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低电压并五苯薄膜场效应晶体管被引量：1: 1; 作者王伟石家纬 +6 位作者张宏梅梁昌全宝富郭树旭刘明大方俊峰马东阁《吉林大学学报（理学版）》 CAS CSCD 北大核心 2004年第1期107-109,共3页; 利用全蒸镀法,以并五苯作为有源层,聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)作为绝缘层,制备了全有机薄膜场效应晶体管(TFT).测试结果表明,器件具有较低的工作电压和较高的场效应迁移率.对工作机理进行了探讨.; 关键词并五苯薄膜场效应晶体管全蒸镀法聚甲基丙烯酸甲酯场效应迁移率; 在线阅读下载PDF 职称材料

并五苯场效应晶体管的研制: 2; 作者陶春兰董茂军 +1 位作者张旭辉张福甲《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第A02期860-862,共3页; 以X射线衍射仪（XRD）研究了在硅表面形成并五苯多晶薄膜晶体结构，通过原子力显微镜（AFM）分析了在二氧化硅表面形成并五苯多晶薄膜的形貌。以热氧化的硅片作为绝缘栅极，并五苯作为有缘层，采用底接触结构，研制场效应晶体管。经过... 展开更多; 关键词并五苯场效应晶体管 XRD AFM 迁移率; 在线阅读下载PDF 职称材料

介电层修饰并五苯/红荧烯双有源有机薄膜晶体管的制备与性能研究: 3; 作者杨青海张自童 +1 位作者陈达贵陈雄《人工晶体学报》 EI CAS 北大核心 2020年第2期246-251,共6页; 在Si/SiO2衬底上使用聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)制备器件介电层的修饰层,改善介电层界面质量并诱导有源层生长,从而提高有源层的结晶程度。通过真空蒸镀法生长并五苯/红荧烯双层结构有源层,制备有机薄膜晶体管(OTFT),并研究器件性能随红荧... 展开更多; 关键词有机薄膜晶体管电流开关比并五苯红荧烯; 在线阅读下载PDF 职称材料

并五苯场效应发光管机理分析与场效应管制作被引量：2: 4; 作者郭树旭刘建军 +3 位作者王伟张素梅石家纬刘明大《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第4期417-420,共4页; 采用并五苯材料,通过物理气相沉积,生长出无依托的晶体薄膜,厚度在微米量级,长度是毫米量级,长度和厚度的比大约为1000。为了使晶片有个依托,以聚酰亚胺作为粘合剂,把并五苯晶体薄膜平铺粘在玻璃衬底上。在显微镜下观测,有机薄膜平整、... 展开更多; 关键词并五苯材料场效应发光管发光机理制作有机单晶薄膜; 在线阅读下载PDF 职称材料

新型并三苯有机薄膜晶体管: 5; 作者王鹏李东仓 +2 位作者陈金伙胡加兴张福甲《兰州大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2006年第3期85-88,共4页; 以环氧树脂(Eproxyresin)为栅绝缘层材料,并三苯(Anthracene)为有机半导体载流子传输层, 分别利用旋涂及真空掩蔽蒸发,在以铜为栅极的基底之上成功研制了有机薄膜场效应晶体管(OTFT), 经测试得出器件的电子迁移率为2．34×10-2cm2／... 展开更多; 关键词并三苯环氧树脂有机薄膜场效应晶体管; 在线阅读下载PDF 职称材料

不同表面修饰制备高性能柔性薄膜晶体管被引量：5: 6; 作者林广庆李鹏 +3 位作者熊贤风吕国强王晓鸿邱龙臻《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第10期1392-1399,共8页; 分别采用六甲基二硅胺(HMDS,Hexamethyldisilazane)和聚苯乙烯/氯硅烷复合材料修饰聚乙烯基苯酚(PVP)绝缘层制备了底接触的有机薄膜晶体管并研究了其半导体层的表面形貌和器件的电学性能。原子力显微镜观察发现,并五苯半导体薄膜在不同... 展开更多; 关键词并五苯聚乙烯基苯酚(PVP) 聚苯乙烯(PS) 偏压应力柔性有机薄膜晶体管; 在线阅读下载PDF 职称材料

并五苯薄膜的AFM及XRD研究被引量：2: 7; 作者陶春兰张旭辉 +4 位作者董茂军欧谷平张福甲刘一阳张浩力《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第5期740-742,共3页; 报道了以热氧化硅片为衬底,用溶液溶解和真空蒸镀两种方法制备有机半导体材料并五苯薄膜。用原子力显微镜(AFM)分析了薄膜的形貌,用X射线衍射仪(XRD)分析了薄膜的晶体结构,讨论了诸多因素对薄膜的影响以及两种方法制备的并五苯薄膜的相... 展开更多; 关键词并五苯薄膜有机场效应晶体管(OFETs) AFM XRD; 在线阅读下载PDF 职称材料

