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LiCe掺杂对铋层材料K_(0.5)Bi_(2.5)Nb_2O_9的影响
被引量：
6
1
作者
盖志刚
王矜奉
+7 位作者
苏文斌
赵明磊
王春明
杜鹃
郑立梅
王春雷
张家良
李吉超
《压电与声光》
CSCD
北大核心
2008年第4期446-449,共4页
用传统固相烧结法获得了含A位空位的(KBi)0.5-x(LiCe)x/2 x/2Bi2Nb2O9(其中为A位[KBi]空位)系列铋层陶瓷,研究了A位LiCe掺杂替代对K0.5Bi2.5Nb2O9系列陶瓷性能的影响。LiCe掺杂改性明显提高了K0.5Bi2.5Nb2O9系列陶瓷的压电活性,(KBi)0.4...
用传统固相烧结法获得了含A位空位的(KBi)0.5-x(LiCe)x/2 x/2Bi2Nb2O9(其中为A位[KBi]空位)系列铋层陶瓷,研究了A位LiCe掺杂替代对K0.5Bi2.5Nb2O9系列陶瓷性能的影响。LiCe掺杂改性明显提高了K0.5Bi2.5Nb2O9系列陶瓷的压电活性,(KBi)0.44(LiCe)0.03 0.03Bi2Nb2O9陶瓷的压电系数d33、平面机电耦合系数kp和厚度振动机电耦合系数kt分别为31 pC/N、5%和22%。
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关键词
铋层结构铁电体
平面机电耦合系数
厚度振动
机电
耦合
系数
压电
系数
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职称材料
题名
LiCe掺杂对铋层材料K_(0.5)Bi_(2.5)Nb_2O_9的影响
被引量：
6
1
作者
盖志刚
王矜奉
苏文斌
赵明磊
王春明
杜鹃
郑立梅
王春雷
张家良
李吉超
机构
山东大学物理学院晶体材料国家重点实验室
出处
《压电与声光》
CSCD
北大核心
2008年第4期446-449,共4页
基金
国家自然科学基金资助项目(50702030和50572056)
教育部高等教育博士点基金资助项目(20070422659)
文摘
用传统固相烧结法获得了含A位空位的(KBi)0.5-x(LiCe)x/2 x/2Bi2Nb2O9(其中为A位[KBi]空位)系列铋层陶瓷,研究了A位LiCe掺杂替代对K0.5Bi2.5Nb2O9系列陶瓷性能的影响。LiCe掺杂改性明显提高了K0.5Bi2.5Nb2O9系列陶瓷的压电活性,(KBi)0.44(LiCe)0.03 0.03Bi2Nb2O9陶瓷的压电系数d33、平面机电耦合系数kp和厚度振动机电耦合系数kt分别为31 pC/N、5%和22%。
关键词
铋层结构铁电体
平面机电耦合系数
厚度振动
机电
耦合
系数
压电
系数
Keywords
bismuth layer-structured ferroelectrics
planar electromechanical coupling coefficient
thickness electromechanical coupling coefficient
piezoelectric coefficient
分类号
TM22 [一般工业技术—材料科学与工程]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
LiCe掺杂对铋层材料K_(0.5)Bi_(2.5)Nb_2O_9的影响
盖志刚
王矜奉
苏文斌
赵明磊
王春明
杜鹃
郑立梅
王春雷
张家良
李吉超
《压电与声光》
CSCD
北大核心
2008
6
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