四路并联二极管辐射X射线场参数计算 被引量：4

1

作者 李进玺 邱孟通 +5 位作者 程引会 吴伟 来定国 马良 赵墨 郭景海 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第8期1460-1466,共7页

利用二极管的电压、电流计算了发射电子束能谱参数,建立了四路并联二极管阳极靶蒙特卡罗粒子输运计算模型,给出了辐射X射线场参数;将四路并联二极管的每个二极管划分为若干小单元,将其作为点源,采用数值积分的方法计算了辐射X射线剂量分... 利用二极管的电压、电流计算了发射电子束能谱参数,建立了四路并联二极管阳极靶蒙特卡罗粒子输运计算模型,给出了辐射X射线场参数;将四路并联二极管的每个二极管划分为若干小单元,将其作为点源,采用数值积分的方法计算了辐射X射线剂量分布,并分析了空间不同位置处每路二极管对剂量的贡献。结果表明:真空中,距离四路并联二极管阳极靶5cm位置处,X射线注量为3.55mJ/cm2,光子平均能量为62.18keV,120keV以下的光子占辐射X射线谱总能量的81.84%,电子束转换效率为0.30%;在2 700cm2范围内,中轴线和对角线上的剂量均匀性分别为3.20和6.31;在2 000cm2范围内,中轴线和对角线上的剂量均匀性均小于2。 展开更多

关键词 并联二极管 X射线场 蒙特卡罗方法 剂量均匀性

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反并联二极管对IGCT关断过程的影响 被引量：10

2

作者 童亦斌 张婵 《电工技术学报》 EI CSCD 北大核心 2007年第11期125-129,共5页

IGCT是一种基于GTO结构并利用集成门极电路进行硬驱动控制的大功率半导体开关器件。在IGCT关断过程中,其门极换流有可能使反并联在IGCT两端的二极管因正向偏置而导通,从而对IGCT的关断过程产生显著的影响。本文从介绍IGCT工作原理入手,... IGCT是一种基于GTO结构并利用集成门极电路进行硬驱动控制的大功率半导体开关器件。在IGCT关断过程中,其门极换流有可能使反并联在IGCT两端的二极管因正向偏置而导通,从而对IGCT的关断过程产生显著的影响。本文从介绍IGCT工作原理入手,结合解释门极换流过程,对IGCT关断过程中反并联二极管的工作和由此产生的影响进行了分析,并通过实验结果对此进行了验证。 展开更多

关键词 IGCT 集成门极 硬驱动 反并联二极管 反向恢复

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基于反向并联二极管对的D波段次谐波混频器 被引量：4

3

作者 钟伟 张勇 +2 位作者 刘伟 王云飞 赵伟 《微波学报》 CSCD 北大核心 2014年第1期55-58,共4页

设计并制作了一个D波段次谐波混频器。该混频器使用VDI公司反向并联肖特基二极管对,安装在50μm厚的石英基片悬置微带上。通过HFSS和ADS的联合设计仿真,混频器在射频频率141～158GHz频段内变频损耗低于10dB,在149 GHz处获得最佳变频损耗... 设计并制作了一个D波段次谐波混频器。该混频器使用VDI公司反向并联肖特基二极管对,安装在50μm厚的石英基片悬置微带上。通过HFSS和ADS的联合设计仿真,混频器在射频频率141～158GHz频段内变频损耗低于10dB,在149 GHz处获得最佳变频损耗7.8dB。最后加工了实物并进行了测试,结果显示,在138～155GHz范围内,变频损耗基本小于20dB,带内最低损耗在10dB左右。该混频器具有结构简单,容易制造,变频损耗低等优点。 展开更多

关键词 D波段 次谐波混频器 反向并联肖特基二极管

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基于平面肖特基二极管的75~110 GHz宽带三倍频器芯片 被引量：1

