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基于肖特基平面二极管的150GHz和180GHz固定调节式倍频源(英文) 被引量:11
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作者 姚常飞 周明 +2 位作者 罗运生 王毅刚 许从海 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2013年第2期102-107,共6页
利用GaAs肖特基平面二极管,基于石英薄膜电路工艺,采用场和路相结合的综合分析方法,研制出了两个不同频率带宽的倍频器.在场软件中,二极管非线性结采用集总端口模拟,以提取二极管的嵌入阻抗,设计二倍频器的无源匹配电路,优化倍频的整体... 利用GaAs肖特基平面二极管,基于石英薄膜电路工艺,采用场和路相结合的综合分析方法,研制出了两个不同频率带宽的倍频器.在场软件中,二极管非线性结采用集总端口模拟,以提取二极管的嵌入阻抗,设计二倍频器的无源匹配电路,优化倍频的整体电路性能,提取相应的S参数文件,分析倍频器的效率.150 GHz二倍频器在149.2 GHz测得最高倍频效率7.5%,在147.4~152 GHz效率典型值为6.0%;180 GHz二倍频器在170 GHz测得最高倍频效率14.8%,在150~200 GHz效率典型值为8.0%. 展开更多
关键词 二倍频器 肖特基平面二极管 谐波平衡分析 效率
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平面二极管爆炸发射阴极特性实验研究 被引量:8
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作者 宋法伦 张永辉 +4 位作者 向飞 赵殿林 刘忠 甘延青 鞠炳全 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第9期1511-1515,共5页
在电压0.6~1.0MV,脉冲重复频率为100Hz条件下,实验研究了爆炸发射阴极的有效发射面积、平均发射电流密度、二极管阻抗、电子束能量损耗机制等特性。结果表明:阴极有效发射面积随时间呈方波变化,在脉冲开始后5ns内有效发射面积基... 在电压0.6~1.0MV,脉冲重复频率为100Hz条件下,实验研究了爆炸发射阴极的有效发射面积、平均发射电流密度、二极管阻抗、电子束能量损耗机制等特性。结果表明:阴极有效发射面积随时间呈方波变化,在脉冲开始后5ns内有效发射面积基本达到稳定。在碳纤维、天鹅绒、石墨、不锈钢4种阴极材料中,碳纤维阴极有效发射面积最大且变化相对稳定,并且碳纤维阴极具有最大的平均发射电流密度。二极管阻抗随着阴阳极间隙的增加并非呈平方关系增加,而是呈线性增长,阻抗失配是降低电子束能量传输效率的主要机制。 展开更多
关键词 平面二极管 爆炸发射 阴极特性 强流电子束
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基于平面肖特基二极管的75~110 GHz宽带三倍频器芯片 被引量:1
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作者 陈艳 孟范忠 +2 位作者 薛昊东 张傲 高建军 《红外与毫米波学报》 CSCD 北大核心 2024年第6期768-774,共7页
基于GaAs平面肖特基二极管工艺,采用反向并联二极管对的平衡结构,实现了W波段宽带三倍频器芯片。采用有限元法和等效电路法联合的方式,建立10~280 GHz频率范围的平面肖特基二极管的精确等效电路模型。采用非线性谐波平衡联合仿真方法,... 基于GaAs平面肖特基二极管工艺,采用反向并联二极管对的平衡结构,实现了W波段宽带三倍频器芯片。采用有限元法和等效电路法联合的方式,建立10~280 GHz频率范围的平面肖特基二极管的精确等效电路模型。采用非线性谐波平衡联合仿真方法,实现了W波段倍频器的最优化设计。在片测试结果表明,在17 dBm的驱动功率下,倍频损耗小于15 dB,最大倍频效率6.7%,芯片尺寸0.80 mm×0.65 mm×0.05 mm。 展开更多
关键词 平面肖特基二极管 反向并联二极管 倍频器设计
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基于平面肖特基二极管的平衡式亚毫米波倍频器芯片 被引量:1
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作者 孟范忠 毕胜赢 +2 位作者 陈艳 周国 方园 《微波学报》 CSCD 北大核心 2021年第3期64-67,共4页
基于标准的平面肖特基二极管单片工艺设计了一款平衡式亚毫米波倍频单片集成电路。依据二极管实际结构进行电磁建模,提取了器件寄生参数,并与实测的器件本征参数相结合获得了二极管非线性模型;依据该模型,采用平衡式拓扑结构以实现良好... 基于标准的平面肖特基二极管单片工艺设计了一款平衡式亚毫米波倍频单片集成电路。依据二极管实际结构进行电磁建模,提取了器件寄生参数,并与实测的器件本征参数相结合获得了二极管非线性模型;依据该模型,采用平衡式拓扑结构以实现良好的基波抑制,设计了三线耦合巴伦电桥,并与肖特基二极管集成在同一芯片上,实现了单片集成,提高了设计准确度。芯片在片测试结果表明,在输入功率17 dBm下,输入频率75~105 GHz范围内,倍频器芯片峰值输出功率达到2.67 dBm。芯片整体尺寸为0.80 mm×0.50 mm。 展开更多