不同绝缘层上生长的并五苯薄膜及其OTFT器件性能的研究: 8; 作者黄金英徐征 +3 位作者张福俊赵谡玲袁广才孔超《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第9期2325-2329,共5页; 分别以SiO2和PMMA为绝缘层材料制备了底栅顶接触结构的OTFT器件,得到以PMMA为绝缘层的器件具有更好的性能,其场效应迁移率为0.207 cm2.Vs-1,开关电流比为4.93×103,阈值电压为-4.3 V;而以SiO2为绝缘层的器件,其场效应迁移率仅为0.03... 展开更多; 关键词并五苯 PMMA 二氧化硅有机薄膜晶体管; 在线阅读下载PDF 职称材料

Bphen作为电极缓冲层对有机薄膜晶体管性能的改善: 9; 作者刘子洋刘东洋 +3 位作者张世明王学会赵毅刘式墉《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第2期195-201,共7页; 研究了二苯基邻菲罗啉以及氟化锂作为电极缓冲层对底栅顶接触型有机薄膜晶体管性能的影响,结果表明二苯基邻菲罗啉是一种比氟化锂更好的缓冲层材料。通过对二苯基邻菲罗啉缓冲层厚度的优化,获得了迁移率为0.302 cm2·V-1·s-1... 展开更多; 关键词有机薄膜晶体管并五苯电性能; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名低电压并五苯薄膜场效应晶体管被引量：1: 1; 作者王伟石家纬张宏梅梁昌全宝富郭树旭刘明大方俊峰马东阁; 机构集成光电子学国家重点联合实验室吉林大学实验区吉林大学电子科学与工程学院高分子物理与化学国家重点实验室中国科学院长春应用化学研究所; 出处《吉林大学学报（理学版）》 CAS CSCD 北大核心 2004年第1期107-109,共3页; 基金国家自然科学基金(批准号:60176022) 吉林省自然科学基金(批准号:20020634) 吉林大学创新基金.; 文摘利用全蒸镀法,以并五苯作为有源层,聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)作为绝缘层,制备了全有机薄膜场效应晶体管(TFT).测试结果表明,器件具有较低的工作电压和较高的场效应迁移率.对工作机理进行了探讨.; 关键词并五苯薄膜场效应晶体管全蒸镀法聚甲基丙烯酸甲酯场效应迁移率; Keywords organic thin-film field-effect transistors pentacene poly(methylmethacrylate); 分类号 TN321.5 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名并五苯场效应晶体管的研制: 2; 作者陶春兰董茂军张旭辉张福甲; 机构兰州大学物理科学与技术学院微电子研究所; 出处《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第A02期860-862,共3页; 基金国家自然科学基金资助项目（60676033）.; 文摘以X射线衍射仪（XRD）研究了在硅表面形成并五苯多晶薄膜晶体结构，通过原子力显微镜（AFM）分析了在二氧化硅表面形成并五苯多晶薄膜的形貌。以热氧化的硅片作为绝缘栅极，并五苯作为有缘层，采用底接触结构，研制场效应晶体管。经过测试得到其场效应迁移率为1．23cm^2/Vs，开关电流比＞10^6。; 关键词并五苯场效应晶体管 XRD AFM 迁移率; Keywords pentacene field-effecttransistor XRD AFM mobility; 分类号 TN321.5 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名介电层修饰并五苯/红荧烯双有源有机薄膜晶体管的制备与性能研究: 3; 作者杨青海张自童陈达贵陈雄; 机构福州大学物理与信息工程学院福建江夏学院电子信息科学学院; 出处《人工晶体学报》 EI CAS 北大核心 2020年第2期246-251,共6页; 基金国家自然科学基金(61376002) 福建省自然科学基金(2015J01654)。; 文摘在Si/SiO2衬底上使用聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)制备器件介电层的修饰层,改善介电层界面质量并诱导有源层生长,从而提高有源层的结晶程度。通过真空蒸镀法生长并五苯/红荧烯双层结构有源层,制备有机薄膜晶体管(OTFT),并研究器件性能随红荧烯层厚度变化的情况。测试结果表明,修饰后的器件阈值电压为-3.55 V,电流开关比大于105,迁移率达到0.0558 cm^2/V·s,亚阈值摆幅为1.95 V/dec,器件总体性能得到改善。; 关键词有机薄膜晶体管电流开关比并五苯红荧烯; Keywords organic thin film transistor current switching ratio pentacene rubrene; 分类号 TN321.5 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名并五苯场效应发光管机理分析与场效应管制作被引量：2: 4; 作者郭树旭刘建军王伟张素梅石家纬刘明大; 机构吉林大学集成光电子学国家重点联合实验室; 出处《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第4期417-420,共4页; 基金国家自然科学基金(60176022) 吉林省科技发展计划(20020634)资助项目; 文摘采用并五苯材料,通过物理气相沉积,生长出无依托的晶体薄膜,厚度在微米量级,长度是毫米量级,长度和厚度的比大约为1000。