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基于石英基片工艺的D频段平衡式二倍频器设计(英文)
被引量:
5
1
作者
郭健
许正彬
+1 位作者
钱澄
窦文斌
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第6期491-496,共6页
设计了一款D频段基于商用平面肖特基二极管DBES105a以及石英基片的二倍频器.通过对传统的用于平衡式混频器及倍频器的鳍线/悬置微带线巴伦耦合器进行改进,提出了一种方便为肖特基二极管外加偏置的平衡式倍频结构.首先,提出了一种适用于...
设计了一款D频段基于商用平面肖特基二极管DBES105a以及石英基片的二倍频器.通过对传统的用于平衡式混频器及倍频器的鳍线/悬置微带线巴伦耦合器进行改进,提出了一种方便为肖特基二极管外加偏置的平衡式倍频结构.首先,提出了一种适用于石英基片的波导/鳍线过渡结构,并且通过仿真及实验对该结构进行了验证,测试结果表明,这种过渡结构的损耗只有0.15 dB.在驱动功率为26.3 mW、外加反偏电压为0.4 V时,倍频器的测试最大输出功率为3.39 mW,对应倍频效率为12.9%.在外加偏置电压偏离最佳偏置点时,倍频器的输出功率从3.1mW降低到2.0 mW.这也说明:为了达到最大倍频输出功率,也需要为肖特基变阻二极管倍频器提供外加直流偏置.
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关键词
D频段
平衡式倍频器
石英基片
鳍线
悬置微带线耦合器
直流偏置
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职称材料
基于平面肖特基二极管的平衡式亚毫米波倍频器芯片
被引量:
1
2
作者
孟范忠
毕胜赢
+2 位作者
陈艳
周国
方园
《微波学报》
CSCD
北大核心
2021年第3期64-67,共4页
基于标准的平面肖特基二极管单片工艺设计了一款平衡式亚毫米波倍频单片集成电路。依据二极管实际结构进行电磁建模,提取了器件寄生参数,并与实测的器件本征参数相结合获得了二极管非线性模型;依据该模型,采用平衡式拓扑结构以实现良好...
基于标准的平面肖特基二极管单片工艺设计了一款平衡式亚毫米波倍频单片集成电路。依据二极管实际结构进行电磁建模,提取了器件寄生参数,并与实测的器件本征参数相结合获得了二极管非线性模型;依据该模型,采用平衡式拓扑结构以实现良好的基波抑制,设计了三线耦合巴伦电桥,并与肖特基二极管集成在同一芯片上,实现了单片集成,提高了设计准确度。芯片在片测试结果表明,在输入功率17 dBm下,输入频率75~105 GHz范围内,倍频器芯片峰值输出功率达到2.67 dBm。芯片整体尺寸为0.80 mm×0.50 mm。
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关键词
平面肖特基二极管
三线耦合巴伦
平衡式倍频器
单片集成电路
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职称材料
高功率110 GHz平衡式肖特基二极管频率倍频器
被引量:
1
3
作者
田遥岭
何月
+2 位作者
黄昆
蒋均
缪丽
《红外与激光工程》
EI
CSCD
北大核心
2019年第9期139-144,共6页
高频段的太赫兹信号通常是由多个倍频器级联输出的,因此要求倍频链路的前级必须具备高输出功率的能力。为了提升太赫兹倍频器的功率容量和效率,结合高频特性下肖特基二极管有源区电气模型建模方法,采用高热导率的陶瓷基片,利用对称边界...