关键词 平面肖特基二极管 三线耦合巴伦 平衡式倍频器 单片集成电路
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平面型共振隧穿二极管和其组成MOBILE
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作者 胡留长 郭维廉 +2 位作者 张世林 梁惠来 姚素英 《天津大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第11期1360-1363,共4页
为了解决传统台面型共振隧穿二极管制作过程中横向钻蚀问题,提出了一种采用离子注入法在N+GaAs衬底上制作平面型共振隧穿二极管,通过离子注入对器件之间进行隔离,取代了台面制作工艺中的通过湿法腐蚀隔离器件的目的.研究了它的I-V特性,... 为了解决传统台面型共振隧穿二极管制作过程中横向钻蚀问题,提出了一种采用离子注入法在N+GaAs衬底上制作平面型共振隧穿二极管,通过离子注入对器件之间进行隔离,取代了台面制作工艺中的通过湿法腐蚀隔离器件的目的.研究了它的I-V特性,测得的峰谷电流比为3.4.研究了由平面型共振隧穿二极管构成的单双稳态逻辑单元,实现了作为反相器的功能. 展开更多
关键词 平面型共振隧穿二极管 离子注入 峰谷电流比
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GaAs平面掺杂势垒二极管
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作者 张宇 车相辉 +4 位作者 于浩 宁吉丰 杨中月 杨实 陈宏泰 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2017年第1期27-31,共5页
二极管是定向检波器的重要组件,提高定向检波器的检波灵敏度,需要降低二极管的开启电压。而平面掺杂势垒(PDB)二极管具有极低的势垒高度,适合制作定向检波器。设计了GaAs平面掺杂势垒二极管的材料结构,并采用金属有机化合物气相淀积(MOC... 二极管是定向检波器的重要组件,提高定向检波器的检波灵敏度,需要降低二极管的开启电压。而平面掺杂势垒(PDB)二极管具有极低的势垒高度,适合制作定向检波器。设计了GaAs平面掺杂势垒二极管的材料结构,并采用金属有机化合物气相淀积(MOCVD)方法对其进行外延生长。对PDB二极管的物理模型进行了理论分析。通过模拟计算和实验分析了本征层厚度和p层的面电荷密度对PDB二极管I-V特性的影响。通过实验设计优化了材料结构参数,测试了其I-V特性,使PDB二极管的开启电压降低到了0.06 V,将此样品应用到定向检波器中测得检波灵敏度为20~25 mV/mW。 展开更多
关键词 平面掺杂势垒(PDB)二极管 金属有机化合物气相淀积(MOCVD) 开启电压 I-V特性 定向检波器 检波灵敏度
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平面型RTD制作过程中的两个关键工艺 被引量:1
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作者 陈乃金 郭维廉 +4 位作者 牛萍娟 王伟 于欣 张世林 梁惠来 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第4期328-332,共5页
采用n+GaAs衬底和自对准B离子注入技术制作了平面型共振隧穿二极管,深入讨论其制作过程中几个关键问题,包括离子注入能量与剂量的选择、RTD负阻区表观正阻现象等,并系统地研究了快速合金工艺温度和时间对于制作良好欧姆接触和消除负阻... 采用n+GaAs衬底和自对准B离子注入技术制作了平面型共振隧穿二极管,深入讨论其制作过程中几个关键问题,包括离子注入能量与剂量的选择、RTD负阻区表观正阻现象等,并系统地研究了快速合金工艺温度和时间对于制作良好欧姆接触和消除负阻区表观正阻的影响。结果表明对于所选材料,离子注入能量为130keV,剂量为4×1013/cm2,退火温度为380℃持续60s可得到特性较好的PRTD器件,该器件的制作为RTD的应用打下良好基础。 展开更多
关键词 平面型共振隧穿二极管 负阻区表观正阻 离子注入 快速合金 欧姆接触
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A high output power 340 GHz balanced frequency doubler designed based on linear optimization method
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作者 LIU Zhi-Cheng ZHOU Jing-Tao +5 位作者 MENG Jin WEI Hao-Miao YANG Cheng-Yue SU Yong-Bo JIN Zhi JIA Rui 《红外与毫米波学报》 北大核心 2025年第2期184-191,共8页