4

作者 陈艳 孟范忠 +2 位作者 薛昊东 张傲 高建军 《红外与毫米波学报》 CSCD 北大核心 2024年第6期768-774,共7页

基于GaAs平面肖特基二极管工艺,采用反向并联二极管对的平衡结构,实现了W波段宽带三倍频器芯片。采用有限元法和等效电路法联合的方式,建立10~280 GHz频率范围的平面肖特基二极管的精确等效电路模型。采用非线性谐波平衡联合仿真方法,... 基于GaAs平面肖特基二极管工艺,采用反向并联二极管对的平衡结构,实现了W波段宽带三倍频器芯片。采用有限元法和等效电路法联合的方式,建立10~280 GHz频率范围的平面肖特基二极管的精确等效电路模型。采用非线性谐波平衡联合仿真方法,实现了W波段倍频器的最优化设计。在片测试结果表明,在17 dBm的驱动功率下,倍频损耗小于15 dB,最大倍频效率6.7%,芯片尺寸0.80 mm×0.65 mm×0.05 mm。 展开更多

关键词 平面肖特基二极管 反向并联二极管对 倍频器设计

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强流二极管产生大面积脉冲X射线参数计算 被引量：4

5

作者 李进玺 吴伟 +5 位作者 来定国 程引会 马良 赵墨 郭景海 周辉 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第3期268-272,共5页

利用二极管的电压电流波形计算了电子束参数,建立了串级二极管和四路并联二极管阳极靶蒙特卡罗粒子输运计算模型,给出了两种情况下轫致辐射X射线场参数。结果表明:阳极靶厚度增加时,轫致辐射X射线平均能量增大,而能量转换效率先增大,后... 利用二极管的电压电流波形计算了电子束参数,建立了串级二极管和四路并联二极管阳极靶蒙特卡罗粒子输运计算模型,给出了两种情况下轫致辐射X射线场参数。结果表明:阳极靶厚度增加时,轫致辐射X射线平均能量增大,而能量转换效率先增大,后减小;距离串级二极管和四路并联二极管阳极靶5cm位置处,X射线注量分别为76.50,3.74mJ/cm2;光子平均能量分别为81.13,60.77keV;半径为12cm的圆面上,串级二极管X射线剂量呈马鞍形分布,均匀性为1.70∶1;边长为52cm的正方形平面上,四路并联二极管X射线剂量均匀性小于6.30∶1;电子束轫致辐射转换效率分别为0.29%,0.32%。 展开更多

关键词 串级二极管 并联二极管 X射线源 蒙特卡罗方法

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基于开关瞬态过程分析的大容量变换器杂散参数抽取方法 被引量：36

6

作者 陈材 裴雪军 +2 位作者 陈宇 汪洪亮 康勇 《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2011年第21期40-47,共8页

由于线路杂散电感存储能量的释放,绝缘门极双极性晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)在开通和关断的瞬态过程中,其两端将产生电压尖峰。为了对该电压尖峰进行定量研究,需要对IGBT开关过程进行分析,抽取线路的杂散电感参数... 由于线路杂散电感存储能量的释放,绝缘门极双极性晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)在开通和关断的瞬态过程中,其两端将产生电压尖峰。为了对该电压尖峰进行定量研究,需要对IGBT开关过程进行分析,抽取线路的杂散电感参数。传统抽取方法通常利用IGBT关断电压的最大幅值以及近似的电流斜率作为计算参数,其计算结果并不精确。为得到更精确的结果,提出一种新的参数抽取方法,通过将IGBT开通、关断的非线性过程分解为多个线性阶段,并充分考虑反并联二极管前向恢复和反向恢复的影响,在此基础上得到电压过冲ΔUce和相对应的di/dt,进而得到准确的杂散参数抽取过程。最后,将该分析方法在一台75 kVA的单相逆变器进行实验验证,利用不同工况下的开通和关断过程进行线路杂散电感抽取,均得到一致的结果,从而证明了本方法的有效性与正确性。 展开更多

关键词 电压尖峰 杂散电感 反并联二极管 开通 关断

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220 GHz分谐波混频器研究 被引量：9

7

作者 张波 陈哲 樊勇 《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第3期397-400,共4页

频率在0.1～10 THz范围内的太赫兹电磁波,因其所具有的特殊性质近年来受到了广泛的关注。该文介绍了一种太赫兹频段内220 GHz基于肖特基势垒二极管的分谐波混频器设计。利用CAD技术对反向并联二极管对的阻抗频率特性进行分析,并在该基... 频率在0.1～10 THz范围内的太赫兹电磁波,因其所具有的特殊性质近年来受到了广泛的关注。该文介绍了一种太赫兹频段内220 GHz基于肖特基势垒二极管的分谐波混频器设计。利用CAD技术对反向并联二极管对的阻抗频率特性进行分析,并在该基础上通过HFSS和ADS软件的联合仿真,对混频器性能进行优化。最后,对该混频器进行加工和测试,结果表明,在210～230 GHz频带范围内,变频损耗小于10 dB。 展开更多

