3mm单平衡混频器芯片 被引量：6

1

作者 赵宇 刘永强 魏洪涛 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2015年第7期485-488,共4页

为满足3 mm收发系统的小型化需求,采用In P高电子迁移率晶体管（HEMT）工艺,设计并制造了一款3 mm单平衡混频器芯片。该单平衡混频器芯片采用了反向并联肖特基二极管对（APDP）和三线耦合Marchand巴伦结构,在获得精确的肖特基二极管非... 为满足3 mm收发系统的小型化需求,采用In P高电子迁移率晶体管（HEMT）工艺,设计并制造了一款3 mm单平衡混频器芯片。该单平衡混频器芯片采用了反向并联肖特基二极管对（APDP）和三线耦合Marchand巴伦结构,在获得精确的肖特基二极管非线性模型和巴伦电磁场S参数模型的基础上,对混频器进行了电路设计。最终获得了良好的工作带宽、变频损耗与隔离度指标,在片测试结果显示,该芯片射频、本振频率为82-100 GHz,变频损耗小于9 d B,本振（LO）-射频（RF）隔离度大于20 d B,中频带宽为0.1-18 GHz,整体芯片尺寸为1.1 mm×1.0 mm。 展开更多

关键词 磷化铟 3 MM 单平衡混频器 巴伦 肖特基二极管

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一款GaAs PHEMT超宽带无源双平衡混频器MMIC 被引量：7

2

作者 王贵德 范举胜 《半导体技术》 CAS 北大核心 2021年第6期451-455,共5页

混频器是微波系统关键部件之一。微波通信系统的宽带化和小型化发展趋势对混频器性能提出更高要求。基于GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺设计了一款超宽带无源双平衡混频器单片微波集成电路(MMIC)。该混频器采用环形肖特基二极... 混频器是微波系统关键部件之一。微波通信系统的宽带化和小型化发展趋势对混频器性能提出更高要求。基于GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺设计了一款超宽带无源双平衡混频器单片微波集成电路(MMIC)。该混频器采用环形肖特基二极管结构和两个新颖的螺旋式平行耦合微带线巴伦结构,大大提高了混频器工作带宽,减小了芯片尺寸,提高了本振(LO)到射频(RF)端口的隔离度。在片探针测试结果显示该芯片在上、下变频模式下RF和LO工作频率均为2~22 GHz,中频工作频率为0~4 GHz,变频损耗≤11.5 dB,LO到RF端口隔离度≥37 dB,LO输入功率为15 dBm。芯片尺寸为1.7 mm×1.0 mm。 展开更多

关键词 GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT) 单片微波集成电路(MMIC) 无源双平衡混频器 超宽带 高隔离度

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鳍线魔T及鳍线平衡混频器 被引量：2

3

作者 薛良金 谢晋雄 《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1991年第2期211-216,共6页

介绍了鳍线魔T的性质及设计原则,对其中的激励问题提出了一种近似计算方法,给出了适合于电路工程的设计经验公式,利用鳍线魔 T 结构在 Ka 波段实现了平衡混频器。混频器包括中放在内的 DSB 噪声系数小于6.8dB,最小值6.0dB,工作带宽2.0G... 介绍了鳍线魔T的性质及设计原则,对其中的激励问题提出了一种近似计算方法,给出了适合于电路工程的设计经验公式,利用鳍线魔 T 结构在 Ka 波段实现了平衡混频器。混频器包括中放在内的 DSB 噪声系数小于6.8dB,最小值6.0dB,工作带宽2.0GHz,本振射频隔离大于20 dB。 展开更多

关键词 混频器 鳍线 魔T 平衡混频器

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基于倒扣技术的24GHz混合集成平衡混频器

4

作者 徐涛 程知群 +1 位作者 孙晓玮 夏冠群 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2003年第5期346-348,共3页

介绍采用混合贴装倒扣二极管技术制造的新型 2 4GHz平衡混频器 .并对该混频器进行设计、仿真、加工和测试 .它能提供中频 10 0kMz时小于 10dB的变频损耗 ,本振与信号之间优于 35dB的隔离度 .其结构特点利于大批量、低成本生产 。

关键词 倒扣技术 平衡混频器 汽车电子系统 集成电路技术 汽车防撞雷达 变频损耗 本振功率

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集中参数阻抗变换定向耦合器平衡混频器

5

作者 童创明 江红钢 +1 位作者 张平定 梁光辉 《现代雷达》 CSCD 1994年第6期45-54,共10页

分析了集中参数元件应用于微波集成电路的可行性、应满足的条件及优点，完成了集中参数阻抗变换定向耦合器平衡混频器的工程设计和实验调试，获得了满意的实验结果。该电路具有结构简单、体积小、调试方便、成本低等一系列优点。

关键词 集中参数 阻抗变换定向耦合器 平衡混频器.