In this paper,a linear optimization method(LOM)for the design of terahertz circuits is presented,aimed at enhancing the simulation efficacy and reducing the time of the circuit design workflow.This method enables the ... In this paper,a linear optimization method(LOM)for the design of terahertz circuits is presented,aimed at enhancing the simulation efficacy and reducing the time of the circuit design workflow.This method enables the rapid determination of optimal embedding impedance for diodes across a specific bandwidth to achieve maximum efficiency through harmonic balance simulations.By optimizing the linear matching circuit with the optimal embedding impedance,the method effectively segregates the simulation of the linear segments from the nonlinear segments in the frequency multiplier circuit,substantially improving the speed of simulations.The design of on-chip linear matching circuits adopts a modular circuit design strategy,incorporating fixed load resistors to simplify the matching challenge.Utilizing this approach,a 340 GHz frequency doubler was developed and measured.The results demonstrate that,across a bandwidth of 330 GHz to 342 GHz,the efficiency of the doubler remains above 10%,with an input power ranging from 98 mW to 141mW and an output power exceeding 13 mW.Notably,at an input power of 141 mW,a peak output power of 21.8 mW was achieved at 334 GHz,corresponding to an efficiency of 15.8%. 展开更多
关键词 linear optimization method(LOM) three-dimensional electromagnetic model(3D-EM) Harmonic impedance optimization Schottky planar diode Terahertz frequency doubler
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双极性流对低阻抗器件的影响
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作者 孙会芳 董志伟 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第12期2052-2056,共5页
分析讨论了双极性流对平面二极管发射电流的影响,并利用PIC程序对平面二极管中的双极性流问题进行了数值对比。在此基础上模拟研究了具有径向发射特点的低阻抗高功率微波器件MILO中的双极性流问题。结果表明:双极性流的出现使器件偏离... 分析讨论了双极性流对平面二极管发射电流的影响,并利用PIC程序对平面二极管中的双极性流问题进行了数值对比。在此基础上模拟研究了具有径向发射特点的低阻抗高功率微波器件MILO中的双极性流问题。结果表明:双极性流的出现使器件偏离最佳工作点,使输出功率和效率降低,电压越高,器件偏离最佳工作点就会越远,当电压高到一定值以后会使器件的工作点移至B-H曲线以下,器件处于过绝缘状态,不能正常工作。 展开更多
关键词 双极性流 离子流 平面二极管 MILO 低阻抗器件
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0.2THz宽带非平衡式倍频电路研究 被引量:6
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作者 王俊龙 杨大宝 +4 位作者 邢东 梁士雄 张立森 赵向阳 冯志红 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2017年第1期116-119,共4页
