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SrHfON高k栅介质薄膜的漏电特性研究
1
作者
王雪梅
刘正堂
冯丽萍
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013年第8期778-782,共5页
采用射频反应磁控溅射法在p-Si(100)衬底上成功制备出SrHfON高k栅介质薄膜,并研究了Au/SrHfON/Si MOS电容的漏电流机制及应力感应漏电流(SILC)效应。结果表明,MOS电容的漏电流密度随N2流量的增加而减小。在正栅压下,漏电流主要由Schottk...
采用射频反应磁控溅射法在p-Si(100)衬底上成功制备出SrHfON高k栅介质薄膜,并研究了Au/SrHfON/Si MOS电容的漏电流机制及应力感应漏电流(SILC)效应。结果表明,MOS电容的漏电流密度随N2流量的增加而减小。在正栅压下,漏电流主要由Schottky发射机制引起;在负栅压下,漏电流机制在低、中、高栅电场区时分别为Schottky发射、F-P发射和F-N隧穿机制。同时,Au/SrHfON/SiMOS电容表现出明显的SILC效应,经恒压应力后薄膜在正栅压下的漏电流由Schottky发射和F-P发射机制共同作用,且后者占主导地位。
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关键词
高K栅介质
SrHfON
漏电
流
机制
应力感应漏电流
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职称材料
题名
SrHfON高k栅介质薄膜的漏电特性研究
1
作者
王雪梅
刘正堂
冯丽萍
机构
西北工业大学凝固技术国家重点实验室
出处
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013年第8期778-782,共5页
基金
国家自然科学基金项目(50902110)
凝固技术国家重点实验室研究基金项目(58-TZ-2011)
+1 种基金
111计划(B07040)
西北工业大学基础研究基金项目(JC20110245)
文摘
采用射频反应磁控溅射法在p-Si(100)衬底上成功制备出SrHfON高k栅介质薄膜,并研究了Au/SrHfON/Si MOS电容的漏电流机制及应力感应漏电流(SILC)效应。结果表明,MOS电容的漏电流密度随N2流量的增加而减小。在正栅压下,漏电流主要由Schottky发射机制引起;在负栅压下,漏电流机制在低、中、高栅电场区时分别为Schottky发射、F-P发射和F-N隧穿机制。同时,Au/SrHfON/SiMOS电容表现出明显的SILC效应,经恒压应力后薄膜在正栅压下的漏电流由Schottky发射和F-P发射机制共同作用,且后者占主导地位。
关键词
高K栅介质
SrHfON
漏电
流
机制
应力感应漏电流
Keywords
High-k gate dielectric
SrHfON
Leakage current conduction mechanism
SILC
分类号
TN386.1 [电子电信—物理电子学]
O484.3 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
SrHfON高k栅介质薄膜的漏电特性研究
王雪梅
刘正堂
冯丽萍
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013
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