高频段的太赫兹信号通常是由多个倍频器级联输出的,因此要求倍频链路的前级必须具备高输出功率的能力。为了提升太赫兹倍频器的功率容量和效率,结合高频特性下肖特基二极管有源区电气模型建模方法,采用高热导率的陶瓷基片,利用对称边界条件,在HFSS和ADS中实现对倍频器电路的分析和优化,研制出了高功率110 GHz平衡式倍频器。最终测试结果表明,驱动功率为28 d Bm左右时,该倍频器在102~114.2 GHz的工作带宽内的最高输出功率和效率分别为108 mW和17.6%,为链路后续的二倍频和三倍频提供足够的驱动功率。
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关键词
高功率
110
GHZ
肖特基二极管
平衡式倍频器
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职称材料
335 GHz非平衡式肖特基二极管三倍频器
被引量:
4
4
作者
李雨航
张德海
+1 位作者
孟进
祁路伟
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2023年第2期229-233,共5页
基于混合集成的方式,采用对称锥形渐变线匹配结构设计了335 GHz非平衡式三倍频器。在保证单模传输的条件下,该匹配结构不仅能够固定二极管位置,而且可以增大匹配效果,解决了高频段倍频器3 dB带宽较窄的问题。实测结果表明,该倍频器在330...
基于混合集成的方式,采用对称锥形渐变线匹配结构设计了335 GHz非平衡式三倍频器。在保证单模传输的条件下,该匹配结构不仅能够固定二极管位置,而且可以增大匹配效果,解决了高频段倍频器3 dB带宽较窄的问题。实测结果表明,该倍频器在330~356 GHz频率范围内输出功率均大于5 mW。驱动功率为220 mW时,有最高输出功率11.2 mW,由它作为核心器件组成的固态太赫兹本振源,能够驱动超外差接收机中670 GHz二次谐波混频器。
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关键词
本振源
对称锥形渐变线
太赫兹
非
平衡
式
三
倍频器
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职称材料
题名
基于石英基片工艺的D频段平衡式二倍频器设计(英文)
被引量:
5
1
作者
郭健
许正彬
钱澄
窦文斌
机构
东南大学毫米波国家重点实验室
出处
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第6期491-496,共6页
基金
Supported by Research Foundation of the General Armament Department of China(51301020603)
Research Foundation of China(9140A01020209JW0601)
文摘
设计了一款D频段基于商用平面肖特基二极管DBES105a以及石英基片的二倍频器.通过对传统的用于平衡式混频器及倍频器的鳍线/悬置微带线巴伦耦合器进行改进,提出了一种方便为肖特基二极管外加偏置的平衡式倍频结构.首先,提出了一种适用于石英基片的波导/鳍线过渡结构,并且通过仿真及实验对该结构进行了验证,测试结果表明,这种过渡结构的损耗只有0.15 dB.在驱动功率为26.3 mW、外加反偏电压为0.4 V时,倍频器的测试最大输出功率为3.39 mW,对应倍频效率为12.9%.在外加偏置电压偏离最佳偏置点时,倍频器的输出功率从3.1mW降低到2.0 mW.这也说明:为了达到最大倍频输出功率,也需要为肖特基变阻二极管倍频器提供外加直流偏置.