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半模基片集成波导平衡混频器的设计实现

6

作者 刘蕾蕾 王元庆 吴晨健 《现代雷达》 CSCD 北大核心 2011年第11期63-65,80,共4页

利用半模基片集成波导3 dB电桥设计了一种X波段单平衡混频器,并用印刷电路板工艺实现。首先设计并测试了半模基片集成波导电桥的性能,并给出测试结果。然后将半模基片集成波导电桥用于单平衡混频器的设计,并给出混频器的具体电路形式。... 利用半模基片集成波导3 dB电桥设计了一种X波段单平衡混频器,并用印刷电路板工艺实现。首先设计并测试了半模基片集成波导电桥的性能,并给出测试结果。然后将半模基片集成波导电桥用于单平衡混频器的设计,并给出混频器的具体电路形式。该混频器具有良好的性能,与原有的基片集成波导电桥混频器相比体积更小、重量更轻。经测量混频器变频损耗小于8.6 dB,并在9 GHz～12 GHz频带内获得了比较好的响应平坦度。 展开更多

关键词 半模基片集成波导 单平衡混频器 变频损耗

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NRD波导正交场平衡混频器准周期稳态响应分析

7

作者 马洪 李娜 漆兰芬 《微波学报》 CSCD 北大核心 2004年第2期29-34,共6页

详细研究了毫米波无辐射介质波导正交场单平衡混频器在双频信号激励下的准周期稳态响应。根据NRD波导的模式完备性与正交性原理 ,结合导线天线分析方法和矩量法 ,计算了这种混频器中的一个重要结构———交叉杆金属结构对本振LSE模和入... 详细研究了毫米波无辐射介质波导正交场单平衡混频器在双频信号激励下的准周期稳态响应。根据NRD波导的模式完备性与正交性原理 ,结合导线天线分析方法和矩量法 ,计算了这种混频器中的一个重要结构———交叉杆金属结构对本振LSE模和入射信号LSM模的扰动作用 ,得到了相应的本振感应电动势和入射信号感应电动势。在此基础上 ,使用基于多维傅立叶变换的交调波平衡法 。 展开更多

关键词 NRD波导 正交场平衡混频器 矩量法 准周期稳态响应 无辐射介质波导

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2.4GHz CMOS双平衡混频器的设计 被引量：2

8

作者 池懿 王文骐 曾令海 《上海大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2005年第5期451-454,共4页

该文设计了工作在2.4 GHz基于Gilbert单元为核心的CMOS有源双平衡混频器.为提高变频增益增加了分流源单元.该混频器RF、LO和IF分别为2.40 GHz2、.41 GHz和10 MHz.经仿真在2.5 V电压下,取得变频增益(Gc)为11.095 dB、噪声系数(NF)为8.836... 该文设计了工作在2.4 GHz基于Gilbert单元为核心的CMOS有源双平衡混频器.为提高变频增益增加了分流源单元.该混频器RF、LO和IF分别为2.40 GHz2、.41 GHz和10 MHz.经仿真在2.5 V电压下,取得变频增益(Gc)为11.095 dB、噪声系数(NF)为8.836 dB1、dB压缩点(P1dB)为-13.6 dBm、三阶输入截止点(IIP3)为-3.72 dBm、功耗为13.5 mW的较好结果.该混频器采用TSMC 0.25μm CMOS工艺实现,版图面积(包括pads)为1 mm×1 mm. 展开更多

关键词 无线通信 双平衡混频器 CMOS

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一种U波段鳍线单平衡混频器的设计 被引量：2

9

作者 蔡中恒 詹铭周 徐锐敏 《微波学报》 CSCD 北大核心 2010年第S1期235-237,共3页

本文介绍了一种U波段鳍线单平衡混频器的设计过程并给出了测试结果。混频器使用M/A-COM公司的肖特基势垒二极管MA4E2037,整个电路制作在一块厚度为0.127mm的RT-Duroid 5880软基片上。射频端口采用鳍线过渡,本振端口通过波导-微带探针过... 本文介绍了一种U波段鳍线单平衡混频器的设计过程并给出了测试结果。混频器使用M/A-COM公司的肖特基势垒二极管MA4E2037,整个电路制作在一块厚度为0.127mm的RT-Duroid 5880软基片上。射频端口采用鳍线过渡,本振端口通过波导-微带探针过渡,中频通过SMA接头输出。测试结果显示,鳍线悬置微带线结构的混频器在本振为42GHz,射频在40～60GHz范围内变化时,其变频损耗小于8.71dB,本振到射频的隔离度大于25dB。 展开更多

