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40Gb/s 0.18μm CMOS甚短距离并行光接收前端放大器 被引量:1
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作者 李智群 薛兆丰 +3 位作者 王志功 冯军 章丽 李伟 《高技术通讯》 CAS CSCD 北大核心 2007年第6期591-594,共4页
研制成功一种应用于甚短距离(VSR)光传输系统的40Gb/s并行光接收前端放大器芯片。该电路采用12路并行信道结构和0.18μm CMOS工艺,单信道传输速率达到了3.318Gb/s。电路设计采用了RGC结构和噪声优化技术,克服了CMOS光检测器大寄生电... 研制成功一种应用于甚短距离(VSR)光传输系统的40Gb/s并行光接收前端放大器芯片。该电路采用12路并行信道结构和0.18μm CMOS工艺,单信道传输速率达到了3.318Gb/s。电路设计采用了RGC结构和噪声优化技术,克服了CMOS光检测器大寄生电容造成的带宽不够的问题。提出了一种同时采用P+保护环(PGR)、N+保护环(NGR)和深N阱(DNW)的并行放大器隔离结构,有效地抑制了并行放大器之间的串扰,减小了放大器之间的衬底耦合噪声。测试表明,所有信道在3.318Gb/s数据速率、2mVpp输入和2pF的寄生电容下均得到了清晰的眼图。芯片采用1.8V电源供电,单路前端放大器的功耗为85mW,12路总功耗约为1W。 展开更多
关键词 并行光接收 前端放大器 RGC结构 衬底噪声耦合 放大器隔离
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12×10Gb/s CMOS并行光接收机前置放大器阵列设计 被引量:1
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作者 何子玮 王志功 《光通信技术》 CSCD 北大核心 2009年第8期5-7,共3页
采用SMIC 0.18μm CMOS工艺,设计了一种12路并行、每路工作速率为10Gb/s的光接收机前置放大器阵列,应用于高速芯片间的光互连。整个电路通过1.8V电压供电,采用RGC结构和有源电感并联峰化技术,单路中频跨阻增益为47.1dBΩ,-3dB带宽为8.9... 采用SMIC 0.18μm CMOS工艺,设计了一种12路并行、每路工作速率为10Gb/s的光接收机前置放大器阵列,应用于高速芯片间的光互连。整个电路通过1.8V电压供电,采用RGC结构和有源电感并联峰化技术,单路中频跨阻增益为47.1dBΩ,-3dB带宽为8.9GHz。芯片工作时总的传输速率为120Gb/s。 展开更多
关键词 并行光接收 CMOS工艺 前置放大器阵列 串扰抑制 跨阻放大器
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