关键词 反向并联二极管对 固态电路 分谐波混频器 太赫兹

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基于石英基片的二毫米波段二次谐波混频器设计和研制 被引量：8

8

作者 安大伟 于伟华 吕昕 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2011年第1期33-37,共5页

介绍了一种基于石英基片的2mm波段二次谐波混频器.阐述了谐波混频器的基本原理,建立了混频二极管对结构的高频模型,并用全波分析软件对整个电路进行了仿真优化.实测得到射频信号在116～120GHz范围内,当本振频率为59GHz、功率为7～14dBm... 介绍了一种基于石英基片的2mm波段二次谐波混频器.阐述了谐波混频器的基本原理,建立了混频二极管对结构的高频模型,并用全波分析软件对整个电路进行了仿真优化.实测得到射频信号在116～120GHz范围内,当本振频率为59GHz、功率为7～14dBm时,最低变频损耗为17dB,最高变频损耗为20dB.混频器的P1dB为1dBm,各端口隔离度均优于20dB.研制的集成2mm波段二次谐波混频器实测结果与设计结果吻合较好. 展开更多

关键词 毫米波 谐波混频器 反向并联二极管对 TRL方法

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IGCT驱动关断电路及续流回路参数提取 被引量：1

9

作者 王佳蕊 孔力 +2 位作者 周亚星 李鲁阳 祁晓敏 《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2017年第18期5420-5426,共7页

集成门极换流晶闸管(integrated gate commutated thyristor,IGCT)关断暂态时,其电流迅速由阴极换向到门极,且IGCT反并联二极管因承受正向偏压而导通,故IGCT关断暂态特性受其门极驱动关断电路及其反并联二极管运行特性影响。基于IGCT关... 集成门极换流晶闸管(integrated gate commutated thyristor,IGCT)关断暂态时,其电流迅速由阴极换向到门极,且IGCT反并联二极管因承受正向偏压而导通,故IGCT关断暂态特性受其门极驱动关断电路及其反并联二极管运行特性影响。基于IGCT关断暂态换流机制及反并联二极管的工作原理,提出IGCT关断暂态时门极换流晶闸管(gate commutated thyristor,GCT)、驱动电路与反并联二极管所构成续流回路的等效电路,详细分析反并联二极管不同工况时等效电路结构及其运行特性的变化。结合IGCT关断暂态其端电压及等效电路各支路电流的实验结果,给出IGCT驱动关断电路及续流回路参数的提取方法。通过不同箝位电压与关断电流时实验结果与理论分析的对比,并考虑参数提取结果的一致性,充分证明等效电路与理论分析的正确性及参数提取方法的有效性。 展开更多

关键词 集成门极换流晶闸管 门极驱动关断电路 反并联二极管 等效电路 参数提取

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340GHz四次谐波混频器的研制 被引量：3

10

作者 李凯 《微波学报》 CSCD 北大核心 2015年第1期88-91,共4页

太赫兹波是电磁波谱中最后一个未被全面研究开发的频率窗口,它的开发和利用具有重大的科学价值。介绍了一种太赫兹频段内340GHz基于肖特基势垒二极管的四次谐波混频器设计。应用高频场仿真软件(HFSS)以及谐波平衡仿真软件(ADS),对反向... 太赫兹波是电磁波谱中最后一个未被全面研究开发的频率窗口,它的开发和利用具有重大的科学价值。介绍了一种太赫兹频段内340GHz基于肖特基势垒二极管的四次谐波混频器设计。应用高频场仿真软件(HFSS)以及谐波平衡仿真软件(ADS),对反向并联二极管对进行3D建模及阻抗频率特性分析,并在此基础上对混频器进行优化。最后,对该混频器进行加工和测试,结果表明,在327~343GHz频带范围内,变频损耗小于15dB,最优值为12.7dB。 展开更多