关键词 U波段 鳍线 单平衡混频器 变频损耗

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Ka频段鳍线平衡混频器的设计 被引量：2

10

作者 谢晋雄 薛良金 张贵生 《系统工程与电子技术》 EI CSCD 1990年第10期20-24,共5页

鳍线是一种用于毫米波集成电路的新型准平面传输线,本文介绍了三种鳍线平衡混频器的设计与性能,混频器均使用价格便宜的梁式引线二极管和国产介质基片。第一种鳍线魔T混频器在窄带内性能较好,包括中放在内的DSB噪声系数最小值为4.9dB。... 鳍线是一种用于毫米波集成电路的新型准平面传输线,本文介绍了三种鳍线平衡混频器的设计与性能,混频器均使用价格便宜的梁式引线二极管和国产介质基片。第一种鳍线魔T混频器在窄带内性能较好,包括中放在内的DSB噪声系数最小值为4.9dB。第二种鳍线混频器在多个频率点有较好性能,包括中放在内的DSB噪声系数最小值为5.3dB。第三种鳍线混频器在给定频带内具有宽带特性,包括中放在内的DSB噪声系数最小值为5.6dB。 展开更多

关键词 KA波段 鳍线 平衡混频器 混频器

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基于新型宽带半模SIW巴伦的双平衡混频器

11

作者 王彦炜 周健义 +1 位作者 洪伟 蒯振起 《微波学报》 CSCD 北大核心 2009年第6期67-70,74,共5页

利用新型宽带半模基片集成波导（SIW）巴伦，设计制作了一个X波段双平衡混频器。利用SIW上下导带电流相位相差180。的原理，经优化设计使该巴伦具有体积小、带宽大、平衡性好等特点。测试结果表明，该双平衡混频器在8．7～9．7GHz的频... 利用新型宽带半模基片集成波导（SIW）巴伦，设计制作了一个X波段双平衡混频器。利用SIW上下导带电流相位相差180。的原理，经优化设计使该巴伦具有体积小、带宽大、平衡性好等特点。测试结果表明，该双平衡混频器在8．7～9．7GHz的频率范围内变频损耗小于9dB，最小可达7．3dB；噪声系数小于lOdB，实物面积为60mm×68mm。 展开更多

关键词 半模基片集成波导 变频损耗 双平衡混频器

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应用梁式引线管的Ka波段集成鳍线平衡混频器

12

作者 谢晋雄 薛良金 林为干 《微波学报》 CSCD 北大核心 1991年第1期54-59,共6页

本文介绍了两种ka波段集成鳍线平衡混频器的设计与性能。混频器均使用廉价的梁式引线混频二极管。介质材料采用国产的仿RT-Duroid 5880。经测试两种混频器包括中放在内的DSB噪声系数分别为5.0dB和5.3dB。本振射频隔离度均优于20dB。测... 本文介绍了两种ka波段集成鳍线平衡混频器的设计与性能。混频器均使用廉价的梁式引线混频二极管。介质材料采用国产的仿RT-Duroid 5880。经测试两种混频器包括中放在内的DSB噪声系数分别为5.0dB和5.3dB。本振射频隔离度均优于20dB。测试中频频率为70MHZ。 展开更多

关键词 梁式引线管 KA波段 集成鳍线 平衡混频器

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八毫米GaAs梁式引线混合集成平衡混频器的研制

13

作者 王彪 周宝庆 《电波科学学报》 EI CSCD 1991年第1期243-244,共2页

一、引言 GaAs梁式引线混合集成平衡混频器具有低噪声、宽频带、高可靠、易集成制作、低成本、便于批量生产等特点,是一种适合于工程和军事应用的毫米波混频器。国外这一器件从8mm到3mm波段均已实用化,广泛用于武器系统。但在国内迄今... 一、引言 GaAs梁式引线混合集成平衡混频器具有低噪声、宽频带、高可靠、易集成制作、低成本、便于批量生产等特点,是一种适合于工程和军事应用的毫米波混频器。国外这一器件从8mm到3mm波段均已实用化,广泛用于武器系统。但在国内迄今还没有采用我国自己的梁式引线二极管研制的这类毫米波混频器产品,我们开展了这方面的研制工作,从GaAs梁式引线二极管的等效交流电参数测量着手,结合具体混频电路和腔体结构,对混频器进行了计算机数值优化设计,建立了毫米波集成电路工艺设备条件,并着重介绍了梁式引线混合集成平衡混频器研制过程中所面临的一系列工艺技术关键。 展开更多

