅和应力诱导漏电流的影响。结果显示,PBTI的退化和恢复与NBTI效应具有相似的趋势,但是PBTI具有较高的退化速率和较低的恢复比例,这会对器件的寿命预测带来影响。最后给出在PBTI应力条件下,界面陷阱和体陷阱的产生规律及其对器件退化的影响。
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关键词
正偏置温度不稳定性(PBTI)
高介电常数栅介质
绝缘衬底上的硅型金属氧化层半导体场效应晶体管(soI
MOSFET)
退化
应力
诱导
漏
电流
(
silc
)
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职称材料
题名
高k栅介质SOI nMOSFET正偏压温度不稳定性的实验研究(英文)
1
作者
李哲
吕垠轩
何燕冬
张钢刚
机构
北京大学微电子学研究院、教育部微电子器件与电路重点实验室
出处
《北京大学学报（自然科学版）》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014年第4期637-641,共5页
基金
国家重点基础研究发展计划(2011CBA00606)资助
文摘
对高k栅介质SOI nMOSFET器件的PBTI退化和恢复进行实验研究,并且与pMOSFET器件的NBTI效应进行比较,分析PBTI效应对阈值电压漂移、线性及饱和漏电流、亚阈摆幅和应力诱导漏电流的影响。结果显示,PBTI的退化和恢复与NBTI效应具有相似的趋势,但是PBTI具有较高的退化速率和较低的恢复比例,这会对器件的寿命预测带来影响。最后给出在PBTI应力条件下,界面陷阱和体陷阱的产生规律及其对器件退化的影响。
关键词
正偏置温度不稳定性(PBTI)
高介电常数栅介质
绝缘衬底上的硅型金属氧化层半导体场效应晶体管(soI
MOSFET)
退化
应力
诱导
漏
电流
(
silc
)
Keywords
PBTI
high-k gate dielectrics
SOI MOSFET
degradation
silc
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
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作者
出处
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1
高k栅介质SOI nMOSFET正偏压温度不稳定性的实验研究(英文)
李哲
吕垠轩
何燕冬
张钢刚
《北京大学学报（自然科学版）》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014
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