为了使晶片有个依托,以聚酰亚胺作为粘合剂,把并五苯晶体薄膜平铺粘在玻璃衬底上。在显微镜下观测,有机薄膜平整、无裂痕,符合制备器件的要求。然后,制备出有机场效应管。并对有机场效应管I V特性和发光机理进行了分析探讨。; 关键词并五苯材料场效应发光管发光机理制作有机单晶薄膜; Keywords pentacene organic single crystal thin film light-emitting field-effect transistor; 分类号 TN383.1 [电子电信—物理电子学] TN386 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名新型并三苯有机薄膜晶体管: 5; 作者王鹏李东仓陈金伙胡加兴张福甲; 机构兰州大学物理科学与技术学院; 出处《兰州大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2006年第3期85-88,共4页; 基金国家自然科学基金(60276026)甘肃省自然科学基金(ZS031-A25-012-G)资助项目.; 文摘以环氧树脂(Eproxyresin)为栅绝缘层材料,并三苯(Anthracene)为有机半导体载流子传输层, 分别利用旋涂及真空掩蔽蒸发,在以铜为栅极的基底之上成功研制了有机薄膜场效应晶体管(OTFT), 经测试得出器件的电子迁移率为2．34×10-2cm2／(V·s),跨导为0．49 μs．; 关键词并三苯环氧树脂有机薄膜场效应晶体管; Keywords anthracene epoxy resin OTFT; 分类号 TN386 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名不同表面修饰制备高性能柔性薄膜晶体管被引量：5: 6; 作者林广庆李鹏熊贤风吕国强王晓鸿邱龙臻; 机构特种显示技术教育部重点实验室合肥工业大学仪器科学与光电工程学院合肥工业大学化工学院; 出处《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第10期1392-1399,共8页; 基金 "973"计划前研专项(2012CB723406) 国家自然科学基金(21174036 +1 种基金 51103034) 教育部博士点基金(20100111120006)资助项目; 文摘分别采用六甲基二硅胺(HMDS,Hexamethyldisilazane)和聚苯乙烯/氯硅烷复合材料修饰聚乙烯基苯酚(PVP)绝缘层制备了底接触的有机薄膜晶体管并研究了其半导体层的表面形貌和器件的电学性能。原子力显微镜观察发现,并五苯半导体薄膜在不同的界面修饰上的生长形貌产生了很大变化。在PVP上沉积的并五苯晶粒尺寸都小于150 nm,经过聚苯乙烯/氯硅烷复合材料和HMDS处理后的PVP表面生长的并五苯晶粒尺寸则分别在200~400 nm和400~600 nm。大尺寸的晶粒能够减小器件沟道内的陷阱浓度,从而有效地提高电学性能。PVP绝缘层采用聚苯乙烯/氯硅烷和HMDS修饰后,与未修饰的器件相比迁移率分别提高了58倍和82倍。采用HMDS作为表面修饰层制备柔性OTFT,并五苯场效应晶体管的关态电流约为10-9A,电流的开关比超过104,最大场效应迁移率约可达0.338 cm2·V-1·s-1.; 关键词并五苯聚乙烯基苯酚(PVP) 聚苯乙烯(PS) 偏压应力柔性有机薄膜晶体管; Keywords pentacene PVP PS bias-stress effect flexible organic thin-film transistor; 分类号 O482.31 [理学—固体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名并五苯薄膜的AFM及XRD研究被引量：2: 7; 作者陶春兰张旭辉董茂军欧谷平张福甲刘一阳张浩力; 机构兰州大学物理科学与技术学院微电子研究所兰州大学化学化工学院功能有机分子化学国家重点实验室; 出处《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第5期740-742,共3页; 基金国家自然科学基金资助项目(60676033); 文摘报道了以热氧化硅片为衬底,用溶液溶解和真空蒸镀两种方法制备有机半导体材料并五苯薄膜。用原子力显微镜(AFM)分析了薄膜的形貌,用X射线衍射仪(XRD)分析了薄膜的晶体结构,讨论了诸多因素对薄膜的影响以及两种方法制备的并五苯薄膜的相结构。