关键词 混频器 平衡混频器 毫米波

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梁式引线平衡混频器中混频管的配对

14

作者 吴晋泉 《电波科学学报》 EI CSCD 1991年第1期427-428,共2页

在梁式引线平衡混频器研制过程中,混频二极管的配对选择是提高该类混频器性能的重要环节。理论分析和实践都证明,平衡混频器中的两个混频管不配对,将会提高混频器的噪声温度,增加混频器所需本振功率,并降低射频讯号一本振讯号隔离度。... 在梁式引线平衡混频器研制过程中,混频二极管的配对选择是提高该类混频器性能的重要环节。理论分析和实践都证明,平衡混频器中的两个混频管不配对,将会提高混频器的噪声温度,增加混频器所需本振功率,并降低射频讯号一本振讯号隔离度。由于目前所能提供和梁式引线混频二极管的参数性能离散性较大,所以在研制使用该类混频管的平衡混频器的艺中,必须事先对其进行配对选择。 展开更多

关键词 平衡混频器 混频管 混频器 配对

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0-110GHz双平衡混频器的设计

15

作者 刘志成 周静涛 《微波学报》 CSCD 北大核心 2020年第S01期167-168,共2页

采用InP衬底,以空气桥工艺制作的肖特基二极管为核心器件,设计了一种0~110GHz的宽带双平衡混频器。整个混频器包括一路射频信号输入,两路射频信号输出,上下各有两路中频信号输出,同一侧中频信号的输出相位差为180。以及四个肖特基二极... 采用InP衬底,以空气桥工艺制作的肖特基二极管为核心器件,设计了一种0~110GHz的宽带双平衡混频器。整个混频器包括一路射频信号输入,两路射频信号输出,上下各有两路中频信号输出,同一侧中频信号的输出相位差为180。以及四个肖特基二极管作为混频器单元。仿真表明,该混频器在100MHz到110GHz频带内的变频损耗小于40dB。 展开更多

关键词 宽带 双平衡混频器 差分输出 肖特基二极管

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基于新颖宽带肖特基二极管模型的毫米波平衡式混频器设计(英文) 被引量：1

16

作者 牟进超 吕昕 于伟华 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2011年第5期385-389,450,共6页

介绍了一个用于混频器设计的肖特基二极管模型.根据二极管的物理结构,建立了三维电磁模型,并采用有限元法分析该模型.根据二极管中分布的寄生效应,建立了直到110 GHz的宽带等效电路.基于该等效电路,设计并优化了一个Ka频段的平衡式混频... 介绍了一个用于混频器设计的肖特基二极管模型.根据二极管的物理结构,建立了三维电磁模型,并采用有限元法分析该模型.根据二极管中分布的寄生效应,建立了直到110 GHz的宽带等效电路.基于该等效电路,设计并优化了一个Ka频段的平衡式混频器.在32～37 GHz频率范围内,测试的变频损耗为7.5～10 dB.测试结果与仿真结果吻合地较好. 展开更多

关键词 肖特基二极管 KA波段 平衡混频器 电磁模型 宽带等效电路

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一种2.8～6GHz单片双平衡无源混频器 被引量：3

17

作者 李垚 朱晓维 《微波学报》 CSCD 北大核心 2019年第6期26-30,共5页

采用WIN 0.15μm GaAs pHEMT工艺研制了2.8~6 GHz的片上双平衡无源混频器。混频器在本振端和射频端均采用不同尺寸的螺旋型Marchand巴伦结构,不仅大大缩小了芯片尺寸,并且在没有外加补偿电路的情况下,在2.8~6 GHz频带范围内均取得良好... 采用WIN 0.15μm GaAs pHEMT工艺研制了2.8~6 GHz的片上双平衡无源混频器。混频器在本振端和射频端均采用不同尺寸的螺旋型Marchand巴伦结构,不仅大大缩小了芯片尺寸,并且在没有外加补偿电路的情况下,在2.8~6 GHz频带范围内均取得良好匹配。测试结果表明,混频器的变频损耗小于8 dB,射频端口反射系数小于-10 dB,LO到RF的隔离度大于40 dB,输入1 dB压缩点大于10 dBm,输入三阶交调阻断点大于17 dBm。仿真与实测结果对应良好,芯片总面积为1.4 mm×1.1 mm。 展开更多

