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湿法化学腐蚀在GaN基材料中的应用
被引量：
1
1
作者
陈杰
许金通
+2 位作者
王玲
李向阳
张燕
《激光与红外》
CAS
CSCD
北大核心
2007年第B09期961-963,共3页
文中计算了A lGaN材料在不同温度KOH水溶液中的湿法腐蚀速率,并研究了湿法化学腐蚀GaN基材料对消除干法刻蚀所引入损伤的作用。为了对比湿法化学腐蚀消除干法刻蚀损伤的效果,分别利用扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)和俄歇电子...
文中计算了A lGaN材料在不同温度KOH水溶液中的湿法腐蚀速率,并研究了湿法化学腐蚀GaN基材料对消除干法刻蚀所引入损伤的作用。为了对比湿法化学腐蚀消除干法刻蚀损伤的效果,分别利用扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)和俄歇电子能谱(AES)对比Ar+干法刻蚀后经湿法化学腐蚀处理和未经处理的表面形貌及组分,并制作了单元可见盲器件,测试其反向漏电流,发现在干法刻蚀后引入湿法化学腐蚀工艺可使器件的反向漏电流得到较大程度的减小。
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关键词
湿法化学腐蚀
GaN基
干法刻蚀损伤
反向漏电流
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职称材料
题名
湿法化学腐蚀在GaN基材料中的应用
被引量：
1
1
作者
陈杰
许金通
王玲
李向阳
张燕
机构
中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室
出处
《激光与红外》
CAS
CSCD
北大核心
2007年第B09期961-963,共3页
文摘
文中计算了A lGaN材料在不同温度KOH水溶液中的湿法腐蚀速率,并研究了湿法化学腐蚀GaN基材料对消除干法刻蚀所引入损伤的作用。为了对比湿法化学腐蚀消除干法刻蚀损伤的效果,分别利用扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)和俄歇电子能谱(AES)对比Ar+干法刻蚀后经湿法化学腐蚀处理和未经处理的表面形貌及组分,并制作了单元可见盲器件,测试其反向漏电流,发现在干法刻蚀后引入湿法化学腐蚀工艺可使器件的反向漏电流得到较大程度的减小。
关键词
湿法化学腐蚀
GaN基
干法刻蚀损伤
反向漏电流
Keywords
wet chemical etching
GaN-based
dry etching damage
reverse leakage current
分类号
TN23 [电子电信—物理电子学]
TN305.2 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
湿法化学腐蚀在GaN基材料中的应用
陈杰
许金通
王玲
李向阳
张燕
《激光与红外》
CAS
CSCD
北大核心
2007
1
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