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应力补偿型InGaN-AlGaN量子阱发光二极管结构优化研究
1
作者
李为军
张波
+1 位作者
徐文兰
陆卫
《激光与红外》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第10期1023-1026,共4页
薄的应力补偿层AlGaN的引进对InGaN量子阱结构的发光二极管输出功率和内量子效率的影响被详细考察。由理论模拟结果得知,不管是在低温还是高温,合适的应力补偿层引进都能极大改善LED器件输出功率和内量子效率。应力补偿层AlGaN的加入导...
薄的应力补偿层AlGaN的引进对InGaN量子阱结构的发光二极管输出功率和内量子效率的影响被详细考察。由理论模拟结果得知,不管是在低温还是高温,合适的应力补偿层引进都能极大改善LED器件输出功率和内量子效率。应力补偿层AlGaN的加入导致器件漏电流的降低被认为是器件效能提高的主要原因。定量优化AlGaN应力补偿层的厚度和其中Al的含量在这里也被探讨研究。计算结果表明,当应力补偿型InGaN-AlGaN量子阱结构中Al-GaN厚度为1nm,Al含量为0.25时,能够获得最大的发光功效和内量子效率。
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关键词
应力补偿型量子阱
INGAN
发光二极管
数值模拟
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职称材料
题名
应力补偿型InGaN-AlGaN量子阱发光二极管结构优化研究
1
作者
李为军
张波
徐文兰
陆卫
机构
中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室
华东师范大学信息科学技术学院
出处
《激光与红外》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第10期1023-1026,共4页
基金
国家自然科学基金(No.10474020)
中国科学院知识创新工程青年人才领域前沿项目(No.C2-14)资助
文摘
薄的应力补偿层AlGaN的引进对InGaN量子阱结构的发光二极管输出功率和内量子效率的影响被详细考察。由理论模拟结果得知,不管是在低温还是高温,合适的应力补偿层引进都能极大改善LED器件输出功率和内量子效率。应力补偿层AlGaN的加入导致器件漏电流的降低被认为是器件效能提高的主要原因。定量优化AlGaN应力补偿层的厚度和其中Al的含量在这里也被探讨研究。计算结果表明,当应力补偿型InGaN-AlGaN量子阱结构中Al-GaN厚度为1nm,Al含量为0.25时,能够获得最大的发光功效和内量子效率。
关键词
应力补偿型量子阱
INGAN
发光二极管
数值模拟
Keywords
strain-compensated quantum well
InGaN
light-emitting diode
numerical simulation
分类号
TN312.8 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
应力补偿型InGaN-AlGaN量子阱发光二极管结构优化研究
李为军
张波
徐文兰
陆卫
《激光与红外》
CAS
CSCD
北大核心
2008
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