关键词 无源双平衡混频器 单片微波集成电路 宽带

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一款工作于2.4GHz频段的带有源负载的高性能双平衡有源混频器(英文) 被引量：1

18

作者 姜梅 张兴 +5 位作者 王新安 刘珊 徐锋 汪波 宗洪强 沈劲鹏 《北京大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第4期538-544,共7页

对带有源负载的CMOS双平衡Gilbert有源混频器的1/f噪声、线性度与转换增益进行深入分析。这款采用PMOSFETs做负载的混频器工作于2.4 GHz频段。为降低混频器的1/f噪声,利用双阱工艺中的寄生垂直NPN晶体管作为开关,同时在PMOSFETs处并联... 对带有源负载的CMOS双平衡Gilbert有源混频器的1/f噪声、线性度与转换增益进行深入分析。这款采用PMOSFETs做负载的混频器工作于2.4 GHz频段。为降低混频器的1/f噪声,利用双阱工艺中的寄生垂直NPN晶体管作为开关,同时在PMOSFETs处并联最低噪声的分流电路作为负载。运用在PMOSFETs处的高性能运算放大器,不仅为零中频输出提供了合适的直流偏置电压,以避免下级电路的饱和,并能够为混频器提供足够高的转换增益。同时,在输入跨导(Gm)级电路中采用电容交叉耦合电路能够将转换增益进一步提高。为了增加混频器的线性度,采用共栅放大器作为输入跨导级电路。这款混频器采用TSMC 0.18μm 1-Poly6-Metal RF CMOS工艺,在1.5 V电源电压、3 mA的电流消耗下获得了17.78 dB的转换增益、13.24 dB的噪声因子和4.45 dBm输入三阶交调点的高性能。 展开更多

关键词 直接下转换接收机 RF前端 有源双平衡Gilbert混频器 低噪声分流电路 1/f噪声 共栅放大器 电容交叉耦合

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宽带镜频抑制混频器设计及实现 被引量：4

19

作者 唐小明 朱洪伟 +1 位作者 刘志坤 苑文亮 《电讯技术》 北大核心 2009年第11期49-52,共4页

雷达和通信接收系统中,采用镜频抑制混频器能够有效抑制镜像频率,提高系统的抗干扰能力。在介绍镜像干扰原理的基础上,给出了一种镜频抑制混频器的框图,该结构既能在接收机中作为镜频抑制混频器,还能在发射机中作为单边带调制器。设计... 雷达和通信接收系统中,采用镜频抑制混频器能够有效抑制镜像频率,提高系统的抗干扰能力。在介绍镜像干扰原理的基础上,给出了一种镜频抑制混频器的框图,该结构既能在接收机中作为镜频抑制混频器,还能在发射机中作为单边带调制器。设计制作了一个S频段镜频抑制混频器,测试结果显示在S频段内镜频抑制度大于20dB,单边带抑制度大于20dB,很好地抑制了镜像频率以及边带。 展开更多

关键词 微波器件 镜频抑制 单边带调制 双平衡混频器 90°电桥

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3～40 GHz宽带双平衡混频设计与分析 被引量：4

20

作者 张文强 代秀 年夫顺 《电子测量技术》 2012年第4期51-54,共4页

双平衡混频器具有宽频带、高隔离度等优点,因而具有广阔的应用前景。设计了一种40GHz双平衡混频器,介绍了双平衡混频器设计原理和关键技术的解决方案。基波双平衡混频器利用微波薄膜混合集成电路工艺,在3～40GHz范围内实现宽频带输出,... 双平衡混频器具有宽频带、高隔离度等优点,因而具有广阔的应用前景。设计了一种40GHz双平衡混频器,介绍了双平衡混频器设计原理和关键技术的解决方案。基波双平衡混频器利用微波薄膜混合集成电路工艺,在3～40GHz范围内实现宽频带输出,具有较低的变频损耗,并具有较好的本振-射频、本振-中频隔离度,在实际工程中可作为上、下变频器使用。 展开更多

关键词 双平衡混频器 低变频损耗 宽频带 高隔离度

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