关键词 太赫兹 四次谐波混频 变频损耗 反向并联二极管对

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一种使用一维电磁带隙结构的高性能Ka频段四次谐波混频器 被引量：4

11

作者 周密 徐军 +1 位作者 罗慎独 薛良金 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第2期147-149,共3页

介绍了一种全集成微带四次谐波混频器，该混频器采用了一种新型电磁带隙结构，可获得很低的变频损耗指标．阐述了一般的谐波混频理论，并用谐波平衡软件对整个电路进行优化仿真．实测得到射频在34～36GHz的频带内．固定中频为100MHz，... 介绍了一种全集成微带四次谐波混频器，该混频器采用了一种新型电磁带隙结构，可获得很低的变频损耗指标．阐述了一般的谐波混频理论，并用谐波平衡软件对整个电路进行优化仿真．实测得到射频在34～36GHz的频带内．固定中频为100MHz，该混频器最小变频损耗7．67dB，最大变频损耗〈10dB。 展开更多

关键词 谐波混频 电磁带隙结构 反向并联二极管对

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220GHz次谐波混频器设计 被引量：3

12

作者 韩鹏 张勇 王云飞 《微波学报》 CSCD 北大核心 2014年第S1期536-539,共4页

本文介绍了一种基于平面肖特基势垒二极管的220GHz次谐波混频器的设计。该混频器采用Teratech公司的反向并联二极管对,安装在0.05mm厚的石英基片悬置微带上。采用HFSS和ADS联合仿真,使得混频器在射频频率为215GHz^225GHz范围内仿真所得... 本文介绍了一种基于平面肖特基势垒二极管的220GHz次谐波混频器的设计。该混频器采用Teratech公司的反向并联二极管对,安装在0.05mm厚的石英基片悬置微带上。采用HFSS和ADS联合仿真,使得混频器在射频频率为215GHz^225GHz范围内仿真所得变频损耗低于8d B,并在219GHz时取得最佳变频损耗6.75d B。该混频器具有结构简单,易于加工,变频损耗低的优点。 展开更多

关键词 反向并联二极管对 次谐波混频器 太赫兹

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一种低功耗245 GHz次谐波接收机 被引量：1

13

作者 毛燕飞 鄂世举 +1 位作者 SCHMALZ Klaus SCHEYTT J.Christoph 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2019年第6期739-744,共6页

介绍了一种应用于气体频谱分析传感器的低功耗245 GHz次谐波接收机,该接收机具有低功耗、高线性度和高集成度的特点.该接收机由四级共基极低噪声放大器、二次次谐波无源反接并联二极管对(APDP)混频器、120GHz推推型压控振荡器-分频器链... 介绍了一种应用于气体频谱分析传感器的低功耗245 GHz次谐波接收机,该接收机具有低功耗、高线性度和高集成度的特点.该接收机由四级共基极低噪声放大器、二次次谐波无源反接并联二极管对(APDP)混频器、120GHz推推型压控振荡器-分频器链路、120 GHz功率放大器和中频放大器构成,采用了特征频率为300 GHz、最大振荡频率为500 GHz的锗硅BiCMOS工艺实现.该接收机芯片实现了10.6 dB的转换增益和13 GHz的带宽,噪声系数为20 dB,输入1dB压缩点仿真结果为-9 dBm,接收机如果不包括120 GHz压控振荡器-功率放大器链路功耗为99.6 mW,接收机包括120 GHz压控振荡器-功率放大器链路功耗为312 mW. 展开更多

关键词 245 GHz 次谐波接收机 锗硅BiCMOS工艺 低功耗 共基极低噪声放大器 二次次谐波无源反接并联二极管对混频器 中频放大器

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8mm波段四次谐波混频器的设计与仿真 被引量：1

14

作者 王宇星 雷志勇 《电子测量技术》 2018年第4期55-60,共6页

毫米波探测技术解决了红外探测系统易受强光源及热源干扰的问题,并且由于大气窗口的存在,毫米波的探测能力不会因雾、霾、湿度等自然天气条件而受限。作为毫米波探测系统中必不可少的器件,混频器能将高频的毫米波信号与本振信号混频,使... 毫米波探测技术解决了红外探测系统易受强光源及热源干扰的问题,并且由于大气窗口的存在,毫米波的探测能力不会因雾、霾、湿度等自然天气条件而受限。作为毫米波探测系统中必不可少的器件,混频器能将高频的毫米波信号与本振信号混频,使之下变频为更易处理的中频信号。但是制造高频率低噪声的本振信号难度较大,为了解决这一问题,介绍了谐波混频器的原理与一般设计方法,它能够有效的降低本振信号的工作频率,并使用ADS射频仿真软件设计了8mm波段四次谐波混频器,该谐波混频器使用反向并联二极管对和微带电路结构,仿真结果表明当射频频率为34.5GHz,本振频率为8.6GHz,中频频率为100 MHz时,变频损耗为11.5dB。 展开更多

