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题名一种67~115GHz宽带平衡式三倍频器芯片
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作者
何锐聪
王亚冰
何美林
胡志富
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机构
河北雄安太芯电子科技有限公司
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出处
《半导体技术》
北大核心
2025年第7期691-697,共7页
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文摘
基于GaAs赝配高电子迁移率晶体管(pHEMT),研制了一种W波段的毫米波宽带三倍频器芯片。采用输入和输出Lange耦合器和两个反向并联晶体管对设计了平衡式倍频器电路拓扑,较好地抑制了基波、偶次谐波等信号,并且110 GHz处的峰值功率比传统三倍频器提高约4 dB。利用晶体管对紧凑的输入和输出匹配结构减小了芯片面积。测试结果表明,输入功率为22 dBm时,该三倍频器在输出频率67~115 GHz内的饱和输出功率大于5 dBm,变频损耗小于17 dB,在110 GHz处的峰值输出功率为8 dBm,倍频效率约为4%。该芯片尺寸为1.40 mm×0.80 mm,能够与功率放大器集成,实现宽带毫米波收发系统的小型化。
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关键词
GaAs
赝配高电子迁移率场效晶体管(pHEMT)
单片微波集成电路(MMIC)
三倍频器
平衡式电路拓扑
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Keywords
GaAs
pseudomorphic high electron mobility transistor(pHEMT)
monolithic microwave integrated circuit(MMIC)
tripler
balanced circuit topology
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分类号
TN771
[电子电信—电路与系统]
TN43
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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