基于四阳极结反向串联型GaAs平面肖特基二极管,设计并实现了0.2THz宽带非平衡式二次倍频电路。肖特基二极管倒装焊接在75μm石英电路上。在小功率和大功率注入条件下,测试了倍频电路的输出功率和倍频效率。输入功率在10~15mW时,通过加... 基于四阳极结反向串联型GaAs平面肖特基二极管,设计并实现了0.2THz宽带非平衡式二次倍频电路。肖特基二极管倒装焊接在75μm石英电路上。在小功率和大功率注入条件下,测试了倍频电路的输出功率和倍频效率。输入功率在10~15mW时,通过加载正向偏置电压,在210~224GHz,倍频效率大于3%,在212GHz处有最高点倍频效率为7.8%。输入功率在48~88mW时,在自偏压条件下,210~224GHz带内倍频效率大于3.6%,在214GHz处测得最大倍频效率为5.7%。固定输出频率为212GHz,在132mW功率注入时,自偏压输出功率最大为5.7mW,加载反向偏置电压为-0.8V时,输出功率为7.5mW。 展开更多
关键词 太赫兹 二倍频 平面肖特基二极管 非平衡式
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利用微波功率传感器判断新一代天气雷达故障 被引量:1
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作者 胡帆 柴秀梅 +1 位作者 王凌震 周红根 《气象》 CSCD 北大核心 2011年第8期1042-1044,共3页
近年来,以平面掺杂势垒二极管为核心构成的微波功率传感器与小功率计配合,能实现对微波功率的高速、高精度和连续测量,广泛应用于天气雷达等高频设备信号功率的测量。文章详细阐述了微波功率传感器的特性和电路原理,以及该传感器与小功... 近年来,以平面掺杂势垒二极管为核心构成的微波功率传感器与小功率计配合,能实现对微波功率的高速、高精度和连续测量,广泛应用于天气雷达等高频设备信号功率的测量。文章详细阐述了微波功率传感器的特性和电路原理,以及该传感器与小功率计的连接、设置和使用方法。并以在CINRAD/SA雷达发射机、接收机中两个典型故障检修事例,论述了微波功率传感器在天气雷达上的应用。 展开更多
关键词 平面掺杂势垒二极管 高速高精度微波功率传感器 原理 CINRAD/SA 应用
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无基片空间合成的220 GHz三次倍频电路研究
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作者 胡南 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2019年第2期264-267,共4页
基于四阳极结同向串联型GaAs平面肖特基二极管,设计并实现了无基片空间合成的220GHz三次倍频电路。采用四支肖特基二极管协同工作,在脊波导小片上下两侧各倒装焊接两支肖特基二极管,构成上下反向结构。采用场路结合的方式,对倍频电路的... 基于四阳极结同向串联型GaAs平面肖特基二极管,设计并实现了无基片空间合成的220GHz三次倍频电路。采用四支肖特基二极管协同工作,在脊波导小片上下两侧各倒装焊接两支肖特基二极管,构成上下反向结构。采用场路结合的方式,对倍频电路的倍频效率进行了仿真。仿真结果显示输入功率为300 mW,输出频率为213~229 GHz时,倍频效率大于3%;采用E波段功率放大器推动三次倍频电路,获得了倍频器输出功率。测试数据表明,驱动功率为300m W时,输出频率为213~229GHz时,输出功率大于5 dBm,倍频效率为1%~2%。 展开更多
关键词 太赫兹 无基片 GaAs平面肖特基二极管 空间合成
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0.2THz二倍频器研究
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作者 谢文青 胡南 +6 位作者 刘建睿 赵丽新 曾庆生 罗彦彬 周平 刘爽 袁昌勇 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2019年第12期161-164,共4页
基于六阳极结反向串联型GaAs平面肖特基二极管,设计并实现了0.2 THz大功率二倍频器。肖特基二极管倒装焊接在50μm石英电路上。采用电磁场和电路联合设计仿真获得了二倍频器的倍频效率。当入射功率在100 mW时,输出频率在190~225 GHz带... 基于六阳极结反向串联型GaAs平面肖特基二极管,设计并实现了0.2 THz大功率二倍频器。肖特基二极管倒装焊接在50μm石英电路上。采用电磁场和电路联合设计仿真获得了二倍频器的倍频效率。当入射功率在100 mW时,输出频率在190~225 GHz带内效率大于5%。在小功率(Pin≈100 mW)和大功率(Pin≈300 mW)注入条件下,测试了倍频电路的输出功率和倍频效率。在100 mW驱动功率下采用自偏压测试,最大输出功率为14.5 mW@193 GHz,对应倍频效率为14%;在300mW驱动功率下采用自偏压测试,在188~195 GHz,输出功率大于10mW,最大输出功率为35 mW@192.8 GHz,对应倍频效率为11%。 展开更多
关键词 太赫兹 二倍频器 GaAs平面肖特基二极管 非平衡式
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