关键词 谐波混频 反向并联二极管对 ADS

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基于新型1200V碳化硅(SiC)MOSFET的三相双向逆变器的研究 被引量：2

15

作者 刘学超 黄建立 叶春显 《电源学报》 CSCD 2016年第4期59-65,81,共8页

研究了基于新一代宽禁带1 200 V碳化硅(SiC)MOSFET三相双向逆变器,由于SiC MOSFET的高耐压、低损耗、高开关频率特性,逆变电路的拓扑结构得到简化,并提高了功率密度和可靠性。同时,利用碳化硅MOSFET的双向第三象限导通特性,与硅基IGBT... 研究了基于新一代宽禁带1 200 V碳化硅(SiC)MOSFET三相双向逆变器,由于SiC MOSFET的高耐压、低损耗、高开关频率特性,逆变电路的拓扑结构得到简化,并提高了功率密度和可靠性。同时,利用碳化硅MOSFET的双向第三象限导通特性,与硅基IGBT相比省略了开关器件的反并联二极管。20 k VA实验样机验证了在该中大功率三相双向逆变器中SiC MOSFET相比硅基IGBT方案的优势。 展开更多

关键词 碳化硅 宽禁带 双向逆变器 反并联二极管 第3象限

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Ka频段微带四次谐波混频器 被引量：6

16

作者 赵霞 徐军 薛良金 《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第1期14-17,共4页

介绍了一种Ka频段的微带四次谐波混频器的混频原理和设计方法.该混频器主要由波导-微带过渡,输入、输出滤波器以及匹配网络和反向并联混频二极管对组成.根据计算机辅助设计软件的仿真结果,在介电常数为2.22,厚度为0.254 mm的RF-Duroid 5... 介绍了一种Ka频段的微带四次谐波混频器的混频原理和设计方法.该混频器主要由波导-微带过渡,输入、输出滤波器以及匹配网络和反向并联混频二极管对组成.根据计算机辅助设计软件的仿真结果,在介电常数为2.22,厚度为0.254 mm的RF-Duroid 5880介质基片上制作了电路.当射频频率为34.2～35.2 GHz,本振频率为8.525～8.775GHz,中频频率为100MHz时,测得的变频损耗小于10.5 dB,其中最佳值为8.5 dB. 展开更多

关键词 KA频段 微带集成电路 谐波混频器 变频损耗 毫米波测量 反向并联混频二极管对

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0.825 THz砷化镓单片集成二次谐波混频器(英文) 被引量：2

17

作者 刘锶钰 张德海 +4 位作者 孟进 纪广玉 朱皓天 侯晓翔 张青峰 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2021年第6期749-753,共5页

基于国内的GaAs单片集成电路产线,研制了一款中心频率在0.825 THz的二次谐波单片混频器。针对肖特基二极管在太赫兹频段的高频效应详细分析了反向并联肖特基二极管的寄生参数以完善单片电路的设计。单片电路集成度高和装配误差小的特性... 基于国内的GaAs单片集成电路产线,研制了一款中心频率在0.825 THz的二次谐波单片混频器。针对肖特基二极管在太赫兹频段的高频效应详细分析了反向并联肖特基二极管的寄生参数以完善单片电路的设计。单片电路集成度高和装配误差小的特性更适用于太赫兹频段器件的设计。梁氏引线形式电路设计既可以降低介质基板带来的损耗,减小安装的位置偏移。实测结果表明,0.825 THz单片混频器最佳单边带的插损值为28 dB,0.81到0.84 THz频率范围内插损小于33 dB。 展开更多

关键词 反向并联肖特基二极管 插入损耗 集成单片电路 太赫兹混频器

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