介绍了一种InP衬底上的平面In_(0.53)Ga_(0.47)As耿氏二极管的设计、制作和测试方法。为了提高器件的输出功率,使用Advanced Design System 2011仿真软件设计了50Ω共面波导馈电结构作为器件电极,减少测试功率损耗;同时在版图设计时加...介绍了一种InP衬底上的平面In_(0.53)Ga_(0.47)As耿氏二极管的设计、制作和测试方法。为了提高器件的输出功率,使用Advanced Design System 2011仿真软件设计了50Ω共面波导馈电结构作为器件电极,减少测试功率损耗;同时在版图设计时加大了金属电极面积,改善器件的散热效果。测试结果表明,当所加电压为4.4 V时,沟道长度和宽度分别为2μm和120μm器件的基波振荡频率为168.3 GHz,输出功率为-5.21 dBm。这种高功率平面结构耿氏二极管在太赫兹频段具有巨大的应用潜力。展开更多
