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基于平均迁移率模型的SiC埋沟MOSFET Ⅰ-Ⅴ特性
被引量：
1
1
作者
郜锦侠
张义门
+1 位作者
张玉明
夏杰
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2007年第2期170-175,共6页
提出了一种SiC隐埋沟道MOSFET平均迁移率模型,并在此基础上对器件I-V特性进行了研究。采用一个随栅压变化的平均电容公式,并用一个简单的解析表达式来描述沟道平均迁移率随栅压的变化关系。计算漏电流时考虑了埋沟器件的三种工作模式,...
提出了一种SiC隐埋沟道MOSFET平均迁移率模型,并在此基础上对器件I-V特性进行了研究。采用一个随栅压变化的平均电容公式,并用一个简单的解析表达式来描述沟道平均迁移率随栅压的变化关系。计算漏电流时考虑了埋沟器件的三种工作模式,推出了各种工作模式下的漏电流表达式,并用实验值对模型进行了验证。
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关键词
碳化硅
隐埋沟道
金属氧化物半导体场效应晶体管
平均迁移率模型
伏安特性
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职称材料
题名
基于平均迁移率模型的SiC埋沟MOSFET Ⅰ-Ⅴ特性
被引量：
1
1
作者
郜锦侠
张义门
张玉明
夏杰
机构
西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2007年第2期170-175,共6页
基金
国家自然科学基金(60276047)
文摘
提出了一种SiC隐埋沟道MOSFET平均迁移率模型,并在此基础上对器件I-V特性进行了研究。采用一个随栅压变化的平均电容公式,并用一个简单的解析表达式来描述沟道平均迁移率随栅压的变化关系。计算漏电流时考虑了埋沟器件的三种工作模式,推出了各种工作模式下的漏电流表达式,并用实验值对模型进行了验证。
关键词
碳化硅
隐埋沟道
金属氧化物半导体场效应晶体管
平均迁移率模型
伏安特性
Keywords
SiC
buried-channel
MOSFET
average mobility model
I-V characteristics
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
基于平均迁移率模型的SiC埋沟MOSFET Ⅰ-Ⅴ特性
郜锦侠
张义门
张玉明
夏杰
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2007
1
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