; 关键词并五苯薄膜有机场效应晶体管(OFETs) AFM XRD; Keywords pentacene thin-film organic filed-effect transistors （OFETs） AFM XRD; 分类号 TN304.52 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名不同绝缘层上生长的并五苯薄膜及其OTFT器件性能的研究: 8; 作者黄金英徐征张福俊赵谡玲袁广才孔超; 机构北京交通大学发光与光信息技术教育部重点实验室北京京东方科技集团股份有限公司; 出处《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第9期2325-2329,共5页; 基金 “863”计划项目(2006AA03Z0412) 国家自然科学基金项目(10774013,10804006) +5 种基金第三世界科学院基金项目北京市教育委员会学科建设与研究生教育建设项目资助; 文摘分别以SiO2和PMMA为绝缘层材料制备了底栅顶接触结构的OTFT器件,得到以PMMA为绝缘层的器件具有更好的性能,其场效应迁移率为0.207 cm2.Vs-1,开关电流比为4.93×103,阈值电压为-4.3 V;而以SiO2为绝缘层的器件,其场效应迁移率仅为0.039 cm2.Vs-1,开关电流比为5.98×102,阈值电压为-5.4 V。为分析器件性能差异的原因,测得了SiO2和PMMA薄膜表面的AFM图谱及其上沉积并五苯薄膜后的AFM和XRD图谱。通过AFM图谱发现PMMA表面较SiO2表面粗糙度小,其表面粗糙度的均方根值为0.216 nm,而二氧化硅薄膜表面粗糙度的均方根值为1.579 nm;且发现在PMMA上生长的并五苯薄膜的成膜质量优于在SiO2,具有较大的晶粒尺寸和较少的晶粒间界。通过XRD图谱发现在PM-MA上生长的并五苯薄膜具有明显的衍射峰,进一步证明了在PMMA上生长的并五苯薄膜具有更好的结晶状况,将更有利于载流子的传输。; 关键词并五苯 PMMA 二氧化硅有机薄膜晶体管; Keywords Pentacene PMMA Oxidized silicon OTFT; 分类号 O482.3 [理学—固体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名Bphen作为电极缓冲层对有机薄膜晶体管性能的改善: 9; 作者刘子洋刘东洋张世明王学会赵毅刘式墉; 机构吉林大学电子科学与工程学院集成光电子学国家重点联合实验室; 出处《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第2期195-201,共7页; 基金国家重点基础研发项目(2010CB327701) 国家自然科学基金(61275033)资助项目; 文摘研究了二苯基邻菲罗啉以及氟化锂作为电极缓冲层对底栅顶接触型有机薄膜晶体管性能的影响,结果表明二苯基邻菲罗啉是一种比氟化锂更好的缓冲层材料。通过对二苯基邻菲罗啉缓冲层厚度的优化,获得了迁移率为0.302 cm2·V-1·s-1、阈值电压为-31.2 V、开关比为6.2×102的器件。器件性能提升的原因是由于二苯基邻菲罗啉缓冲层的引入降低了金电极与并五苯界面的空穴注入势垒与接触电阻。; 关键词有机薄膜晶体管并五苯电性能; Keywords Buffer layers Field effect transistors Phototransistors Thin film transistors; 分类号 TN321+.5 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	低电压并五苯薄膜场效应晶体管	王伟石家纬张宏梅梁昌全宝富郭树旭刘明大方俊峰马东阁	《吉林大学学报（理学版）》 CAS CSCD 北大核心	2004	1	在线阅读下载PDF 职称材料
2	并五苯场效应晶体管的研制	陶春兰董茂军张旭辉张福甲	《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心	2007	0	在线阅读下载PDF 职称材料
3	介电层修饰并五苯/红荧烯双有源有机薄膜晶体管的制备与性能研究	杨青海张自童陈达贵陈雄	《人工晶体学报》 EI CAS 北大核心	2020	0	在线阅读下载PDF 职称材料
4	并五苯场效应发光管机理分析与场效应管制作	郭树旭刘建军王伟张素梅石家纬刘明大	《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2003	2	在线阅读下载PDF 职称材料
5	新型并三苯有机薄膜晶体管	王鹏李东仓陈金伙胡加兴张福甲	《兰州大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心	2006	0	在线阅读下载PDF 职称材料
6	不同表面修饰制备高性能柔性薄膜晶体管	林广庆李鹏熊贤风吕国强王晓鸿邱龙臻	《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2013	5	在线阅读下载PDF 职称材料
7	并五苯薄膜的AFM及XRD研究	陶春兰张旭辉董茂军欧谷平张福甲刘一阳张浩力	《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心	2007	2	在线阅读下载PDF 职称材料
8	不同绝缘层上生长的并五苯薄膜及其OTFT器件性能的研究	黄金英徐征张福俊赵谡玲袁广才孔超	《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心	2009	0	在线阅读下载PDF 职称材料
9	Bphen作为电极缓冲层对有机薄膜晶体管性能的改善	刘子洋刘东洋张世明王学会赵毅刘式墉	《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2014	0	在线阅读下载PDF 职称材料