关键词
D频段
平衡式倍频器
石英基片
鳍线
悬置微带线耦合器
直流偏置
Keywords
D-band
balanced frequency doubler
quartz substrate
finline-suspended-stripline coupler
DC bias
分类号
TN771 [电子电信—电路与系统]
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职称材料
题名
基于平面肖特基二极管的平衡式亚毫米波倍频器芯片
被引量:
1
2
作者
孟范忠
毕胜赢
陈艳
周国
方园
机构
中国电子科技集团公司第十三研究所
出处
《微波学报》
CSCD
北大核心
2021年第3期64-67,共4页
基金
国家自然科学基金(62034003)。
文摘
基于标准的平面肖特基二极管单片工艺设计了一款平衡式亚毫米波倍频单片集成电路。依据二极管实际结构进行电磁建模,提取了器件寄生参数,并与实测的器件本征参数相结合获得了二极管非线性模型;依据该模型,采用平衡式拓扑结构以实现良好的基波抑制,设计了三线耦合巴伦电桥,并与肖特基二极管集成在同一芯片上,实现了单片集成,提高了设计准确度。芯片在片测试结果表明,在输入功率17 dBm下,输入频率75~105 GHz范围内,倍频器芯片峰值输出功率达到2.67 dBm。芯片整体尺寸为0.80 mm×0.50 mm。
关键词
平面肖特基二极管
三线耦合巴伦
平衡式倍频器
单片集成电路
Keywords
planar Schottky diode
three-line coupled balun
balanced frequency doubler
MMIC
分类号
TN771 [电子电信—电路与系统]
TN40 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
高功率110 GHz平衡式肖特基二极管频率倍频器
被引量:
1
3
作者
田遥岭
何月
黄昆
蒋均
缪丽
机构
中国工程物理研究院微系统与太赫兹研究中心
中国工程物理研究院电子工程研究所
出处
《红外与激光工程》
EI
CSCD
北大核心
2019年第9期139-144,共6页
基金
国家重点基础发展研究计划(2015CB755406)
国防基础科研计划(JCKY2017212C002)
文摘
高频段的太赫兹信号通常是由多个倍频器级联输出的,因此要求倍频链路的前级必须具备高输出功率的能力。为了提升太赫兹倍频器的功率容量和效率,结合高频特性下肖特基二极管有源区电气模型建模方法,采用高热导率的陶瓷基片,利用对称边界条件,在HFSS和ADS中实现对倍频器电路的分析和优化,研制出了高功率110 GHz平衡式倍频器。最终测试结果表明,驱动功率为28 d Bm左右时,该倍频器在102~114.2 GHz的工作带宽内的最高输出功率和效率分别为108 mW和17.6%,为链路后续的二倍频和三倍频提供足够的驱动功率。
关键词
高功率
110
GHZ
肖特基二极管
平衡式倍频器
Keywords
high power
110 GHz
Schottky diode
balanced doubler
分类号
TN771 [电子电信—电路与系统]
TN311.7 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
335 GHz非平衡式肖特基二极管三倍频器
被引量:
4
4
作者
李雨航
张德海
孟进
祁路伟
机构
中国科学院国家空间科学中心微波遥感技术重点实验室
中国科学院大学
南京电子器件研究所
出处
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2023年第2期229-233,共5页
基金
Supported by the Youth Innovation Promotion Association CAS(E1213A041S)
Pandeng Program of National Space Science Center,CAS(E0PD40013S)。
文摘
基于混合集成的方式,采用对称锥形渐变线匹配结构设计了335 GHz非平衡式三倍频器。在保证单模传输的条件下,该匹配结构不仅能够固定二极管位置,而且可以增大匹配效果,解决了高频段倍频器3 dB带宽较窄的问题。实测结果表明,该倍频器在330~356 GHz频率范围内输出功率均大于5 mW。驱动功率为220 mW时,有最高输出功率11.2 mW,由它作为核心器件组成的固态太赫兹本振源,能够驱动超外差接收机中670 GHz二次谐波混频器。
关键词
本振源
对称锥形渐变线
太赫兹
非
平衡
式
三
倍频器
Keywords
local oscillator
symmetrical tapered gradient line
terahertz
unbalanced tripler
分类号
TN771 [电子电信—电路与系统]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
基于石英基片工艺的D频段平衡式二倍频器设计(英文)
郭健
许正彬
钱澄
窦文斌
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012
5
在线阅读
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职称材料
2
基于平面肖特基二极管的平衡式亚毫米波倍频器芯片
孟范忠
毕胜赢
陈艳
周国
方园
《微波学报》
CSCD
北大核心
2021
1
在线阅读
下载PDF
职称材料
3
高功率110 GHz平衡式肖特基二极管频率倍频器
田遥岭
何月
黄昆
蒋均
缪丽
《红外与激光工程》
EI
CSCD
北大核心
2019
1
在线阅读
下载PDF
职称材料
4
335 GHz非平衡式肖特基二极管三倍频器
李雨航
张德海
孟进
祁路伟
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2023
4
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职称材料
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